EMI防护的芯片封装结构的制作方法

技术特征：

1.一种EMI防护的芯片封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

第一重新布线层，具有相对的第一表面及第二表面；

第一金属凸块，电连接于所述第一重新布线层的第一表面；

第一半导体芯片，电连接于所述第一重新布线层的第二表面，且所述第一半导体芯片的正面与所述第一重新布线层的第二表面相接触；

第一塑封材料层，形成于所述第一半导体芯片的外围；以及

屏蔽保护层，形成于所述第一塑封材料层的外围，且所述屏蔽保护层与所述第一重新布线层共同将所述第一半导体芯片以及所述第一塑封材料层包覆，其中，所述屏蔽保护层包括有机材料层以及位于所述有机材料层内的金属性粒子。

2.根据权利要求1所述的EMI防护的芯片封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括若干个电连接件及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片经由所述电连接件与所述第一重新布线层电连接，且所述第二半导体芯片位于所述屏蔽保护层与所述第一重新布线层围成的空间内并与所述第一半导体芯片相绝缘。

3.根据权利要求2所述的EMI防护的芯片封装结构，其特征在于，所述第二半导体芯片与所述第一半导体芯片上下对应设置，且所述第二半导体芯片通过第二重新布线层以及第二金属凸块与所述电连接件的一端相电连接，所述电连接件的另一端与所述第一重新布线层电连接，以将所述第二半导体芯片电性引出。

4.根据权利要求3所述的EMI防护的芯片封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括一层缓冲层以及一层绝缘层，所述缓冲层位于所述第一半导体芯片远离所述第一重新布线层一侧的表面，并延伸覆盖所述第一半导体芯片周围的所述第一塑封材料层，所述绝缘层位于所述缓冲层与所述第二重新布线层之间。

5.根据权利要求2所述的EMI防护的芯片封装结构，其特征在于，所述第二半导体芯片的外围形成有第二塑封材料层。

6.根据权利要求1所述的EMI防护的芯片封装结构，其特征在于，所述第一半导体芯片的背面形成有一层粘片膜。

7.根据权利要求1所述的EMI防护的芯片封装结构，其特征在于，所述第一半导体芯片的背面形成有一层缓冲层，且所述缓冲层延伸覆盖所述第一半导体芯片周围的所述第一塑封材料层。

8.根据权利要求1所述的EMI防护的芯片封装结构，其特征在于，所述第一重新布线层包括图形化的介质层以及图形化的金属布线层；所述第一金属凸块包括铜柱、位于所述铜柱上表面的金属阻挡层以及位于所述金属阻挡层上的焊料凸点。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的EMI防护的芯片封装结构，其特征在于，所述屏蔽保护层中的所述有机材料层包括环氧树脂；所述屏蔽保护层中的所述金属性粒子包括磁珠；所述第一塑封材料层的材料选自聚酰亚胺、硅胶以及环氧树脂中的任意一种。