1.一种大电流高频低饱和压降NPN型功率晶体管，包括N型衬底，其特征在于，还包括：形成于N型衬底背面的背面金属层(12)，用于形成晶体管的集电极；
N型衬底的上方中间形成有P型基区（9）；P型基区（9）的上方连接有基区一级金属层（4）；
P型基区（9）的正面形成有N+型发射区（8），N型衬底正面形成N+型增阻环（13），N+型增阻环（13）与P型基区（9）保持间隔并围绕P型基区（9）设置，N+型发射区（8）的上方连接有发射区一级金属层（3）；
发射区一级金属层（3）和基区一级金属层（4）相互隔离；
衬底的顶部覆盖有绝缘介质层(7)，绝缘介质层（7）上方形成有表面保护阻挡层（6），表面保护阻挡层（6）上方形成有钝化层（5）；
基区二级金属层（2）设置在钝化层（5）上，并通过钝化层（5）的开口与基区一级金属层（4）相连，用于形成晶体管的基极；
发射区二级金属层（1）设置在钝化层（5）上，并通过钝化层（5）的开口与发射区一级金属层（3）相连，用于形成晶体管的发射极；
基区二级金属层（2）和发射区二级金属层（1）相互隔离。
2.如权利要求1所述的大电流高频低饱和压降NPN型功率晶体管，其特征在于：
N+型发射区（8）和N+型增阻环（13）同时形成，其结深和掺杂浓度相同。
3.如权利要求1所述的大电流高频低饱和压降NPN型功率晶体管，其特征在于：
N型衬底包括与背面金属层（12）相接的N+型第一衬底子层（11）和N+型第一衬底子层（11）之上的N-型第二衬底子层（10）。
4.如权利要求3所述的大电流高频低饱和压降NPN型功率晶体管，其特征在于： N-型第二衬底子层（10）与N+型第一衬底子层（11）之间的掺杂浓度是突变。
5.如权利要求1所述的大电流高频低饱和压降NPN型功率晶体管，其特征在于：
P型基区（9）与N-型第二衬底子层（10）之间的PN结为浅结深PN结。
6.如权利要求1所述的大电流高频低饱和压降NPN型功率晶体管，其特征在于：表面保护阻挡层（6）为磷硅玻璃膜。