技术总结
本实用新型公开了一种台面型半导体器件,包括N+型半导体衬底;N型半导体层,接合于所述N+型半导体衬底的表面;P+型半导体层,接合于所述N型半导体层的表面,与所述N型半导体层共同形成PN接合部;第一沟槽,从所述P+型半导体层的表面到达所述N型半导体层中;钝化层,填充于所述第一沟槽内;第二沟槽,位于相邻的两个第一沟槽之间;钝化薄膜,设在第二沟槽的表面;金属层,形成在所述P+型半导体层和N+型半导体衬底的表面。本实用新型可以很好的阻隔开外界杂质,抑制破裂、微裂纹的产生,从而可以获得更佳的钝化性能,实现高性能、高可靠性。
技术研发人员:庄建军;王岳云
受保护的技术使用者:常州银河世纪微电子股份有限公司
文档号码:201720315111
技术研发日:2017.03.28
技术公布日:2017.10.13