技术总结
本实用新型提供一种大电流高频低饱和压降NPN型功率晶体管，包括N型衬底，形成于N型衬底背面的背面金属层，用于形成晶体管的集电极；N型衬底的上方中间形成有P型基区；P型基区上方连接有基区一级金属层；P型基区的正面形成有N+型发射区和N+型增阻环，N+型发射区的上方连接有发射区一级金属层；上方衬底的顶部覆盖有绝缘介质层、表面保护阻挡层、钝化层；基区二级金属层并通过钝化层的开口与基区一级金属层相连，用于形成晶体管的基极；发射区二级金属层通过钝化层的开口与发射区一级金属层相连，用于形成晶体管的发射极；本实用新型具有可靠性高，漏电小，电流大，高频，低饱和压降、开关时间速度快等特点。
技术研发人员：龚利汀;龚利贞
受保护的技术使用者：无锡固电半导体股份有限公司
文档号码：201720303610
技术研发日：2017.03.27
技术公布日：2017.10.13