一种电容及其制作方法、半导体设备与流程

技术特征：

技术总结
本发明提供一种电容、制作方法及半导体设备。该电容包括上电极、下电极和电介质层，所述电介质层设置于所述上电极和所述下电极之间，所述上电极和所述下电极均包括一层相同的金属层。该电容结构简单，简化了制作流程，而且具有较好的电极特性。

技术研发人员：杨玉杰;丁培军;夏威;郑金果;王宽冒;杨敬山;蒋秉轩;谢谦
受保护的技术使用者：北京北方华创微电子装备有限公司
技术研发日：2018.01.17
技术公布日：2018.07.13