一种等离子体放电电极的制备方法与流程

本发明涉及等离子体技术领域，尤其涉及一种等离子体放电电极的制备方法。

背景技术：

随着等离子体技术的进步，等离子体技术从传统的半导体和微机械领域已扩展到太阳能领域，并且逐渐向其它领域发展，这使得等离子体设备开发企业之间的竞争日趋激烈，从而促使设备开发企业不断地创新，对等离子体设备进行改造或改进。现有的等离子体放电电极安装在等离子体设备后，等离子体放电电极绝缘层对其表面的自偏压影响已经确定，若工艺发生改变，只能更换新的等离子体放电电极以适应新工艺的要求，操作不便。

因此，有必要提供一种等离子体放电电极及其制备方法，以解决上述问题。

技术实现要素：

本发明要解决的技术问题是提供一种等离子体放电电极及其制备方法，以解决现有的等离子体放电电极绝缘层对其表面的自偏压影响已经确定，无法适应不同工艺的问题。

为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：

一种等离子体放电电极，包括：电源固定架、铝基座、绝缘层、调节螺杆、压缩弹簧、固定层、氧化铝层、固定螺栓、射频电源以及调节螺母；

所述电源固定架的一侧设置有槽体，所述铝基座设置在所述槽体的一侧，所述射频电源固定于所述电源固定架上与所述槽体相反的一侧；所述绝缘层设置于所述铝基座上远离所述电源固定架的一侧；所述绝缘层端面设置有凹槽，所述绝缘层的顶部和底部分别设置有与所述凹槽连通的调节通道；所述固定层和所述氧化铝层均竖直设置于所述有凹槽内；所述固定层与所述氧化铝层相互平行，所述固定层位于所述凹槽的外侧，所述氧化铝层位于所述凹槽的内侧；所述铝基座的顶部和底部设置有贯穿所述铝基座两端面的通孔；所述调节螺杆呈l形，所述调节螺杆设置于所述通孔内；所述调节螺杆伸出所述通孔的一端与所述氧化铝层的端部连接；所述铝基座的端面与所述调节螺杆之间设置有所述压缩弹簧；所述电源固定架上对应所述通孔设置有过孔，所述调节螺杆的末端穿过所述过孔的一端设置有所述调节螺母；所述电源固定架和所述铝基座之间通过所述固定螺栓连接。

优选地，所述绝缘层的高度小于所述铝基座的高度，所述铝基座的顶部和底部的通孔之间的距离大于所述绝缘层的高度，所述绝缘层位于所述铝基座的顶部和底部的通孔之间的区域。

优选地，所述固定层和所述氧化铝层的厚度相等，所述绝缘层的厚度小于所述铝基座的厚度。

等离子体放电电极的制备方法步骤如下：利用沉积法在铝基座上沉积绝缘层，然后采用蚀刻法，在绝缘层上制作调节通道和凹槽，之后将固定层与绝缘层固定，之后设置氧化铝层以及调节螺杆、压缩弹簧。

本发明所具有的优点与效果是：

本发明的一种等离子体放电电极，包括：电源固定架、铝基座、绝缘层、调节螺杆、压缩弹簧、固定层、氧化铝层、固定螺栓、射频电源以及调节螺母；电源固定架的一侧设置有槽体，铝基座设置在槽体的一侧，射频电源固定于电源固定架上与槽体相反的一侧；绝缘层设置于铝基座上远离电源固定架的一侧；绝缘层端面设置有凹槽，绝缘层的顶部和底部分别设置有与凹槽连通的调节通道；固定层和氧化铝层均竖直设置于有凹槽内；固定层与氧化铝层相互平行，固定层位于凹槽的外侧，氧化铝层位于凹槽的内侧；铝基座的顶部和底部设置有贯穿铝基座两端面的通孔；调节螺杆呈l形，调节螺杆设置于通孔内；调节螺杆伸出通孔的一端与氧化铝层的端部连接；铝基座的端面与调节螺杆之间设置有压缩弹簧；电源固定架上对应通孔设置有过孔，调节螺杆的末端穿过过孔的一端设置有调节螺母；电源固定架和铝基座之间通过固定螺栓连接；可用于等离子体设备中，并且可通过转动调节螺母，经由调节螺杆调节固定层和氧化铝层之间的距离，对绝缘层表面的自偏压进行调节，使绝缘层表面的离子能量特性及分布状况达到工艺要求，从而减少更换电极的时间，提高等离子体设备的运行效率。

本发明的一种等离子体放电电极的制备方法，工序较为简单，制造的产品品质较高，适用性较广。

附图说明

下面结合附图对本发明作进一步详述：

图1为本发明的一种等离子体放电电极的结构图。

图2为本发明的一种等离子体放电电极调节绝缘层表面的自偏压的示意图。

图中：电源固定架1、铝基座2、绝缘层3、调节螺杆4、压缩弹簧5、固定层6、氧化铝层7、调节通道8、固定螺栓9、过孔10、射频电源11、调节螺母12、通孔13、槽体14、凹槽15。

具体实施方式

如图1至图2所示，本发明提供一种等离子体放电电极，包括：电源固定架1、铝基座2、绝缘层3、调节螺杆4、压缩弹簧5、固定层6、固定螺栓9、射频电源11以及调节螺母12。所述电源固定架1的一侧设置有槽体14，所述铝基座2设置在所述槽体14的一侧，所述射频电源11固定于所述电源固定架1上与所述槽体14相反的一侧；所述绝缘层3设置于所述铝基座2上远离所述电源固定架1的一侧；所述绝缘层3端面设置有凹槽15，所述绝缘层3的顶部和底部分别设置有与所述凹槽15连通的调节通道8；所述固定层6和所述氧化铝层7均竖直设置于所述有凹槽15内；所述固定层6与所述氧化铝层7相互平行，所述固定层6位于所述凹槽15的外侧，所述氧化铝层7位于所述凹槽15的内侧；所述铝基座2的顶部和底部设置有贯穿所述铝基座2两端面的通孔13；所述调节螺杆4呈l形，所述调节螺杆4设置于所述通孔13内；所述调节螺杆4伸出所述通孔13的一端与所述氧化铝层7的端部连接；所述铝基座2的端面与所述调节螺杆4之间设置有所述压缩弹簧5；所述电源固定架1上对应所述通孔13设置有过孔10，所述调节螺杆4的末端穿过所述过孔10的一端设置有所述调节螺母12；所述电源固定架1和所述铝基座2之间通过所述固定螺栓9连接。所述绝缘层3的高度小于所述铝基座2的高度，所述铝基座2的顶部和底部的通孔13之间的距离大于所述绝缘层3的高度，所述绝缘层3位于所述铝基座2的顶部和底部的通孔13之间的区域。所述固定层6和所述氧化铝层7的厚度相等，所述绝缘层3的厚度小于所述铝基座2的厚度。本发明的等离子体放电电极，可用于等离子体设备中，并且可通过转动调节螺母12，经由调节螺杆4调节固定层6和氧化铝层7之间的距离，对绝缘层3表面的自偏压进行调节，使绝缘层3表面的离子能量特性及分布状况达到工艺要求，从而减少更换电极的时间，提高等离子体设备的运行效率。

本发明的等离子体放电电极的制备方法如下，利用沉积法在铝基座2上沉积绝缘层3，然后采用蚀刻法，在绝缘层3上制作调节通道8和凹槽15，之后将固定层6与绝缘层3固定，之后设置氧化铝层7以及调节螺杆4、压缩弹簧5等组件，调节螺杆4可以是由竖直部和水平部共同组合构成。

本发明不局限于上述实施例，实施例只是示例性的，旨在用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

技术特征：

技术总结
本发明涉及等离子体技术领域，尤其涉及一种等离子体放电电极的制备方法。利用沉积法在铝基座上沉积绝缘层，然后采用蚀刻法，在绝缘层上制作调节通道和凹槽，之后将固定层与绝缘层固定，之后设置氧化铝层以及调节螺杆、压缩弹簧。可通过转动调节螺母，经由调节螺杆调节固定层和氧化铝层之间的距离，对绝缘层表面的自偏压进行调节，使绝缘层表面的离子能量特性及分布状况达到工艺要求，从而减少更换电极的时间，提高等离子体设备的运行效率。

技术研发人员：吴征威
受保护的技术使用者：吴征威
技术研发日：2017.11.02
技术公布日：2018.05.18