扼流线圈的制作方法

本发明涉及用于电气设备、电子设备等的扼流线圈。

背景技术：

例如，在对负载装置即交流驱动电机进行控制的功率转换装置中，由逆变器的高速开关动作而产生emi(electro-magneticinterference：电磁干扰)的噪声。该噪声由于变成传导噪声并在电源线、接地点流过，因而有可能会传递给其它的电气设备、电子设备等而造成误动作等不良影响。下面，将电气设备、电子设备等简称为电气设备等。

为此，为了降低该噪声而使用噪声滤波器。并且，已知使用扼流线圈来作为噪声滤波器。另外，在扼流线圈和连接器等金属元器件接近并相对的情况下，存在扼流线圈与金属元器件进行磁场耦合、扼流线圈的降噪效果降低这样的问题。

这里，已知如下扼流线圈：在绕卷于圆环芯体的、且分别具有输入侧构件、输入侧折返构件、输出侧构件、输出侧折返构件以及连结构件的一组绕组中，具有将正极侧的输入侧构件和负极侧的输入侧构件互相向外侧弯曲的结构(例如，参照专利文献1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利特开2014－17365号公报

技术实现要素：

发明所要解决的技术问题

然而，在专利文献1中，考虑到扼流线圈与金属元器件之间的位置关系，将正极侧的输入侧构件和负极侧的输入侧构件互相向外侧弯曲的原因不是为了使两者的磁场耦合衰减，而是为了容易地向周边构件进行安装。因此，存在不能使扼流线圈与金属元器件之间的磁场耦合充分衰减的问题。

并且，在专利文献1所记载的扼流线圈中，由于对绕组进行弯曲的次数为一次，因此不能充分取得弯曲了的绕组与金属元器件之间的距离。因此，存在不能使扼流线圈与金属元器件之间的磁场耦合充分衰减的问题。

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于得到一种能使扼流线圈与金属元器件之间的磁场耦合充分衰减从而提高降噪效果的扼流线圈。

解决技术问题所采用的技术方案

本发明所涉及的扼流线圈包括：线圈主体，该线圈主体由沿z轴方向并排配置有上磁轭和下磁轭并沿与z轴方向正交的y轴方向并排配置有第一脚柱和第二脚柱从而形成闭合磁路的磁性体、及绕卷于第一脚柱和第二脚柱中的至少一方的绕组构成；以及连接器连接线，该连接器连接线连接绕组和连接器导体,该扼流线圈中将线圈主体和连接器导体沿与z轴方向以及y轴方向正交的x轴方向平行配置，所述扼流线圈中，连接器连接线具有：沿远离所述线圈主体的y轴方向从绕组的线圈主体的连接器导体侧引出的第一连接线；在第一脚柱或第二脚柱的角部沿远离连接器导体的x轴方向从第一连接线引出的第二连接线；沿朝向下磁轭的z轴方向从第二连接线引出的第三连接线；以及沿朝向连接器导体的x轴方向从第三连接线引出的第四连接线。

发明效果

根据本发明所涉及的扼流线圈，连接器连接线具有：沿远离线圈主体的y轴方向从绕组的线圈主体的连接器导体侧引出的第一连接线；在第一脚柱或第二脚柱的角部沿远离连接器导体的x轴方向从第一连接线引出的第二连接线；沿朝向下磁轭的z轴方向从第二连接线引出的第三连接线；以及沿朝向连接器导体的x轴方向从第三连接线引出的第四连接线。

因此，能使扼流线圈与金属元器件之间的磁场耦合充分衰减从而提高降噪效果。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的扼流线圈的立体图。

图2是提取现有的扼流线圈中的连接器连接线来表示的立体图。

图3是提取本发明的实施方式1所涉及的扼流线圈中的连接器连接线来表示的立体图。

图4是表示现有的扼流线圈中的磁场分布的说明图。

图5是表示本发明的实施方式1所涉及的扼流线圈中的磁场分布的说明图。

图6是表示本发明的实施方式1所涉及的扼流线圈的其它立体图。

图7是表示本发明的实施方式2所涉及的扼流线圈的立体图。

图8是表示本发明的实施方式2所涉及的扼流线圈的等效电路。

图9是表示本发明的实施方式3所涉及的扼流线圈的立体图。

图10是表示本发明的实施方式4所涉及的扼流线圈的立体图。

图11是表示本发明的实施方式5所涉及的扼流线圈的立体图。

图12是表示双模扼流线圈的整体结构图。

图13是表示图12所示的双模扼流线圈的双模芯体部的分解立体图。

图14是表示图12所示的双模扼流线圈的芯体部的立体图。

具体实施方式

以下，利用附图来说明本发明所涉及的扼流线圈的优选实施方式，对于各图中的相同或相当的部分标注相同的标号来说明。

实施方式1﹒

图1是表示本发明的实施方式1所涉及的扼流线圈的立体图。在图1中，扼流线圈100包括：构成磁性体1的上磁轭2、下磁轭3、第一脚柱4及第二脚柱5；分别绕卷于第一脚柱4及第二脚柱5的正极绕组6及负极绕组7；以及分别对正极绕组6及负极绕组7与连接器正极导体8及连接器负极导体9进行电连接的正极连接器连接线10及负极连接器连接线11。

这里，将上磁轭2和下磁轭3沿z轴方向并排配置。并且，将第一脚柱4和第二脚柱5沿y轴方向并排配置。将上磁轭2、下磁轭3、第一脚柱4以及第二脚柱5连接成口字型以形成闭合磁路。并且，线圈主体由磁性体1、正极绕组6以及负极绕组7构成。

并且，将线圈主体、连接器正极导体8以及连接器负极导体9沿x轴方向分开配置。即，从线圈主体来看，将连接器正极导体8和连接器负极导体9沿x轴方向分开配置。并且，连接器正极导体8以及连接器负极导体9例如是电源连接器内的导体。另外，x轴、y轴以及z轴互相正交。

并且，正极绕组6在正极绕组弯曲点12与正极连接器连接线10连接，负极绕组7在负极绕组弯曲点13与负极连接器连接线11连接。并且，正极连接器连接线10在正极连接器连接点14与连接器正极导体8连接，负极连接器连接线11在负极连接器连接点15与连接器负极导体9连接。

正极连接器连接线10具有沿远离线圈主体的y轴方向从正极绕组6的正极绕组弯曲点12引出的第一连接线、沿远离连接器正极导体8的x轴方向从第一脚柱4的角部即正极yx弯曲点16引出的第二连接线、沿朝向下磁轭3的z轴方向从正极xz弯曲点17引出的第三连接线、以及沿朝向连接器正极导体8的x轴方向从第三连接线引出的第四连接线。另外，虽未图示但负极连接器连接线11也同样地进行配置。

以下，对上述结构的扼流线圈100的效果参照图1～5进行说明。图2是提取现有的扼流线圈中的连接器连接线来表示的立体图。图3是提取本发明的实施方式1所涉及的扼流线圈中的连接器连接线来表示的立体图。

另外，在图2中，与图1所示的正极连接器连接线10以及负极连接器连接线11相对应来表示专利文献1的结构。并且，在图3中，表示图1所示的正极连接器连接线10以及负极连接器连接线11。图2以及图3所示的正极连接器连接线10以及负极连接器连接线11中有包含由emi所造成的噪声分量的电流流过。以下，称该电流为噪声电流。

首先，对图2所示的在正极连接器连接线10以及负极连接器连接线11中流过的噪声电流、以及由噪声电流所产生的磁场进行说明。在图2中，在正极连接器连接线10中，从正极绕组弯曲点12沿y轴方向有噪声电流流过，从正极yx弯曲点16沿z轴方向有噪声电流流过，从正极zx弯曲点20沿x轴方向有噪声电流流过，从正极连接器连接点14沿z轴方向有噪声电流流过。

同样地，在负极连接器连接线11中，从负极绕组弯曲点13沿y轴方向有噪声电流流过，从负极yx弯曲点18沿z轴方向有噪声电流流过，从负极zx弯曲点21沿x轴方向有噪声电流流过，从负极连接器连接点15沿z轴方向有噪声电流流过。

此时，因为从正极绕组弯曲点12到正极yx弯曲点16所流过的噪声电流而在xz平面产生磁场。并且，因为从正极yx弯曲点16到正极zx弯曲点20所流过的噪声电流而在xy平面产生磁场。并且，因为从正极zx弯曲点20到正极连接器连接点14所流过的噪声电流而在yz平面产生磁场。并且，因为通过正极连接器连接点14在连接器正极导体8中流过的噪声电流而在xy平面产生磁场。

其中，在相同平面上所产生的磁场为因为从正极yx弯曲点16到正极zx弯曲点20所流过的噪声电流而产生的xy平面的磁场、以及因为通过正极连接器连接点14在连接器正极导体8中流过的噪声电流而产生的xy平面的磁场，两者的磁场相互交链。并且，若磁场相互交链则产生互感。

另外，由于从正极yx弯曲点16到正极zx弯曲点20所流过的噪声电流的方向为-z轴方向，通过正极连接器连接点14在连接器正极导体8中流过的噪声电流的方向为+z轴方向，因而变成互相相反方向的电流，互感变为负。

因此，正极连接器连接线100的电感变成从正极连接器连接线10的自感减去两倍互感而得的值，正极连接器连接线10的电感因互感的影响而降低。若电感降低则噪声电流变大，降噪效果降低。并且，对于负极连接器连接线11，也可以说与正极连接器连接线10是同样的情况。

接着，对图3所示的在正极连接器连接线10以及负极连接器连接线11中流过的噪声电流、以及由噪声电流所产生的磁场进行说明。在图3中，在正极连接器连接线10中，从正极绕组弯曲点12沿y轴方向有噪声电流流过，从正极yx弯曲点16沿x轴方向有噪声电流流过，从正极xz弯曲点17沿z轴方向有噪声电流流过，从正极zx弯曲点20沿x轴方向有噪声电流流过，从正极连接器连接点14沿z轴方向有噪声电流流过。

同样地，在负极连接器连接线11中，从负极绕组弯曲点13沿y轴方向有噪声电流流过，从负极yx弯曲点18沿x轴方向有噪声电流流过，从负极xz弯曲点19沿z轴方向有噪声电流流过，从负极zx弯曲点21沿x轴方向有噪声电流流过，从负极连接器连接点15沿z轴方向有噪声电流流过。

此时，因为从正极绕组弯曲点12到正极yx弯曲点16所流过的噪声电流而在xz平面产生磁场。并且，因为从正极yx弯曲点16到正极xz弯曲点17所流过的噪声电流而在yz平面产生磁场。并且，因为从正极xz弯曲点17到正极zx弯曲点20所流过的噪声电流而在xy平面产生磁场。并且，因为从正极zx弯曲点20到正极连接器连接点14所流过的噪声电流而在yz平面产生磁场。并且，因为通过正极连接器连接点14在连接器正极导体8中流过的噪声电流而在xy平面产生磁场。

其中，在相同平面上所产生的磁场是因为从正极xz弯曲点17到正极zx弯曲点20所流过的噪声电流而产生的xy平面的磁场、以及因为通过正极连接器连接点14在连接器正极导体8中流过的噪声电流而产生的xy平面的磁场，两者的磁场相互交链。并且，若磁场相互交链则产生互感。

另外，因为从正极yx弯曲点16到正极xz弯曲点17所流过的噪声电流而产生的yz平面的磁场、与因为从正极zx弯曲点20到正极连接器连接点14所流过的噪声电流而产生的yz平面的磁场均产生在同一平面，但由于与线圈主体和连接器正极导体8之间的距离无关，因此排除到讨论对象以外。

这里，在图2所示的连接器连接线中，将从正极yx弯曲点16到正极zx弯曲点20为止的正极连接器连接线10、与从正极连接器连接点14到连接器正极导体8为止的正极连接器连接线10之间的距离、即第三连接线的长度用l1来表示。

并且，在图3所示的连接器连接线中，将从正极xz弯曲点17到正极zx弯曲点20为止的正极连接器连接线10、与从正极连接器连接点14到连接器正极导体8为止的正极连接器连接线10之间的距离、即第三连接线的长度用l2来表示。

此时，存在l2＞l1的关系，由于互感与距离成反比，因此图3所示的连接器连接线与图2所示的连接器连接线相比互感会降低。因此，本发明的实施方式1所涉及的扼流线圈100与现有的扼流线圈相比能使连接器连接线的电感变得更大，降噪效果得到提高。

图4是表示现有的扼流线圈中的磁场分布的说明图。并且，图5是表示本发明的实施方式1所涉及的扼流线圈中的磁场分布的说明图。另外，在图4、图5中所表示的截面是图1所示a－b－c－d截面。

在图4以及图5中，无论在哪种情况下均已知越远离磁性体1则磁场强度就变得越小。并且，与图4所示的现有的扼流线圈相比较，在图5所示的本发明的实施方式1所涉及的扼流线圈100中，磁场强度较高的部分仅存在于磁性体1的附近。即，在图5所示的扼流线圈100中，与图4所示的现有的扼流线圈相比较，连接器正极导体8以及连接器负极导体9的磁场强度变低。

即，在本发明的实施方式1所涉及的扼流线圈100中，与现有的扼流线圈相比较，从正极连接器连接线10以及负极连接器连接线11产生的磁场变得难以与连接器正极导体8以及连接器负极导体9进行交链，降噪效果得到提高。

如上所述，根据实施方式1，连接器连接线具有沿远离线圈主体的y轴方向从绕组的线圈主体的连接器导体侧引出的第一连接线、在第一脚柱或第二脚柱的角部沿远离连接器导体的x轴方向从第一连接线引出的第二连接线、沿朝向下磁轭的z轴方向从第二连接线引出的第三连接线以及沿朝向连接器导体的x轴方向从第三连接线引出的第四连接线。

因此，能使扼流线圈与金属元器件之间的磁场耦合充分衰减从而提高降噪效果。

另外，在上述实施方式1中，如图6所示那样，在正极连接器连接线10中，可以将沿远离连接器正极导体8的x轴方向从第一脚柱4的角部即正极yx弯曲点16引出的第二连接线延长到与线圈主体的连接器正极导体8相反侧的端部所设置的正极xz弯曲点17为止，并在该正极xz弯曲点17沿朝向下磁轭3的z轴方向弯曲。

由此，图3所示的连接器连接线中的第三连接线的长度l3与图2所示的l1以及图3所示的l2相比较，成为l3＞l2＞l1的关系，互感进一步减少，降噪效果得到提高。

并且，在上述实施方式1中，正极连接器连接线10以及负极连接器连接线11的布线并不限于上述的结构，若是为了减少相同平面的相互交链的磁场而改变连接器连接线的距离的结构则可以是其它布线。

实施方式2﹒

图7是表示本发明的实施方式2所涉及的扼流线圈的立体图。另外，由于线圈主体的结构与上述的实施方式1相同，因此省略说明。

在图7中，正极绕组6在正极绕组弯曲点12与正极平板连接线28相连接。并且，虽未图示，但负极绕组7在负极绕组弯曲点13与负极平板连接线相连接。并且，正极平板连接线28从正极绕组弯曲点12沿y轴方向引出，在正极yx弯曲点16沿z轴方向弯曲。并且，沿z轴方向弯曲的正极平板连接线28在正极zx弯曲点20与正极平板22进行连接。

另外，虽未图示，但负极平板连接线与正极平板连接线28同样地进行走线，与负极平板23进行连接。这里，正极平板22以及负极平板23均为金属制。并且，正极平板22上连接有连接器正极导体8，负极平板23上连接有连接器负极导体9。

并且，与壳体26相连接的gnd平板25配置于磁性体1的下侧。这里，虽未图示，但壳体26为如对搭载有逆变器等噪声源的电气设备等进行包围那样的金属制的壳体。

并且，将正极平板22和gnd平板25用共模电容器27进行连接。同样，虽未图示，将负极平板23和gnd平板25用共模电容器进行连接。这里，共模电容器27如芯片电容器那样适用小型的电容器。

以下，对上述结构的扼流线圈100的效果参照图7和图8进行说明。图8是表示本发明的实施方式2所涉及的扼流线圈的等价电路。另外，扼流线圈100与共模电容器27并用的情况较多。

在图8中，30表示扼流线圈100的电感，31表示正极布线电感，32表示共模电容器27的电容，33表示共模电容器27的寄生电感，35表示从正极经由共模电容器27的噪声电流，60表示噪声测定装置，37表示经由噪声测定装置60的噪声电流。同样地，51表示负极布线电感，52表示未图示的共模电容器的电容，53表示共模电容器的寄生电感，61表示噪声测定装置，57表示经由噪声测定装置61的噪声电流。并且，36为逆变器等对壳体26进行电压变动的噪声源。

由噪声源36产生的噪声电流以同相位向正极绕组6以及负极绕组7进行传输。并且，噪声电流从正极绕组6流入正极平板连接线28，从负极绕组7流入未图示的负极平板连接线。此时，通过将在正极侧的共模电容器27中进行旁路的噪声电流35、与在负极侧的共模电容器中进行旁路的噪声电流55变大，通过使分别经由测定装置57以及测定装置60的噪声电流37以及噪声电流57变小，从而能提高降噪效果。

这里，为了在共模电容器27进行旁路，需要将图8所示的正极布线电感31、共模电容器27的寄生电感33以及gnd平板的电感39变小。此时，共模电容器27的寄生电感33由于依赖于共模电容器27的元器件特性因而难以降低。

并且，为了在负极侧的共模电容器中进行旁路，需要将图8所示的负极布线电感51、共模电容器的寄生电感53以及gnd平板的电感59变小。此时，共模电容器的寄生电感53由于依赖于共模电容器的元器件特性因而难以降低。

另一方面，使从正极zx弯曲点20到共模电容器27为止的长度变得越短，就能使正极布线电感31变得越小，或使从正极zx弯曲点20到共模电容器27为止的导体变得越宽，就能使正极布线电感31变得越小。

并且，使未图示的从负极zx弯曲点到共模电容器为止的长度变得越短，就能使负极布线电感51变得越小，或使从负极zx弯曲点到共模电容器为止的导体变得越宽，就能使负极布线电感51变得越小。

因此，通过像正极平板22那样设置平板，从而能将在共模电容器27中进行旁路的噪声电流35变大，将经由电源38的噪声电流变小，降噪效果得到提高。另外，对与正极绕组6以及正极平板连接线28重叠的噪声电流进行了说明，但对负极绕组7以及未图示的负极平板连接线也可是同样的情况。

如上所述，根据实施方式2，绕组具有经由正极连接器连接线与连接器正极导体相连接的正极绕组、以及经由负极连接器连接线与连接器负极导体相连接的负极绕组，扼流线圈还包括配置于下磁轭下侧的相同平面上且互相绝缘的分别由金属制成的第一平板、第二平板以及第三平板，将正极连接器连接线以及连接器正极导体连接于第一平板，将负极连接器连接线以及连接器负极导体连接于第二平板，将金属制的壳体连接于第三平板，将第一平板与第三平板用电容器互相连接，并将第二平板与第三平板用电容器互相连接。

因此，能使电容器的寄生电感降低，提高在正极电容器连接线中流过的噪声电流、与在负极连接器连接线中流过的噪声电流互为同向的情况下的降噪效果。

实施方式3﹒

图9是表示本发明的实施方式3所涉及的扼流线圈的立体图。在图9中，该扼流线圈100相对图7所示的扼流线圈100为在正极平板22与负极平板23之间设置了常规模式电容器29的结构。另外，由于其它结构与上述的实施方式2相同，因此省略说明。

以下，对上述结构的扼流线圈100的效果进行说明。在图9中，当在正极绕组6中流过的噪声电流in与在负极绕组7中流过的噪声电流-in互为反向的情况下，为了对噪声电流in进行旁路，在正极平板22与负极平板23之间设置有常规模式电容器29。

此时，从正极zx弯曲点20到常规模式电容器29为止的电感成为阻碍噪声电流in在常规模式电容器29中进行旁路时的主要原因。另外，电感具有与长度成正比、与宽度成反比的特性。

因此，如图9所示那样，通过用像正极平板22那样的宽度较宽的导体对从正极zx弯曲点20到常规模式电容器29之间进行连接，从而电感变小，变得较容易用常规模式电容器29进行旁路。

并且，若用常规模式电容器29对噪声电流in进行旁通，则噪声电流变得不易通过连接器正极导体8以及连接器负极导体9向电源侧泄漏。另外，在本发明的实施方式3所涉及的扼流线圈100中，即使去除共模电容器27也能得到几乎相同的效果。

如上所述，根据实施方式3，绕组具有经由正极连接器连接线与连接器正极导体相连接的正极绕组、以及经由负极连接器连接线与连接器负极导体相连接的负极绕组，扼流线圈还包括配置于下磁轭下侧的相同平面上且互相绝缘的分别由金属制成的第一平板以及第二平板，将正极连接器连接线以及连接器正极导体连接于第一平板，将负极连接器连接线以及连接器负极导体连接于第二平板，将第一平板和第二平板用电容器进行互相连接。

因此，能使电容器的寄生电感降低，提高在正极连接器连接线中流过的噪声电流、与在负极连接器连接线中流过的噪声电流互为反向的情况下的降噪效果。

实施方式4﹒

图10是表示本发明的实施方式4所涉及的扼流线圈的立体图。在图10中，该扼流线圈100是相对图9所示的扼流线圈100而言改变了正极平板22、负极平板23以及gnd平板25的形状而得的结构。另外，由于其它结构与上述的实施方式3相同，因此省略说明。

此处，gnd平板25具有凸形状以覆盖构成磁性体1的下磁轭3的底面。具体而言，gnd平板25具有使y方向长度大于下磁轭3的y方向长度、仅使下磁轭3的底面部分沿-x方向变成凸形的形状。并且，对正极平板22以及负极平板23、和gnd平板25进行配置，以使得gnd平板25的连接器正极导体8以及连接器负极导体9侧的边隔着微小切口而相接。

以下，对上述结构的扼流线圈100的效果进行说明。在图10中，通过设gnd平板25为凸形状，从而能使gnd平板25的面积变大，使gnd平板25与壳体26的接触面积变大。由此，能使gnd平板25的阻抗变小。因此，能经由正极平板连接线28以及负极平板连接线、共模电容器27、gnd平板25，使到达壳体26的阻抗变小。

因而，能从正极平板连接线28以及负极平板连接线经由共模电容器27和gnd平板25，将成为在连接器正极导体8与连接器负极导体9发生交链的磁场耦合的源头的噪声电流旁路至壳体26，从而提高降噪效果。

如上所述，根据实施方式4，第三平板具有覆盖下磁轭的底面的形状。具体而言，第三平板的y轴方向长度比下磁轭的y轴方向长度要长。并且，对第一平板以及第二平板和第三平板进行配置，以使第三平板的连接器正极导体以及连接器负极导体侧的边隔着切口而相接。

因此，能提高降噪效果。

实施方式5﹒

图11是表示本发明的实施方式5所涉及的扼流线圈的立体图。另外，由于线圈主体的结构与上述的实施方式1相同，因此省略说明。在图11中，正极绕组6在正极绕组弯曲点12与正极平板连接线28相连接。并且，负极绕组7在负极绕组弯曲点13与负极平板连接线相连接。

并且，正极平板连接线28沿-z方向被引出，连接至正极平板22的、离gnd平板25最近一侧的边201的边上。另外，正极平板连接线28可以沿-z方向被弯曲地连接而无需被线性地引出。

并且，负极平板连接线与正极平板连接线28同样，沿-z方向被引出，连接至负极平板23的、离gnd平板25最近一侧的边202的边上。这里，正极平板22以及负极平板23均为金属制。并且，正极平板22上连接有连接器正极导体8，负极平板23上连接有连接器负极导体9。

并且，与壳体26相连接的gnd平板25配置于磁性体1的下侧。这里，虽未图示，但壳体26是如对搭载有逆变器等噪声源的电气设备等进行包围那样的金属制的壳体。

并且，将正极平板22和gnd平板25用共模电容器27进行连接。同样地，虽未图示，将负极平板23和gnd平板25用共模电容器进行连接。这里，共模电容器27如芯片电容器那样适用小型的电容器。

并且，在正极的平板22与负极的平板23之间设置有常规模式电容器29。常规模式电容器29的电极与正极平板22的、离gnd平板25最近一侧的边201、以及与负极平板23的、离gnd平板25最近一侧的边202相连接。

以下，对上述结构的扼流线圈100的效果进行说明。在图11中，通过将正极平板连接线28连接到正极平板22的边201，从而正极平板22上的与正极平板连接线28的连接点和共模电容器27之间的距离变短，图8所示的正极布线电感31变小。

因此，相对于由逆变器等开关产生的噪声源36的电压变动而造成的噪声电流，通过将在共模电容器27中进行旁路的噪声电流35变大，并将经由电源38的噪声电流37变小，从而能提高降噪效果。

并且，在图11中，通过将负极平板连接线连接到负极平板23的边202，从而负极平板23上的与负极平板连接线的连接点和共模电容器27之间的距离变短，能提高降噪效果。

并且，在图11中，通过将正极平板连接线28连接到正极平板22的边201，从而正极平板22上的与正极平板连接线28的连接点和常规模式电容器29之间的距离变短，能提高降噪效果。

并且，在图11中，通过将负极平板连接线连接到负极平板23的边202，从而负极平板23上的与负极平板连接线的连接点和常规模式电容器29之间的距离变短，能提高降噪效果。

如上所述，根据实施方式5，绕组具有经由正极连接器连接线与连接器正极导体相连接的正极绕组、以及经由负极连接器连接线与连接器负极导体相连接的负极绕组，扼流线圈还包括配置于下磁轭下侧的相同平面上且互相绝缘的分别由金属制成的第一平板以及第二平板，将正极连接器连接线连接于第一平板上的、与第二平板经绝缘而相接的最近位置，将负极连接器连接线连接于第二平板上的、与第一平板经绝缘而相接的最近位置。并且，绕组具有经由正极连接器连接线与连接器正极导体相连接的正极绕组、以及经由负极连接器连接线与连接器负极导体相连接的负极绕组，扼流线圈还包括配置于下磁轭下侧的相同平面上且互相绝缘的分别由金属制成的第一平板、第二平板以及第三平板，将正极连接器连接线连接于第一平板上的、与第三平板经绝缘而相接的最近位置，将负极连接器连接线连接于第二平板上的、与第三平板经绝缘而相接的最近位置。

因此，能提高降噪效果。

另外，在上述实施方式1～5中，对磁性体1作为由上磁轭2、下磁轭3、第一脚柱4以及第二脚柱5构成的口字型的闭合磁路进行了说明，但并不限于此，只要为闭合磁路的磁性体即可，也可以不是口字型。

并且，在上述实施方式1～5中，作为绕卷于磁性体1的绕组，举出了正极绕组6以及负极绕组7这两种来进行了说明，但并不限于此，绕组可以为一种，还可以为三种以上。

并且，在上述实施方式1～5中，磁性体1以及绕组还可适用于双模扼流线圈。图12是表示双模扼流线圈的整体结构图。在图12中，双模扼流线圈101由双模芯体部102和线圈部103构成。

图13为表示双模扼流线圈的双模芯体部的分解立体图。在图13中，双模芯体部102由下部芯体104、第一上部芯体106a以及第二上部芯体106b构成。

下部芯体104由将第一柱状体105a以及第二柱状体105b、与相对上述所形成的轴平行地进行配置的第三柱状体105c以及第四柱状体105d设置于平板上而得到的磁性体构成。

并且，第一上部芯体106a由与第一柱状体105a以及第二柱状体105b的上部相接触的平板状的磁性体构成。并且，第二上部芯体106b由与第一上部芯体106a隔着间隙进行配置并与第三柱状体105c以及第四柱状体105d的上部相接触的平板状的磁性体构成。

图14为表示双模扼流线圈的线圈部的立体图。在图14中，线圈部103由第一线圈103a和第二线圈103b构成。

第一线圈103a分别在第一柱状体105a以及第三柱状体105c中以产生的磁通方向互相相反的方式进行绕卷，并由串联连接的两个线圈导体构成。

并且，第二线圈103b分别在第二柱状体105b以及第四柱状体105d中以产生的磁通方向互相相反的方式进行绕卷，并由串联连接的两个线圈导体构成。并且，对第二线圈103b进行配置，以使得由绕卷于第一柱状体105a的线圈导体所产生的磁通方向与由绕卷于第二柱状体105b的线圈导体所产生的磁通方向变为相同。

标号说明

1磁性体

2上磁轭

3下磁轭

4第一脚柱

5第二脚柱

6正极绕组

7负极绕组

8连接器正极导体

9连接器负极导体

10正极连接器连接线

11负极连接器连接线

12正极绕组弯曲点

13负极绕组弯曲点

14正极连接器连接点

15负极连接器连接点

16正极yx拐点

17正极xz拐点

18负极yx拐点

19负极xz拐点

20正极zx拐点

21负极zx拐点

22正极平板

23负极平板

25gnd平板

26壳体

27共模电容器

28正极平板连接线

29常规模式电容器

30扼流线圈的电感

31正极布线电感

32共模电容器的电容

33共模电容器的寄生电感

34逆变器等噪声源

35经由共模电容器的噪声电流

36逆变器等噪声源

37经由电源的噪声电流

38电源

39gnd平板的电感

100扼流线圈

101双模扼流线圈

102双模芯体部

103线圈部

103a第一线圈

103b第二线圈

104下部芯体

105a第一柱状体

105b第二柱状体

105c第三柱状体

105d第四柱状体

106a第一上部芯体

106b第二上部芯体

201与gnd平板最近的正极平板的边

202与gnd平板最近的负极平板的边