用于跨越键合界面传输电荷的结构、系统和方法与流程

技术总结
当界面缺陷被从浅注入扩散到界面的氢钝化时，不含氧化物的低温晶片键合准许电流穿过共价键合界面，而不受陷阱、复合中心和无意的缺陷引起的阻隔屏障的阻碍。包括与钝化界面状态的不含氧化物的低温共价晶片键合的系统和方法用于需要减少界面散射和载流子捕获以及跨越键合界面的有效电荷收集的各种应用中。

技术研发人员：汉斯·凡肯尼尔
受保护的技术使用者：G射线瑞士公司
技术研发日：2017.02.16
技术公布日：2018.10.23