1.一种台面型半导体器件，包括N+型半导体衬底；N型半导体层，接合于所述N+型半导体衬底的表面；P+型半导体层，接合于所述N型半导体层的表面，与所述N型半导体层共同形成PN接合部；第一沟槽，从所述P+型半导体层的表面到达所述N型半导体层中；钝化层，填充于所述第一沟槽内；第二沟槽，位于相邻的两个第一沟槽之间；钝化薄膜，设在所述第二沟槽的表面；金属层，形成在所述P+型半导体层和N+型半导体衬底的表面。
2.根据权利要求1所述的一种台面型半导体器件，其特征在于：所述钝化薄膜延伸到所述第一沟槽的钝化层上。
3.根据权利要求1所述的一种台面型半导体器件，其特征在于：所述钝化层由SiO2、Si3N4、SIPOS、SiC、聚酰亚胺、玻璃中的一种或多种材料固化制作形成。
4.根据权利要求1所述的一种台面型半导体器件，其特征在于：第二沟槽的深度超过第一沟槽的深度。
5.根据权利要求1所述的一种台面型半导体器件，其特征在于：第一沟槽的宽度为350μm-450μm，深度为35μm-45μm。
6.根据权利要求1所述的一种台面型半导体器件，其特征在于：所述钝化薄膜为SiO2或者聚酰亚胺薄膜。