技术特征：
技术总结
本公开涉及一种晶圆键合方法，包括：对第一晶圆的待键合表面进行活化处理，和/或对第二晶圆的待键合表面进行活化处理；在第一气压的环境中，使所述第一和第二晶圆的待键合表面接触，并施加压力以挤压所述第一和第二晶圆；以及在第二气压的环境中，对所述第一和第二晶圆进行退火处理，其中，所述第二气压大于所述第一气压。本公开的晶圆键合方法，在不对晶圆造成不良影响的情况下提高了晶圆之间的键合强度。
技术研发人员：孟俊生;李志伟;黄仁德;王欢
受保护的技术使用者：德淮半导体有限公司
技术研发日：2017.11.22
技术公布日：2018.04.20