具有低色温、高色域的LED封装结构的制作方法

技术特征：

1.具有低色温、高色域的LED封装结构，其特征在于，包括多个内LED芯片、多个与所述内LED芯片晶片波长相异的外LED芯片以及金属基板，所述金属基板具有安装所述内LED芯片以及所述外LED芯片的上端面，所述金属基板的上端面封盖有密封罩，所述密封罩具有朝向所述金属基板上端面的内表面，所述密封罩的内表面形成有内圈区域以及围合在内圈区域外周的外圈区域；多个所述内LED芯片设在所述内圈区域的正下方，多个所述外LED芯片设在所述外圈区域的正下方，所述内圈区域和所述外圈区域分别涂覆荧光粉层；多个所述内LED芯片以及外LED芯片分别与所述金属基板电性连接。

2.如权利要求1所述的具有低色温、高色域的LED封装结构，其特征在于，所述荧光粉层采用激发波长分别为495NM、655NM、650NM、535NM的荧光粉以及不同配比的胶水混合而成。

3.如权利要求2所述的具有低色温、高色域的LED封装结构，其特征在于，所述胶水包括A胶以及B胶，所述荧光粉与所述A胶以及所述B胶的调试配比为495NM:655NM:650NM:535NM:A胶:B胶＝0.02：0.076：0.027：0.427：1.3:1.3。

4.如权利要求1-3任意一项所述的具有低色温、高色域的LED封装结构，其特征在于，所述荧光粉层包括内荧光粉层以及外荧光粉层，所述内荧光粉层涂覆在所述内圈区域，所述外荧光粉层涂覆在所述外圈区域。

5.如权利要求1-3任意一项所述的具有低色温、高色域的LED封装结构，其特征在于，所述内圈区域的晶片波长的范围为452NM-455NM，所述外圈区域的晶片波长的范围为457NM-460NM。

6.如权利要求1-3任意一项所述的具有低色温、高色域的LED封装结构，其特征在于，所述具有低色温、高色域的LED封装结构的色温范围不高于2400K。

7.如权利要求1-3任意一项所述的具有低色温、高色域的LED封装结构，其特征在于，所述内圈区域置于所述密封罩的内表面的中部。

8.如权利要求1-3任意一项所述的具有低色温、高色域的LED封装结构，其特征在于，所述外圈区域的内边缘与所述内圈区域的外边缘对接。

9.如权利要求1-3任意一项所述的具有低色温、高色域的LED封装结构，其特征在于，多个所述内LED芯片与多个所述外LED芯片分别独立与所述金属基板电性连接。

10.如权利要求9所述的具有低色温、高色域的LED封装结构，其特征在于，多个所述内LED芯片形成多个内LED芯片组，多个所述内LED芯片组相互并联且与所述金属基板电性连接；多个所述外LED芯片形成多个外LED芯片组，多个所述外LED芯片组相互并联且与所述金属基板电性连接。