一种新型的异质结太阳电池的制作方法

技术特征：

1.一种新型的异质结太阳电池，包括背电极层、位于背电极层之上的P层、位于P层之上的窗口层，其特征在于，所述窗口层为掺杂了Al的ZnO薄膜；掺杂了Al的ZnO薄膜与P层形成PN结。

2.根据权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述掺杂了Al的ZnO薄膜的厚度范围为：20nm～600nm。

3.根据权利要求1所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述P层为P-Si衬底。

4.根据权利要求3所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述异质结太阳电池还包括I层；所述I层为设置在P-Si衬底与ZnO薄膜之间的一层半导体材料，所述半导体材料的晶格常数和禁带宽度均介于P-Si衬底、ZnO薄膜的晶格常数和禁带宽度之间。

5.根据权利要求4所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述I层为缓冲层或吸收层。

6.根据权利要求4所述的异质结太阳电池，其特征在于，所述I层的制备材料为碲化镉、砷化镓或硫化镉。