技术领域
技术领域涉及一种显示设备。
背景技术：
典型的有机发光显示设备可以包括形成在基底上的薄膜晶体管和有机发光器件，有机发光器件可以发光以用于显示图像。有机发光显示设备可以用作诸如移动电话的紧凑产品的显示单元或者诸如电视机的大型产品的显示单元。
有机发光器件可以包括设置在像素电极与对电极之间的发光层。由于有机发光器件的特征在于易受潮气影响，所以通常在基底上的有机发光器件上方设置覆盖有机发光器件的包封层。
然而，设置在有机发光器件上方的包封层会在相关的显示设备中引起不期望的死空间，使得显示设备的显示区域会被不期望地限制。
技术实现要素：
一个或更多个实施例可以涉及具有最大显示区域并且抵抗外部湿气的显示设备。
根据一个或更多个实施例，显示设备包括：基底，具有第一区域和位于第一区域外部的第二区域；显示单元，布置在第一区域中并且包括显示元件；第一坝单元，布置在第二区域中以围绕显示单元的外部的至少一部分；绝缘单元，横穿第一区域和第二区域布置并设置在基底与第一坝单元之间，并且具有设置在第二区域中的第一开口以围绕显示单元的外部的至少一部分；以及第一金属层，在与第一开口对应的位置处具有第二开口。
第一开口可以设置在基底与第一坝单元之间。
第一开口可以填充有有机材料层。
有机材料层的上表面可以与第一金属层的上表面相同或低于第一金属层的上表面。
有机材料层的上表面可以高于第一金属层的上表面。
有机材料层可以仅设置在第一开口和第二开口中。
有机材料层可以直接接触第一开口的内侧表面。
显示单元还可以包括横穿第一区域和第二区域布置的第二金属层，第二金属层可以设置在有机材料层与第一坝单元之间。
显示单元还可以包括用于供应显示元件的薄膜晶体管和与显示元件对应的像素电极，第二金属层可以包括与像素电极相同的材料。
薄膜晶体管可以包括半导体层、栅电极以及源电极或漏电极，第一金属层可以包括与源电极或漏电极相同的材料。
显示设备还可以包括布置在第二区域中以围绕第一坝单元的外部的第二坝单元。
第二坝单元的高度可以大于第一坝单元的高度。
第二金属层可以延伸到第二坝单元。
第一开口可以暴露基底的至少一部分。
绝缘单元可以包括一个或更多个无机绝缘层。
第一开口可以不连续地设置在显示单元外部。
第一开口的宽度可以小于第一坝单元的宽度。
第二开口的宽度可以小于第一坝单元的宽度。
第一坝单元可以布置成覆盖有机材料层。
实施例可以涉及显示设备。显示设备可以包括基底、显示单元、第一坝单元(或第一阻挡单元)、绝缘单元和第一金属层。显示单元可以与基底叠置。显示单元可以包括发射元件。第一坝单元可以至少部分地围绕显示单元。第一沟槽(或第一沟)可以位于第一坝单元与显示单元之间。绝缘单元可以设置在基底与第一坝单元之间，可以具有绝缘部分，并且可以具有第一开口组。第一开口组可以设置在绝缘部分与显示单元之间。绝缘部分可以至少部分地围绕显示单元。第一金属层可以具有位于第一开口组上方的第二开口组。
第一开口组可以设置在基底与第一坝单元之间。
显示设备可以包括至少部分地设置在第一开口组内部的有机材料层。
有机材料层的第一表面可以与第一金属层的第一表面齐平，或者可以被定位成比第一金属层的第一表面靠近基底。有机材料层的第二表面可以与有机材料层的第一表面相对，并且可以位于基底与有机材料层的第一表面之间。第一金属层的第二表面可以与第一金属层的第一表面相对，并且可以位于基底与第一金属层的第一表面之间。
有机材料层的第一表面可以被定位成比第一金属层的第一表面远离基底。有机材料层的第二表面可以与有机材料层的第一表面相对，并且可以位于基底与有机材料层的第一表面之间。第一金属层的第二表面可以与第一金属层的第一表面相对，并且可以位于基底与第一金属层的第一表面之间。
有机材料层可以完全设置在第一开口组和第二开口组的组合内部。
有机材料层可以直接接触第一开口组的内(侧)表面。
显示设备可以包括设置在有机材料层与第一坝单元之间的第二金属层。
显示单元可以包括与发射元件叠置的像素电极，并且可以包括电连接到像素电极的晶体管。第二金属层的材料可以与像素电极的材料相同。
晶体管可以包括源电极和漏电极中的至少一者、栅电极以及半导体层。第一金属层的材料可以与源电极和漏电极中的至少一者的材料相同。
显示设备可以包括至少部分地围绕第一坝单元的第二坝单元(或第二阻挡单元)。第二沟槽(或第二沟)可以位于第二坝单元与第一坝单元之间。
第二坝单元相对于基底的最大高度可以大于第一坝单元相对于基底的最大高度。
第二金属层可以直接接触第二坝单元。
第一开口组可以暴露基底的至少一部分。
绝缘单元可以包括一个或更多个无机绝缘层。
第一开口组可以包括通过绝缘层的绝缘部分彼此分开的开口。
第一开口组可以在与基底平行的方向上比第一坝单元窄。第一开口组的两个边缘可以位于第一坝单元的两个边缘之间。
第二开口组可以在与基底平行的方向上比第一坝单元窄。第二开口组的两个边缘可以位于第一坝单元的两个边缘之间。
第一坝单元可以覆盖有机材料层，使得有机材料层的两个边缘位于第一坝单元的两个边缘之间。
第一坝单元相对于基底的最大高度可以大于发射元件相对于基底的最大高度。
附图说明
图1是根据实施例的显示设备的示意性平面图。
图2是根据实施例的在图1的显示设备中沿线A1-A1'截取的示意性剖视图。
图3是根据实施例的图2中指示的部分B1的示意性剖视图。
图4是根据实施例的显示设备的示意性平面图。
图5是根据实施例的在图4的显示设备中沿线A2-A2'截取的示意性剖视图。
图6是根据实施例的图5中指示的部分B2的示意性剖视图。
图7是根据实施例的显示设备的示意性平面图。
图8是根据实施例的显示设备的示意性平面图。
具体实施方式
在附图中示出了示例实施例，并且在书面描述中详细描述了示例实施例。实际的实施例包括适用于所描述的实施例的所有改变、等同物和替代物。同样的附图标记可以指示同样的元件。
尽管可以使用如“第一”、“第二”等这样的术语来描述各种组件，但是这样的组件不一定限于上面的术语。上面的术语可以用来将一个组件与另一个组件区分开。因此，在不脱离一个或更多个实施例的教导的情况下，下面讨论的第一元件可以被称为第二元件。如“第一”元件的元件的描述可以不需要或者不暗示存在第二元件或其它元件。术语“第一”、“第二”等在这里也可用于区别不同类别或不同组别的元件。为了简洁起见，术语“第一”、“第二”等可以分别表示“第一类(或第一组)”、“第二类(或第二组)”等。
这里使用的术语“包括”及其变型说明存在所陈述的特征或组件，但不排除存在或附加一个或更多个其它特征或组件。
当第一元件(诸如层、区域或组件)被称作“在”第二元件“上”时，所述第一元件可以直接地或间接地在所述第二元件上。即，所述第一元件与所述第二元件之间可以存在一个或更多个中间元件。
为了便于说明，可以夸大附图中的组件的尺寸。
开口可以指开口组。开口组可以指包括一个或更多个开口的一组开口。凹槽部分可以指包括一个或更多个凹槽部分的凹槽部分组或一组凹槽部分。凹槽部分可以表示位于凹槽部分内的有机材料构件。
图1是根据实施例的显示设备1的示意性平面图。图2是在图1的显示设备1中沿线A1-A1'截取的示意性剖视图。图3是图2的显示设备1中的部分B1的示意性放大剖视图。
参照图1和图2，显示设备1可以包括基底100、设置在基底100上并且包括显示元件200的显示单元DU、设置在显示单元DU外部的第一坝单元410(或阻挡单元410)、设置在基底100上的具有第一开口155a的绝缘单元155以及在与第一开口155a对应的位置处具有第二开口152a的第一金属层152。
基底100可以由各种材料中的至少一种形成，例如，玻璃材料、金属材料或者诸如聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚酰亚胺等的塑料材料。如果基底100由薄玻璃或金属材料形成或者由塑料材料形成，则基底100可以具有柔性特性。如图1中所示，根据显示单元DU的形状，基底100可以具有矩形形状，或者可以以诸如圆形、椭圆形等的各种形状中的至少一种形成。
基底100可以具有第一区域1A和围绕第一区域1A的外部的第二区域2A。第一区域1A可以理解为布置有多个显示元件200的显示区域。在实施例中，显示元件200是有机发光元件。
第二区域2A位于第一区域1A的外围，在第一区域1A的外围中未布置显示元件200而可以布置布线或电路部分。参照图1，第一区域1A位于基底100的中心部分，第二区域2A围绕第一区域1A的外部并且包括基底100的边缘。
在图1中，根据实施例，基底100具有矩形形状。因此，位于基底100的中心处的显示单元DU也可以具有矩形形状。因此，第二区域2A可以围绕显示单元DU的四个侧面。
第一坝单元410和第二坝单元420可以位于显示单元DU的外部的第二区域2A中。换言之，在显示设备1的平面图中，第一坝单元410和第二坝单元420可以围绕(并包围)显示单元DU。图1示出了第一坝单元410和第二坝单元420完全围绕显示单元DU(显示单元DU的全部四个侧面)。在一个或更多个实施例中，如参照图7和图8所示的，一个或更多个坝单元可以部分地围绕显示单元而不包围显示单元。
第一坝单元410和第二坝单元420中的每个可以包括多个层。层可以包括有机材料或无机材料。当在第一区域1A中形成显示单元DU时，可以同时形成或者可以分别形成第一坝单元410和第二坝单元420。
参照图1和图2两者，绝缘单元155可以设置在基底100上，绝缘单元155可以在基底100的第一区域1A和第二区域2A之上设置在基底100的整个表面上。尽管图1和图2示出了绝缘单元155设置在基底100的整个表面上，而不设置在基底100的最外边缘处，但是在其它实施例中，绝缘单元155可以布置成延伸到基底100的端部。
如图2中所示，绝缘单元155可以包括一个或更多个无机绝缘层。无机绝缘层可以包括例如第一绝缘层110、第二绝缘层130和第三绝缘层150。第一绝缘层110可以是设置在基底100上的缓冲层。第二绝缘层130在第一区域1A中可以理解为用于使将在后面描述的薄膜晶体管(TFT)的半导体层120与栅电极140之间绝缘的栅极绝缘层，第三绝缘层150在第一区域1A中可以理解为TFT的用于使栅电极140与源电极160a之间或栅电极140与漏电极160b之间绝缘的层间绝缘层。
如图2中所示，绝缘单元155可以包括设置在第一坝单元410下面的凹槽部分400a。换言之，凹槽部分400a可以位于基底100与第一坝单元410之间。凹槽部分400a可以包括第一开口155a和第二开口152a。返回参照图1，如上面描述的，第一坝单元410可以围绕(并且包围)显示单元DU的外部。尽管图1中未示出，但是凹槽部分400a可以沿布置有第一坝单元410的区域设置。
首先，下面描述基底100的第一区域1A。
由氧化硅或氮化硅形成的第一绝缘层110可以布置在基底100上以使基底100的表面平坦化或防止杂质侵入到TFT的半导体层120中，半导体层120可以设置在第一绝缘层110上。在一些情况下，除了第一绝缘层110之外，还可以在基底100上布置阻挡层。在实施例中，阻挡层可以设置在第一绝缘层110上。此外，在另一实施例中，缓冲层可以不布置在基底100上。在实施例中，半导体层120可以直接布置在基底100上，第二绝缘层130可以直接布置在基底100上以覆盖半导体层120。
栅电极140设置在半导体层120上方。源电极160a和漏电极160b根据施加到栅电极140的信号彼此电连接。考虑到与相邻层的粘合力、将层叠的层的表面平坦度和可加工性，栅电极140可以以单层或多层由以下材料中的一种或更多种形成，例如，铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)。
在这种情况下，为了确保半导体层120与栅电极140之间的绝缘，可以在半导体层120与栅电极140之间设置由氧化硅和/或氮化硅形成的第二绝缘层130。
第三绝缘层150可以设置在栅电极140的上方。第三绝缘层150可以以单层或多层由诸如氧化硅或氮化硅的材料形成。在另一实施例中，第三绝缘层150可以以单层或多层由有机材料形成。
源电极160a和漏电极160b设置在第三绝缘层150上。源电极160a和漏电极160b中的每个通过形成在第三绝缘层150和第二绝缘层130中的接触孔电连接到半导体层120。考虑到电导率，源电极160a和漏电极160b可以以单层或多层由以下材料中的一种或更多种形成，例如，Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu。
尽管未示出，但是覆盖TFT的保护层可以保护具有上述结构的TFT。保护层可以由例如氧化硅、氮化硅或氮氧化硅的无机材料形成。
通孔层170可以设置在基底100上。在实施例中，通孔层170可以是平坦化的层(或平坦化层)或保护层。当显示元件200布置在TFT上方时，通孔层170可以基本使TFT的上表面平坦化，并且保护TFT和各种元件。通孔层170可以由例如丙烯酸类有机材料或苯并环丁烯(BCB)形成。
像素限定层180可以布置在TFT上方。像素限定层180可以设置在通孔层170上，并且可以具有用于限定像素区域的开口。像素限定层180可以通过开口的方式限定每个像素的像素区域。
例如，像素限定层180可以设置为有机绝缘层。有机绝缘层可以包括例如，诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸类聚合物、聚苯乙烯(PS)、具有酚基的聚合物衍生物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及它们的混合物。
显示元件200可以布置在通孔层170上。显示元件200可以包括像素电极210、具有发射层(EML)的中间层220以及对电极230。
像素电极210可以是(半)透明电极或反射电极。当像素电极210由(半)透明电极形成时，像素电极210可以由例如ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO形成。当像素电极210由反射电极形成时，像素电极210可以具有由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及它们的化合物形成的反射层以及由ITO、IZO、ZnO、In2O3、IGO或AZO形成的层。在实施例中，像素电极210可以由各种材料形成，并且可以具有单层结构或多层结构。
中间层220可以布置在由像素限定层180限定的每个像素区域中。中间层220可以包括通过电信号来发光的EML，并且除了EML之外，中间层220可以包括以单层或多层的结构堆叠的布置在EML和像素电极210之间的空穴注入层(HIL)和空穴传输层(HTL)、以及布置在EML与对电极230之间的电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)。中间层220不必限于此，并且可以具有各种结构。
覆盖包括EML的中间层220并且面向像素电极210的对电极230可以横穿基底100的整个表面布置。对电极230可以由(半)透明电极或反射电极形成。
中间层220可以是低分子有机材料或聚合物有机材料。
当中间层220是低分子有机材料时，HTL、HIL、ETL和EIL可以相对于EML堆叠。此外，如果必要，可以堆叠各种层。在这方面可用的有机材料可以包括例如铜酞菁(CuPc)、N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基-联苯胺(NPB)或三-8-羟基喹啉铝(Alq3)。
当中间层220是聚合物有机材料时，除了EML之外，中间层220还可以包括HTL。HTL可以包括聚-(2,4)-乙烯基-二羟基噻吩(PEDOT)或聚苯胺(PANI)。在这方面可以使用的有机材料可以包括聚-苯撑乙烯撑(PPV)类和聚芴类的聚合物有机材料。此外，还可以在中间层220与像素电极210和对电极230中的每个之间设置无机材料。
在这种情况下，可以在基底100的整个表面上整体地形成HTL、HIL、ETL和EIL，或者可以针对每个像素在喷墨印刷工艺中仅形成EML。在实施例中，HTL、HIL、ETL和EIL可以位于入口部分中。
当对电极230由(半)透明电极形成时，对电极230可以包括由功函数小的金属(即，Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及它们的化合物)形成的层以及由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成的(半)透明导电层。当对电极230由反射电极形成时，对电极230可以包括由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及它们的化合物形成的层。对电极230的结构和材料不限于此，并且可以进行不同地修改。
包封部分300可以设置在显示元件200上方以覆盖显示元件300。尽管未示出，但是在另一实施例中，还可以在对电极230与包封部分300之间设置诸如偏振层的功能层。
包封部分300可以包括第一无机层310、第二无机层330和设置在第一无机层310与第二无机层330之间的有机层320。包封部分300可以具有气密地密封易受外部湿气影响的显示元件200的功能。此外，为了改善密封效果，包封部分300可以具有其中无机层和有机层彼此交替堆叠的多层结构。此外，包封部分300的有机层320可以比第一无机层310和第二无机层330厚。
第一无机层310和第二无机层330可以横穿第一区域1A和第二区域2A设置在基底100的整个表面上。第一无机层310和第二无机层330可以包括选自例如氮化硅、氮化铝、氮化锆、氮化钛、氮化铪、氮化钽、氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锡、氧化铈和氮氧化硅(SiON)中的一种或更多种材料。在这种情况下，形成第一无机层310和第二无机层330的材料可以彼此相同或不同。
为了包封部分300的柔性，有机层320可以设置在第一无机层310与第二无机层330之间。有机层320可以被第一无机层310和第二无机层330气密地密封。换言之，有机层320的侧表面可以被第一无机层310和第二无机层330覆盖。换言之，有机层320可以被布置在有机层320上的第二无机层330完全覆盖。第一无机层310和第二无机层330的覆盖有机层320的侧表面的边缘可以彼此直接接触。由于有机层320是外部湿气侵入的通道，所以有机层320被第一无机层310和第二无机层330完全密封。有机层320可以包括选自例如丙烯酸类树脂、甲基丙烯酸类树脂、聚异戊二烯、乙烯基类树脂、环氧类树脂、氨酯类树脂、纤维素类树脂和苝类树脂中的一种或更多种材料。
图2示出了延伸到基底100的边缘的绝缘单元155的端部与第一无机层310和第二无机层330的端部彼此匹配。在实施例中，绝缘单元155的端部与第一无机层310和第二无机层330的端部可以不彼此匹配。在实施例中，第一无机层310的端部和第二无机层330的端部可以不彼此匹配。
图2示出了绝缘单元155以及第一无机层310和第二无机层330不延伸到基底100的端部并且暴露基底100的边缘的至少一部分。在实施例中，绝缘单元155以及第一无机层310和第二无机层330可以延伸到基底100的端部，覆盖基底100的整个表面。
接下来，下面参照图2描述基底100的第二区域2A。
基底100的第二区域2A可以理解为围绕第一区域1A的外部并且包括基底100的边缘的区域。除了显示元件200之外，电路部分、互连线等可以布置在第二区域2A中。此外，通孔层170和像素限定层180以及绝缘单元155可以横穿第一区域1A和第二区域2A中的至少一部分设置。
在实施例中，位于第二区域2A中的绝缘单元155可以具有沿第一区域1A的外部形成的第一开口155a。换言之，第一开口155a可以位于与第一区域1A相邻的第二区域2A中。第一开口155a可以沿第一区域1A形成封闭的环，或者在另一实施例中可以以开放型形成。
如图2中所示，第一开口155a可以暴露基底100的至少一部分。换言之，第一开口155a可以穿透包括在绝缘单元155中的第一绝缘层110、第二绝缘层130和第三绝缘层150。
第一金属层152可以设置在绝缘单元155上。如图2中所示，第一金属层152可以布置在位于第二区域2A中的绝缘单元155上，具体地，布置在第三绝缘层150上。第一金属层152可以包括与位于第一区域1A中的TFT的源电极160a或漏电极160b的材料相同的材料。TFT的源电极160a和漏电极160b可以设置在与层间绝缘层对应的第三绝缘层150上。因此，第一金属层152可以设置在第三绝缘层150上。第一金属层152可以以单层或多层由例如Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的一种或更多种材料形成。
第一金属层152可以具有第二开口152a。第二开口152a可以设置为与第一开口155a对应。尽管图2示出了第一开口155a和第二开口152a具有同一内侧表面，但是在另一实施例中，第一开口155a的内侧表面和第二开口152a的内侧表面可以不彼此匹配。第一开口155a和第二开口152a可以被理解为位于显示单元DU外部的凹槽部分400a。
凹槽部分400a可以填充有有机材料层430。换言之，第一开口155a和第二开口152a可以填充有有机材料层430。例如，有机材料层430可以包括例如，诸如PMMA、PS、具有酚基的聚合物衍生物、酰亚胺类聚合物、芳基醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物及它们的混合物的丙烯酸类聚合物。
在实施例中，如图3中所示，有机材料层430的上表面430b可以与第一金属层152的上表面152b相同或低于第一金属层152的上表面152b。在实施例中，有机材料层430的下表面可以直接接触基底100的至少一部分并且可以直接接触第一开口155a的内侧表面。在实施例中，有机材料层430可以仅设置在第一开口155a和第二开口152a中。
尽管如上所述，有机材料层430可以形成为与第一金属层152的上表面152b相同或低于第一金属层152的上表面152b，但是可以根据绝缘单元155和/或第一金属层152的厚度通过使用半色调掩模或全色调掩模调整有机材料层430的高度。
第一坝单元410可以设置在凹槽部分400a上方。换言之，第一开口155a和第二开口152a可以位于基底100与第一坝单元410之间。在实施例中，第一坝单元410示出为包括第1-1层412和第1-2层414，在一些情况下还可以包括其它层。第1-1层412可以包括与位于第一区域1A中的像素限定层180相同的材料。在实施例中，第1-2层414可以包括与像素限定层180相同的材料，可以是在单独的工艺中形成的有机材料层，或者可以是无机层。在实施例中，第1-1层412可以包括与通孔层170相同的材料。在实施例中，第1-2层414可以包括与像素限定层180相同的材料。此外，在实施例中，与图2的示出不同，第二金属层212可以设置在第1-1层412与第1-2层414之间。
第二金属层212可以设置在第一坝单元410与凹槽部分400a之间。第二金属层212可以横穿第一区域1A的一部分和第二区域2A的一部分布置。第二金属层212可以包括与显示单元DU的像素电极210相同的材料。
第二坝单元420可以位于第一坝单元410外部。第二坝单元420可以设置成与第一坝单元410分隔开一定间隔，并且可以围绕第一坝单元410。在实施例中，第一坝单元410相对于基底100的最大高度可以比EML相对于基底100的最大高度大。在实施例中，第二坝单元420的高度可以大于第一坝单元410的高度。第一坝单元410和第二坝单元420可以设置成在形成包封部分300期间防止有机层320的溢出。尽管图2示出了包封部分300的有机层320设置到像素限定层180的端部区域，但是在另一实施例中，有机层320可以布置成延伸到第一坝单元410。换言之，有机层320不通过第一坝单元410溢出到基底100的边缘，并且有机层320的流过第一坝单元410的部分可以被第二坝单元420阻挡，从而防止有机层320的溢出。
第二坝单元420可以包括第2-1层422、第2-2层424和第2-3层426。尽管图2示出了第二坝单元420包括第2-1层422、第2-2层424和第2-3层426，但是第二坝单元420还可以包括其它层，或者可以仅包括第2-1层422和第2-2层424。第2-1层422可以包括与位于第一区域1A中的通孔层170相同的材料。第2-2层424可以包括与像素限定层180相同的材料。第2-3层426与第2-2层424类似，可以包括与像素限定层180相同的材料，或者可以是在单独的工艺中形成的有机材料层或无机层。
第二金属层212可以部分地设置在第二坝单元420的第2-1层422与第2-2层424之间。在实施例中，第二金属层212的端部不设置在第2-1层422与第2-2层424之间。
参照图3，在实施例中，第一开口155a可以具有第一宽度w1，第二开口152a可以具有第二宽度w2，第一坝单元410可以具有第三宽度w3。在图2和图3中，第一开口155a和第二开口152a的内侧表面以及第一坝单元410的侧表面相对于基底100以一定角度(不是直角)倾斜。换言之，绝缘单元155的包括第一开口155a的侧表面、第一金属层152的包括第二开口152a的侧表面和第一坝单元410的侧表面被示出为具有梯形形状。因此，尽管图3示出了相对于第一开口155a的下部、第二开口152a的下部和第一坝单元410的下部的宽度，但是“宽度”可以被解释为不限于每个构件的上部或下部的宽度。例如，第一宽度w1可以是第一开口155a的下部、上部或中部的宽度。
在实施例中，第一开口155a的第一宽度w1可以小于第一坝单元410的第三宽度w3。此外，第二开口152a的第二宽度w2可以小于第一坝单元410的第三宽度w3。当第一开口155a的第一宽度w1和第二开口152a的第二宽度w2大于第一坝单元410的第三宽度w3时，与根据现有技术的高度相比，第一坝单元410的高度会减小。在实施例中，如上面描述的，由于防止有机层320的溢出(作为第一坝单元410的功能)不容易，所以为了保持第一坝单元410，第一开口155a和第二开口152a可以形成为使得第一开口155a的第一宽度w1和第二开口152a的第二宽度w2中的每个小于第一坝单元410的第三宽度w3。
在这种情况下，第一坝单元410可以覆盖有机材料层430。如上面描述的，由于第一开口155a的第一宽度w1和第二开口152a的第二宽度w2中的每个小于第一坝单元410的第三宽度w3，所以填充凹槽部分400a的有机材料层430可以被第一坝单元410完全覆盖。
在根据实施例的显示设备1中，可以设置防裂纹坝，其中，包括第一开口155a和第二开口152a的凹槽部分400a设置在第一坝单元410下面，并且凹槽部分400a填充有有机材料层430。防裂纹坝可以阻挡从基底100的边缘传递的外部冲击，使得可以有效地防止由于外部冲击而导致的裂纹传递到显示单元DU。
图4是根据实施例的显示设备2的示意性平面图。图5是在图4的显示设备2中沿线A2-A2'截取的示意性剖视图。图6是在图4的显示设备2中的部分B2的示意性放大的剖视图。
参照图4和图5，显示设备2可以包括基底100、布置在基底100上并且包括显示元件200的显示单元DU、布置在显示单元DU外部的第一坝单元410、布置在基底100上的具有第一开口155a'的绝缘单元155以及在与第一开口155a'对应的位置处具有第二开口152a'的第一金属层152。
图4和图5中示出的显示设备2与显示设备1的差别在于包括第一开口155a'和第二开口152a'的凹槽部分400a'的结构。因此，下面的描述主要讨论所述差别，并且上面的描述用于在第一区域1A中包括显示单元DU的其它元件。
参照图5描述基底100的第二区域2A。
基底100的第二区域2A可以被理解为围绕第一区域1A的外部并且包括基底100的边缘的区域。除了显示元件200，电路部分、互连线等可以布置在第二区域2A中。此外，设置在绝缘单元155上的通孔层170和像素限定层180可以横穿第一区域1A和第二区域2A的至少一部分来设置。
在实施例中，位于第二区域2A中的绝缘单元155可以具有沿第一区域1A的外部形成的第一开口155a'。换言之，第一开口155a'可以位于与第一区域1A相邻的第二区域2A中。第一开口155a'可以沿第一区域1A形成封闭的环，或者在另一实施例中可以以开放型形成。
如图5中所示，第一开口155a'可以暴露第一绝缘层110的至少一部分。换言之，在实施例中，绝缘单元155可以包括第二绝缘层130和第三绝缘层150，第一开口155a'可以穿透第二绝缘层130和第三绝缘层150。
第一金属层152可以设置在绝缘单元155上。如图5中所示，第一金属层152可以布置在位于第二区域2A中的绝缘单元155上，具体地，布置在第三绝缘层150上。第一金属层152可以包括与位于第一区域1A中的TFT的源电极160a或漏电极160b相同的材料。TFT的源电极160a和漏电极160b可以设置在与层间绝缘层对应的第三绝缘层150上。因此，第一金属层152可以设置在第三绝缘层150上。
第一金属层152可以具有第二开口152a'。第二开口152a'可以与第一开口155a'对应。尽管图5示出了第一开口155a'和第二开口152a'具有同一内侧表面，但是在另一实施例中，第一开口155a'的内侧表面和第二开口152a'的内侧表面可以不彼此匹配。第一开口155a'和第二开口152a'可以被理解为位于显示单元DU外部的凹槽部分400a′。凹槽部分400a'可以填充有有机材料层430'。
如上面描述的，尽管有机材料层430'可以形成为高于第一金属层152的上表面152b'，但是可以根据绝缘单元155和/或第一金属层152的厚度通过使用半色调掩模或全色调掩模调整有机材料层430'的高度。
第一坝单元410可以布置在凹槽部分400a'上方。换言之，第一开口155a'和第二开口152a'可以设置在基底100与第一坝单元410之间。在实施例中，尽管第一坝单元410被示出为包括第1-1层412和第1-2层414，但是在一些情况下，还可以包括其它层。第1-1层412可以包括与位于第一区域1A中的像素限定层180相同的材料。在实施例中，第1-2层414可以包括与像素限定层180相同的材料，可以是在单独的工艺中形成的有机材料层430'，或者可以是无机层。在实施例中，第1-1层412可以包括与通孔层170相同的材料。在实施例中，第1-2层414可以包括与像素限定层180相同的材料。此外，在实施例中，与图5的示出不同，第二金属层212可以设置在第1-1层412和第1-2层414之间。
第二金属层212可以设置在第一坝单元410与凹槽部分400a'之间。第二金属层212可以横穿第一区域1A的一部分和第二区域2A的一部分布置。第二金属层212可以包括与显示单元DU的像素电极210相同的材料。
第二坝单元420可以设置在第一坝单元410外部。第二坝单元420可以设置成与第一坝单元410分隔开一定的间隔，并且可以围绕第一坝单元410。在实施例中，第二坝单元420的高度可以高于第一坝单元410的高度。第一坝单元410和第二坝单元420可以设置成在形成包封部分300期间防止有机层320的溢出。尽管图5示出了包封部分300的有机层320设置到像素限定层180的端部区域，但是在实施例中，有机层320可以布置成延伸到第一坝单元410。换言之，有机层320不会通过第一坝单元410溢出到基底100的边缘，并且可以通过第二坝单元420防止有机层320的流过第一坝单元410的部分溢出。
第二坝单元420可以包括第2-1层422、第2-2层424和第2-3层426。尽管图5示出了第二坝单元420包括如上面描述的第2-1层422、第2-2层424和第2-3层426，但是第二坝单元420还可以包括其它层，或者可以仅包括第2-1层422和第2-2层424。第2-1层422可以包括与位于第一区域1A中的通孔层170相同的材料。第2-2层424可以包括与像素限定层180相同的材料。第2-3层426与第2-2层424类似，可以包括与像素限定层180相同的材料，可以是在单独的工艺中形成的有机材料层430'，并且可以是无机层。
第二金属层212可以在第二坝单元420的第2-1层422与第2-2层424之间延伸。在实施例中，第二金属层212的端部可以不设置在第2-1层422与第2-2层424之间。
参照图6，凹槽部分400a'可以填充有有机材料层430'。换言之，第一开口155a'和第二开口152a'可以填充有有机材料层430'。在实施例中，有机材料层430'的上表面430b'可以高于第一金属层152的上表面152b'。在实施例中，有机材料层430'的下表面可以直接接触第一绝缘层110的至少一部分，并且可以直接接触第一开口155a'的内侧表面。在本实施例中，图5或图6示出了有机材料层430'仅位于第二开口152a'中。在实施例中，有机材料层430'可以延伸到第二开口152a'的外围部分；即，有机材料层430'的一部分可以位于第一金属层152上。
在实施例中，第一开口155a'可以具有第一宽度w1，第二开口152a'可以具有第二宽度w2，第一坝单元410可以具有第三宽度w3。在图5和图6中，第一开口155a'和第二开口152a'的内侧表面以及第一坝单元410的内侧表面相对于基底100以一定角度(不是直角)倾斜。换言之，绝缘单元155的包括第一开口155a'的侧表面、第一金属层152的包括第二开口152a'的侧表面和第一坝单元410的侧表面被示出为具有梯形形状。因此，尽管图6示出了相对于第一开口155a'的下部、第二开口152a'的下部和第一坝单元410的下部的宽度，但是“宽度”可以被解释为不限于每个构件的上部或下部的宽度。例如，第一宽度w1可以是第一开口155a'的下部、上部或中部的宽度。
在实施例中，第一开口155a'的第一宽度w1可以窄于第一坝单元410的第三宽度w3。此外，第二开口152a'的第二宽度w2可以窄于第一坝单元410的第三宽度w3。当第一开口155a'的第一宽度w1和第二开口152a'的第二宽度w2中的每个大于第一坝单元410的第三宽度w3时，与根据现有技术的高度相比，第一坝单元410的高度会减小。在实施例中，如上面描述的，由于防止有机层320的溢出(作为第一坝单元410的功能)不容易，所以为了保持第一坝单元410，第一开口155a'和第二开口152a'可以形成为使得第一开口155a'的第一宽度w1和第二开口152a'的第二宽度w2中的每个小于第一坝单元410的第三宽度w3。
在实施例中，第一坝单元410可以覆盖有机材料层430'。如上面描述的，由于第一开口155a'的第一宽度w1和第二开口152a'的第二宽度w2中的每个小于第一坝单元410的第三宽度w3，所以填充凹槽部分400a'的有机材料层430'可以被第一坝单元410完全覆盖。
在根据实施例的显示设备2中，可以设置防裂纹坝，其中，包括第一开口155a'和第二开口152a'的凹槽部分400a'设置在第一坝单元410下面，并且凹槽部分400a'填充有有机材料层430'。防裂纹坝可以阻挡从基底100的边缘传递的外部冲击，使得可以有效地防止由于外部冲击而导致的裂纹传递到显示单元DU。
图7是根据实施例的显示设备3的示意性平面图。
参照图7，显示设备3可以包括设置在显示单元DU(位于第一区域1A中)外部的凹槽部分400a。尽管显示设备3中的凹槽部分400a的横截面的形状可以与图2的显示设备1的横截面的形状或图5的显示设备2的横截面的形状相同，但是显示设备3在平面图中的结构与显示设备1和显示设备2在平面图中的结构不同。
参照图7，在显示设备3中，基底100可以具有矩形形状，因此，位于基底100的中心部分处的显示单元DU也可以具有矩形形状。因此，第二区域2A可以设置成围绕显示单元DU的四个表面。
尽管图7中未示出，但是如上面参照图1所描述的，第一坝单元410和第二坝单元420可以布置在作为显示单元DU的外部的第二区域2A中，凹槽部分400a可以设置在第一坝单元410下面，即，可以设置在第一坝单元410与基底100之间。
在显示设备1和显示设备2中，凹槽部分400a在平面图中可以完全地围绕(或包围)显示单元DU。在显示设备3中，凹槽部分400a可以部分地围绕显示单元DU而不包围显示单元DU。在显示设备1和显示设备2中，显示单元DU的所有四个侧面在平面图中具有凹槽部分400a的相应(且平行)部分。在显示设备3中，显示单元DU的仅三个侧面在平面图中可以具有凹槽部分400a的相应部分。在显示设备3中，扇出部分500可以布置在显示单元DU的侧面不具有凹槽部分400a的相应部分的区域中。因此，可以避免扇出部分500的叠加。
图8是根据实施例的显示设备4的示意性平面图。
参照图8，显示设备4可以包括设置在显示单元DU(位于第一区域1A中)外部的凹槽部分400a(或者包括多个凹槽部分400a的凹槽部分组)。尽管显示设备4中的凹槽部分400a的横截面的形状可以与图2的显示设备1的横截面的形状或图5的显示设备2的横截面的形状相同，但是显示设备4在平面图中的结构与显示设备1和显示设备2在平面图中的结构不同。
参照图8，在显示设备4中，基底100可以具有矩形形状，因此，位于基底100的中心部分处的显示单元DU也可以具有矩形形状。因此，第二区域2A可以设置成围绕显示单元DU的四个表面。
尽管图8中未示出，但是如上面参照图1所描述的，第一坝单元410和第二坝单元420可以布置在位于显示单元DU的外部的第二区域2A中，凹槽部分400a可以设置在第一坝单元410下面，即，可以设置在第一坝单元410与基底100之间。
在显示设备1和显示设备2中，凹槽部分400a在平面图中可以完全地围绕(或包围)显示单元DU。在显示设备4中，凹槽部分400a在平面图中可以部分地围绕显示单元DU而不包围显示单元DU。在显示设备1和显示设备2中，显示单元DU的所有四个侧面在平面图中具有凹槽部分400a的相应(且平行)部分。在显示设备3中，显示单元DU的仅三个侧面在平面图中可以具有凹槽部分400的相应部分。在显示设备4中，扇出部分500可以布置在显示单元DU的侧面不具有凹槽部分400a的相应部分的区域中。因此，可以避免扇出部分500的叠加。
在显示设备4中，凹槽部分400a可以包括通过绝缘单元155的一部分和/或通过第一金属层152的一部分彼此分开的凹槽(或开口)。互连线(未示出)可以连接在凹槽部分400a的分开的凹槽(或开口)之间。互连线可以包括与TFT的源电极160a或漏电极160b相同的材料，或者可以是与例如ELVSS相同的线。因此，可以防止电流降。
从上面的讨论可以理解，根据实施例，可以实现可具有最大显示区域并且可抵抗外部湿气的显示设备。
这里描述的实施例应当以描述性意义来考虑，而不是出于限制的目的。与实施例相关的特征或方面的描述可用于其它实施例。
虽然已经参照附图描述了一个或更多个实施例，但是在不脱离由所附权利要求限定的精神和范围的情况下，可以进行形式和细节上的各种改变。