本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种快恢复二极管。
背景技术：
快恢复二极管因具有反向恢复时间短、高温性能好等特点，被广泛用于各类高频电路中，目前的快恢复二极管，其有源区一般为整体肖特基结构或PIN结构。
由于PIN二极管比肖特基二极管具有更高的击穿电压和更高的ESD能力，更适合用于工业电路的应用，虽然PIN二极管具有通态压降小，击穿电压高，雪崩耐量UIS能力好，抗静电放电ESD能力强以及高温漏电小的优点，但由于该器件为双极器件，反向恢复时间长，大部分采用重金属掺杂技术控制少子寿命，造成其通态压降一致性差，均流特性不好，并联使用时需要分档，失效率偏高。
技术实现要素：
本实用新型的目的在于：提供一种快恢复二极管，解决二极管通态压降一致性差、均流特性差的问题。
本实用新型采用的技术方案如下：
一种快恢复二极管，从下到上依次包括第一金属层、N+型衬底层、N-型外延层、P-型掺杂层、第二金属层，所述P-型掺杂层和第二金属层连接处设置有两个U型沟槽，所述两个U型沟槽内表面设置有介质层，所述两个U型沟槽之间从上到下依次设置有P+型杂质层、P型杂质层、P-型杂质电荷积累层。
本方案中，通过设置电荷积累层，使得器件反向恢复时，PP+结形成的雪崩电场被拉低，使得二极管器件的雪崩耐量UIS提高，同时抗静电放电ESD能力增强，P-型杂质电荷积累层会吸收空穴电荷到P型杂质层，进一步起到降低通态压降的作用，提高二极管器件的稳定性。
通过U型沟槽内部设置的介质层能够使第二金属层与P-型掺杂层良好的接触，进而降低U型沟槽与金属层接触产生的漏电流，同时避免U型沟槽边缘产生电流聚集，因此能够获得一个更均匀的电流分布，进而提高二极管器件的可靠性。
进一步的，所述第一金属层和第二金属层分别设置为二极管的阳极和阴极。
优选的，所述P-型掺杂层内设置有局部寿命控制区。
通过设置局部寿命控制区，能够通过注入氢或氦的方式形成相应的局部寿命控制层，使二极管不需要过多的全局复合中心，降低二极管器件漏电现象，提高器件雪崩耐力，同时可以对器件阳极和阴极进行微调，易于提高器件的动态雪崩能力。
进一步的，所述N+型衬底层和P+型杂质层表面设置有镀镍合金层。能够起到散热的作用，还具粘接固定的作用。
进一步的，所述N+型衬底层比N-型外延层离子浓度至少高一个数量级。
进一步的，所述介质层包括内层氧化物薄膜层和外层碳化物薄膜。
综上所述，由于采用了上述技术方案，本实用新型的有益效果是：
1、本实用新型中，通过设置电荷积累区，使得器件反向恢复时，PP+结形成的雪崩电场被拉低，使得二极管器件的雪崩耐量UIS提高，同时抗静电放电ESD能力强，P-型杂质电荷积累层会吸收空穴电荷到P型杂质层，进一步起到降低通态压降的作用，提高二极管器件的稳定性。
2、本实用新型中，通过U型沟槽内部设置的介质层能够使第二金属层与P-型掺杂层良好的接触，进而降低U型沟槽与金属层接触产生的漏电流，同时避免U型沟槽边缘产生电流聚集，能够在获得一个更均匀的电流分布，进而提高二极管器件的可靠性。
3、本实用新型中，通过设置局部寿命控制区，能够通过注入氢或氦的方式形成相应的局部寿命控制层，使二极管不需要过多的全局复合中心，降低二极管器件漏电现象，提高器件雪崩耐力，同时可以对器件阳极和阴极进行微调，易于提高器件的动态雪崩能力。
附图说明
图1是本实用新型结构示意图；
图中标记：1-第一金属层，2-N+型衬底层，3-N-型外延层，4-P-型掺杂层，5-第二金属层，6-P+型杂质层，7-P型杂质层，8-P-型杂质电荷积累层，9-局部寿命控制区，10-U型沟槽，11-氧化物薄膜层，12-碳化物薄膜，13-介质层。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
实施例1
如图1所示，一种快恢复二极管，从下到上依次包括第一金属层1、N+型衬底层2、N-型外延层3、P-型掺杂层4、第二金属层5，所述P-型掺杂层4和第二金属层5连接处设置有两个U型沟槽10，所述两个U型沟槽10内表面设置有介质层13，所述两个U型沟槽10之间从上到下依次设置有P+型杂质层6、P型杂质层7、P-型杂质电荷积累层8。
本方案中，通过设置电荷积累区8，使得器件反向恢复时，PP+结形成的雪崩电场被拉低，使得二极管器件的雪崩耐量UIS提高，同时抗静电放电ESD能力强，P-型杂质电荷积累层8会吸收空穴电荷到P型杂质层7，进一步起到降低通态压降的作用，提高二极管器件的稳定性。
通过U型沟槽10内部设置的介质层13能够使第二金属层5与P-型掺杂层4良好的接触，进而降低U型沟槽13与第二金属层5接触产生的漏电流，同时避免U型沟槽13边缘产生电流聚集，能够在获得一个更均匀的电流分布，进而提高二极管器件的可靠性。
实施例2
在实施例1的基础上，所述第一金属层1和第二金属层5分别设置为二极管的阳极和阴极。
实施例3
在实施例1的基础上，所述P-型掺杂层4内设置有局部寿命控制区9。
通过设置局部寿命控制区9，能够通过注入氢或氦的方式形成相应的局部寿命控制层，使二极管不需要过多的全局复合中心，降低二极管器件漏电现象，提高器件雪崩耐力，同时可以对器件阳极和阴极进行微调，易于提高器件的动态雪崩能力。
实施例4
在实施例1的基础上，所述N+型衬底层2和P+型杂质层6表面设置有镀镍合金层。能够起到散热的作用，还具粘接固定的作用。
实施例5
在实施例1的基础上，所述N+型衬底层2比N-型外延层3离子浓度至少高一个数量级。
实施例6
在实施例1的基础上，所述介质层13包括内层氧化物薄膜层11和外层碳化物薄膜12。其中，氧化物膜层11可以为氧化硅等，氮化物膜层12可以为氮化硅或磷硅玻璃等。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。