本实用新型涉及半导体器件技术领域，尤其是一种台面型半导体器件。
背景技术：
在以往的台面型(Mesa型)半导体器件中，已知的以下几种形成钝化层及金属层的方法，如刀刮法、电泳法、光阻玻璃法、CVD等，均采用将完成PN结制作的晶片腐蚀出窄槽，在槽璧上涂布或烧结玻璃等单层或者多层绝缘膜形成钝化层，然后在半导体层的表面上制作电极。玻璃属于一种脆性材料，这些方法形成的玻璃厚度大多不均匀，且后续切割成单颗芯片时，玻璃层是脆性材料在切割断面处易产生微裂纹；以往台面型半导体器件的玻璃钝化层位于芯片的最外侧，易受到碰撞等损伤，也会导致产生微裂纹。这些裂纹在使用中会逐渐扩展，从而影响到PN结乃至整个芯片，导致器件寿命降低或很快失效。另外，之后利用电镀法等形成金属层时，易在钝化层上附着金属，因钝化层都较薄，影响PN结的电场分布和器件的耐ESD能力，降低了器件的可靠性。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种高性能、高可靠性、和使用寿命长的台面型半导体器件。
本实用新型解决现有技术问题所采用的技术方案：一种台面型半导体器件，包括N+型半导体衬底；N型半导体层，接合于所述N+型半导体衬底的表面；P+型半导体层，接合于所述N型半导体层的表面，与所述N型半导体层共同形成PN接合部；第一沟槽，从所述P+型半导体层的表面到达所述N型半导体层中；钝化层，填充于所述第一沟槽内；第二沟槽，位于相邻的两个第一沟槽之间；钝化薄膜，设在第二沟槽的表面；金属层，形成在所述P+型半导体层和N+型半导体衬底的表面。
进一步地，所述钝化薄膜延伸到所述第一沟槽的钝化层上。
进一步地，所述钝化层由SiO2、Si3N4、SIPOS、SiC、聚酰亚胺、玻璃中的一种或多种材料固化制作形成。
进一步地，第二沟槽的深度超过第一沟槽的深度，第一沟槽的宽度为350μm-450μm，深度为35μm-45μm。
进一步地，该钝化薄膜为SiO2或者聚酰亚胺薄膜。
采用了上述技术方案，本实用新型具有以下的有益效果：
(1)本实用新型的钝化层均匀且厚，可以很好的阻隔开外界杂质，从而可以获得最佳的钝化性能。
(2)本实用新型可以形成较深的沟槽，即使PN接合部耗尽层增宽时也不会暴露到芯片截断面，从而实现器件的更高耐压。
(3)本实用新型的切断面不含有脆性材质，能够抑制破裂、微裂纹的产生，且切断面与半导体结面距离较远，有效降低了切断面的影响，有效实现了台面型半导体器件的高性能、高可靠性。
附图说明
下面结合附图和实施例对本实用新型作进一步说明。
图1是表示本实用新型台面型半导体器件的剖视图。
图中：1、N+型半导体衬底，2、N型半导体层，3、P+型半导体层，4、PN接合部，5、第一沟槽，6、第二沟槽，7、钝化薄膜，8、金属层，9、掩膜。
具体实施方式
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明。
如图1所示的一种台面型半导体器件，包括N+型半导体衬底1；N型半导体层2，接合于所述N+型半导体衬底1的表面；P+型半导体层3，接合于所述N型半导体层2的表面，与所述N型半导体层2共同形成PN接合部4；第一沟槽5，从所述P+型半导体层3的表面到达所述N型半导体层2中；钝化层，填充于所述第一沟槽5内；第二沟槽6，位于相邻的两个第一沟槽5之间；钝化薄膜7，设在所述第二沟槽6的表面；金属层8，形成在所述P+型半导体层3和N+型半导体衬底1的表面。
具体地，第二沟槽6的深度超过第一沟槽5的深度，第一沟槽5的宽度为350μm-450μm，深度为35μm-45μm。第一沟槽5的宽深比大，底部平坦，填充的钝化层完全填满第一沟槽5。
具体地，该钝化层由SiO2、Si3N4、SIPOS、SiC、聚酰亚胺、玻璃等中的一种或多种材料固化制作形成。
具体地，该钝化薄膜7为SiO2或者聚酰亚胺薄膜。
在上述的实施方式中，以作为台面型半导体器件的PN结二极管为例说明了本实用新型，但本实用新型并不受此限制。例如，本实用新型可适用于除PN结二极管外的二极管(例如：肖特基二极管、触发二极管、PIN二极管等)、晶体管(三极管、MOSFET、IGBT等)、可控硅以及其它半导体器件。钝化层的材质仅需考虑作为半导体钝化作用的要求，而不必考虑后续切割的影响。钝化层均匀且厚，可以很好的阻隔开外界杂质，从而可以获得最佳的钝化性能。此外，最终可以形成较深的沟槽，即使PN接合部耗尽层增宽时也不会暴露到芯片截断面，可以实现器件的更高耐压。器件的切断面不在含有脆性材质，能够抑制破裂、微裂纹的产生，且切断面与半导体结面距离较远，有效降低了切断面的影响，这些措施有效实现了台面型半导体器件的高性能、高可靠性。
以上所述的具体实施例，对本实用新型的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。