本发明涉及使用处理液来对基板进行液处理的基板液处理装置。
背景技术：
在半导体装置的制造工序中包括氮化硅膜蚀刻工序，在该氮化硅膜蚀刻工序中，半导体晶圆等基板浸渍于贮存在处理槽的磷酸水溶液中，对在基板的表面形成的氮化硅膜进行湿蚀刻。
这样的湿蚀刻所使用的液处理装置具有：内槽，其贮存处理液(磷酸水溶液)；外槽，其接受从内槽溢流出来的处理液；以及循环管线和循环泵，其以使从外槽排出来的处理液返回内槽的方式使该处理液循环。
处于内槽内的磷酸水溶液被维持在沸腾状态。因此，由于沸腾而产生的气泡每次到达液面，都产生磷酸水溶液的飞沫，向内槽的周围飞散。若该飞沫向外槽的外侧飞散，则处理槽的周围的环境有可能被污染。
在专利文献1中记载有如下内容：为了防止磷酸水溶液的飞沫向处理槽的周围飞散，设置有仅在基板的输入和输出时打开的自动罩。然而，利用该自动罩无法充分地防止磷酸水溶液的飞沫向处理槽的周围飞散。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开平9-181041号公报
技术实现要素：
发明要解决的问题
本发明的目的在于提供一种具有能够防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域的结构的基板液处理装置。
用于解决问题的方案
根据本发明的一实施方式，提供一种基板液处理装置，该基板液处理装置具备：内槽，其能够贮存处理液，该内槽具有上部开口；外槽，其设置于所述内槽的外侧；以及盖体，其能够在封闭所述内槽的上部开口的封闭位置与使所述内槽的上部开口开放的开放位置之间移动，所述盖体具有：主体部，其在所述盖体位于封闭位置时覆盖所述内槽的上部开口；以及飞沫遮蔽部，其连接到所述主体部，在所述盖体位于封闭位置时，所述飞沫遮蔽部从比与该飞沫遮蔽部相邻的所述内槽的侧壁的上端高的高度位置延伸至比该侧壁靠所述外槽那一侧且比该侧壁的上端低的位置。
发明的效果
根据上述本发明的实施方式，能够防止从内槽内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽的外侧的意料之外的区域。
附图说明
图1是表示基板液处理系统的整体结构的概略俯视图。
图2是表示装入到基板液处理系统的蚀刻装置的结构的系统图。
图3是处理槽的概略横断方向纵剖视图，是表示盖体位于封闭位置的状态的图。
图4是处理槽的概略横断方向纵剖视图，是表示盖体位于开放位置的状态的图。
图5是处理槽的概略长度方向纵剖视图。
图6是处理槽的概略俯视图。
图7是表示盖体的变形实施方式的概略横断方向纵剖视图。
图8是表示盖体的另一变形实施方式的概略横断方向纵剖视图。
图9是表示处理槽的变形实施方式的概略立体图。
图10是表示适合于图9所示的处理槽的盖体的概略图。
图11是表示适合于图9所示的处理槽的盖体的概略图。
图12是表示处理槽的其他变形实施方式的概略横断方向纵剖视图。
图13是表示盖体的其他变形实施方式的概略横断方向纵剖视图。
图14是表示处理槽的其他变形实施方式的概略俯视图。
图15是具有其他实施方式的盖体的处理槽的上部的横断方向纵剖视图。
图16是图15所示的盖体的立体图(包含局部放大剖视图)。
图17是表示基板升降机构的其他实施方式的立体图。
附图标记说明
34a、内槽；34b、外槽；71、72、盖体；71a、72a、主体部；71b、71d、72b、72d、飞沫遮蔽部；71b、72b、第1边部；71d、72d、第2边部；71e、72e、斜边部；71j、72j、壁体；71r、72r、凹部；74、基板按压部；h、高度；g、间隙。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。首先，对装入有本发明的一实施方式的基板液处理装置1的基板液处理系统1a整体进行说明。
如图1所示，基板液处理系统1a具有承载件输入输出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6、以及控制部7。
其中的承载件输入输出部2进行以水平姿势上下排列地收容有多张(例如25张)基板(硅晶圆)8的承载件9的输入和输出。
在该承载件输入输出部2设置有：承载件平台10，其载置多个承载件9；承载件输送机构11，其进行承载件9的输送；承载件存放部12、13，其暂时保管承载件9；以及承载件载置台14，其载置承载件9。在此，承载件存放部12在利用批次处理部6对成为产品的基板8进行处理之前暂时保管该基板8。另外，承载件存放部13在利用批次处理部6对成为产品的基板8进行了处理之后暂时保管该基板8。
并且，承载件输入输出部2使用承载件输送机构11将从外部输入到承载件平台10的承载件9向承载件存放部12、承载件载置台14输送。另外，承载件输入输出部2使用承载件输送机构11将载置到承载件载置台14的承载件9向承载件存放部13、承载件平台10输送。输送到承载件平台10的承载件9被向外部输出。
批次形成部3将收容到1个或多个承载件9的基板8组合而形成由要同时被处理的多张(例如50张)基板8构成的批次。此外，在形成批次时，也可以，以使在基板8的表面形成有图案的面彼此相对的方式形成批次，另外，也可以，以在基板8的表面形成有图案的面全部朝向一方的方式形成批次。
在该批次形成部3设置有输送多张基板8的基板输送机构15。此外，基板输送机构15能够在基板8的输送中途使基板8的姿势从水平姿势变更成垂直姿势和从垂直姿势变更成水平姿势。
并且，批次形成部3使用基板输送机构15从载置到承载件载置台14的承载件9将基板8向批次载置部4输送，将形成批次的基板8载置于批次载置部4。另外，批次形成部3利用基板输送机构15将载置到批次载置部4的批次向载置到承载件载置台14的承载件9输送。此外，基板输送机构15具有支承处理前(由批次输送部5输送前)的基板8的处理前基板支承部以及支承处理后(由批次输送部5输送了之后)的基板8的处理后基板支承部这两种作为用于支承多张基板8的基板支承部。由此，防止附着到处理前的基板8等的微粒等向处理后的基板8等转移。
批次载置部4将由批次输送部5在批次形成部3与批次处理部6之间输送的批次暂时载置(待机)于批次载置台16。
在该批次载置部4设置有载置处理前(由批次输送部5输送前)的批次的输入侧批次载置台17以及载置处理后(由批次输送部5输送了之后)的批次的输出侧批次载置台18。1批次量的多张基板8以垂直姿势沿着前后排列地载置于输入侧批次载置台17和输出侧批次载置台18。
并且，在批次载置部4中，在批次形成部3形成的批次载置于输入侧批次载置台17，该批次经由批次输送部5向批次处理部6输入。另外，在批次载置部4中，从批次处理部6经由批次输送部5输出来的批次载置于输出侧批次载置台18，该批次被向批次形成部3输送。
批次输送部5在批次载置部4与批次处理部6之间、批次处理部6的内部间进行批次的输送。
在该批次输送部5设置有进行批次的输送的批次输送机构19。批次输送机构19包括：轨道20，其沿着批次载置部4和批次处理部6配置；以及移动体21，其一边保持多张基板8一边沿着轨道20移动。保持以垂直姿势前后排列的多张基板8的基板保持体22进退自由地设置于移动体21。
并且，批次输送部5利用批次输送机构19的基板保持体22接收被载置到输入侧批次载置台17的批次，将该批次向批次处理部6交接。另外，批次输送部5利用批次输送机构19的基板保持体22接收由批次处理部6处理后的批次，将该批次向输出侧批次载置台18交接。而且，批次输送部5使用批次输送机构19而在批次处理部6的内部进行批次的输送。
批次处理部6将以垂直姿势前后排列的多张基板8作为1批次进行蚀刻、清洗、干燥等处理。
在该批次处理部6排列设置有：干燥处理装置23，其进行基板8的干燥处理；基板保持体清洗处理装置24，其进行基板保持体22的清洗处理；清洗处理装置25，其进行基板8的清洗处理；以及两台本发明的蚀刻处理装置(基板液处理装置)1，其进行基板8的蚀刻处理。
干燥处理装置23具有处理槽27和升降自由地设置于处理槽27的基板升降机构28。干燥用的处理气体(ipa(异丙醇)等)被向处理槽27供给。1批次量的多张基板8以垂直姿势前后排列而保持于基板升降机构28。干燥处理装置23利用基板升降机构28从批次输送机构19的基板保持体22接收批次，利用基板升降机构28使该批次升降，从而利用供给到处理槽27的干燥用的处理气体进行基板8的干燥处理。另外，干燥处理装置23从基板升降机构28向批次输送机构19的基板保持体22交接批次。
基板保持体清洗处理装置24具有处理槽29，能够向该处理槽29供给清洗用的处理液和干燥气体，在向批次输送机构19的基板保持体22供给了清洗用的处理液之后供给干燥气体，从而进行基板保持体22的清洗处理。
清洗处理装置25具有清洗用的处理槽30和冲洗用的处理槽31，在各处理槽30、31升降自由地设置有基板升降机构32、33。清洗用的处理液(sc-1等)被贮存于清洗用的处理槽30。冲洗用的处理液(纯水等)被贮存于冲洗用的处理槽31。
蚀刻处理装置1具有蚀刻用的处理槽34和冲洗用的处理槽35，基板升降机构36、37升降自由设置于各处理槽34、35。蚀刻用的处理液(磷酸水溶液)贮存于蚀刻用的处理槽34。冲洗用的处理液(纯水等)贮存于冲洗用的处理槽35。如上述那样，蚀刻处理装置1成为本发明的基板液处理装置。
这些清洗处理装置25和蚀刻处理装置1成为同样的结构。对蚀刻处理装置(基板液处理装置)1进行说明，1批次量的多张基板8以垂直姿势前后排列而保持于基板升降机构36。在蚀刻处理装置1中，利用基板升降机构36从批次输送机构19的基板保持体22接收批次，利用基板升降机构36使该批次升降，从而使批次浸渍于处理槽34的蚀刻用的处理液而进行基板8的蚀刻处理。之后，蚀刻处理装置1从基板升降机构36向批次输送机构19的基板保持体22交接批次。另外，利用基板升降机构37从批次输送机构19的基板保持体22接收批次，利用基板升降机构37使该批次升降，从而使批次浸渍于处理槽35的冲洗用的处理液而进行基板8的冲洗处理。之后，从基板升降机构37向批次输送机构19的基板保持体22交接批次。
控制部7对基板液处理系统1a的各部(承载件输入输出部2、批次形成部3、批次载置部4、批次输送部5、批次处理部6、蚀刻处理装置1)的动作进行控制。
该控制部7由例如计算机构成，具备计算机可读取的存储介质38。对在基板液处理装置1中所执行的各种处理进行控制的程序储存在存储介质38。控制部7通过将存储到存储介质38的程序读出而执行，来对基板液处理装置1的动作进行控制。此外，程序既可以是存储到由计算机可读取的存储介质38的程序，也可以是从其他存储介质安装到控制部7的存储介质38的程序。作为由计算机可读取的存储介质38，存在例如硬盘(hd)、软盘(fd)、光盘(cd)、磁光盘(mo)、存储卡等。
如上述那样，在蚀刻处理装置1的处理槽34中，将预定浓度的药剂(磷酸)的水溶液(磷酸水溶液)用作处理液(蚀刻液)而对基板8实施液处理(蚀刻处理)。
接着，参照图2对蚀刻处理装置(基板液处理装置)1的概略结构和配管系统进行说明。
蚀刻处理装置1具有贮存预定浓度的磷酸水溶液作为处理液的前述的处理槽34。处理槽34具有内槽34a和外槽34b。从内槽34a溢流出来的磷酸水溶液流入外槽34b。外槽34b的液位维持得比内槽34a的液位低。
在外槽34b的底部连接有循环管线50的上游端。循环管线50的下游端与设置于内槽34a内的处理液供给喷嘴49连接。在循环管线50上从上游侧起依次夹设有泵51、加热器52以及过滤器53。通过使泵51驱动，形成从外槽34b经由循环管线50和处理液供给喷嘴49向内槽34a内输送、之后再次从内槽34a向外槽34b流出的、磷酸水溶液的循环流。
由处理槽34、循环管线50和循环管线50内的设备(51、52、53等)形成液处理部39。另外，由处理槽34和循环管线50构成循环系统。
在内槽34a内的处理液供给喷嘴49的下方，在处于内槽34a内的磷酸水溶液中设置有用于喷出非活性气体例如氮气的气泡的(用于进行发泡的)气体喷嘴60。非活性气体例如氮气从气体供给源60b经由由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成的流量调节器60c向气体喷嘴60供给。
在处理槽34附设有前述的基板升降机构36。基板升降机构36能够以将多个基板8以垂直地立起的姿势沿着水平方向隔开间隔地排列起来的状态保持多个基板8，另外，能够以该状态进行升降。
蚀刻处理装置1具有：磷酸水溶液供给部40，其向液处理部39供给磷酸水溶液；纯水供给部41，其向液处理部39供给纯水；硅供给部42，其向液处理部39供给硅溶液；以及磷酸水溶液排出部43，其将磷酸水溶液从液处理部39排出。
磷酸水溶液供给部40向由处理槽34和循环管线50构成的循环系统内、即液处理部39内的任一个部位、优选如图示那样向外槽34b供给预定浓度的磷酸水溶液。磷酸水溶液供给部40具有：磷酸水溶液供给源40a，其由贮存磷酸水溶液的罐构成；磷酸水溶液供给管线40b，其将磷酸水溶液供给源40a和外槽34b连接；以及在磷酸水溶液供给管线40b上从上游侧起依次夹设的流量计40c、流量控制阀40d以及开闭阀40e。磷酸水溶液供给部40能够经由流量计40c和流量控制阀40d以控制好的流量将磷酸水溶液向外槽34b供给。
纯水供给部41为了对由于对磷酸水溶液进行加热而蒸发的水分进行补充而供给纯水。该纯水供给部41包括供给预定温度的纯水的纯水供给源41a，该纯水供给源41a经由流量调节器41b与外槽34b连接。流量调节器41b能够由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
硅供给部42具有：硅供给源42a，其由贮存硅溶液例如使胶体硅分散而成的液体的罐构成；以及流量调节器42b。流量调节器42b能够由开闭阀、流量控制阀、流量计等构成。
磷酸水溶液排出部43是为了将处于由液处理部39和循环管线50构成的循环系统内、即液处理部39内的磷酸水溶液排出而设置的。磷酸水溶液排出部43具有：排出管线43a，其从循环管线50分支；流量计43b、流量控制阀43c、开闭阀43d以及冷却罐43e，其从上游侧起依次设置于排出管线43a。磷酸水溶液排出部43能够经由流量计43b和流量控制阀43c以控制好的流量排出磷酸水溶液。
冷却罐43e暂时贮存在排出管线43a中流动来的磷酸水溶液，并且进行冷却。从冷却罐43e流出来的磷酸水溶液(参照附图标记43f)既可以向工厂废液系统(未图示)废弃，也可以利用再生装置(未图示)去除了该磷酸水溶液中所含有的硅之后，向磷酸水溶液供给源40a输送并再利用。
在图示例子中，排出管线43a与循环管线50(图中是过滤器排放的位置)连接，但并不限定于此，也可以与循环系统内的其他部位、例如内槽34a的底部连接。
在排出管线43a设置有对磷酸水溶液中的硅浓度进行测定的硅浓度计43g。另外，在从循环管线50分支而连接到外槽34b的分支管线55a夹设有对磷酸水溶液中的磷酸浓度进行测定的磷酸浓度计55b。在外槽34b设置有对外槽34b内的液位进行检测的液位计44。
接着，参照图3～图6详细地说明处理槽34的结构。出于方便说明，设定xyz正交坐标系，根据需要加以参照。此外，也有时将图5的左侧(x负方向)称为“前侧”或“前方”、将图5的右侧(x正方向)称为“后侧”或“后方”、将图5的下侧(y负方向)称为“右侧”或“右方”、将图5的上侧(y正方向)称为“左侧”或“左方”。
如前所述，处理槽34具有使上部开放的内槽34a和使上部开放的外槽34b。内槽34a收容于外槽34b的内部。因而，在液处理被执行着的期间内，内槽34a的包括底部在内的大部分浸渍于外槽34b内的磷酸水溶液中。从内槽34a溢流出来的磷酸水溶液流入外槽34b。
处理槽34(外槽34b)收容于液体承接容器(水槽)80的内部，在外槽34b与液体承接容器80之间形成有排放空间81。在排放空间81的底部连接有排放管线82。
处理液供给喷嘴49由在内槽34a内沿着x方向(水平方向)延伸的筒状体构成。处理液供给喷嘴49从穿设于其周面的多个喷出口49a(参照图3、图5)朝向被保持于基板升降机构36的基板8喷出处理液。图中设置有两根处理液供给喷嘴49，也可以设置3根以上的处理液供给喷嘴49。
气体喷嘴60由在内槽34a内的比处理液供给喷嘴49低的高度位置沿着x方向(水平方向)延伸的筒状体构成。气体喷嘴60从穿设于其周面的多个喷出口60a(参照图3、图5)喷出非活性气体(例如氮气)的气泡。能够利用非活性气体的发泡使内槽34a内的磷酸水溶液的沸腾状态稳定化。
内槽34a的上部开口能够由盖装置70封闭。盖装置70具有1个以上的盖体、优选两个以上的盖体。在图示例子中，盖装置70具有两个盖体、即第1盖体71和第2盖体72。第1盖体71和第2盖体72如以图3中的箭头sw所示那样能够以沿着水平方向(x方向)延伸的各自的旋转轴线为中心在使内槽34a的上部开口封闭的封闭位置(图3所示的位置)与使内槽34a的上部开口开放的开放位置(图4所示的位置)之间旋转(回转)。
第1盖体71和第2盖体72除了在进行由基板升降机构36保持着的基板8相对于内槽34a的输入/输出之时以外通常位于封闭位置，防止处于内槽34a内的磷酸水溶液的温度降低，并且，抑制从沸腾的磷酸水溶液产生的水蒸气向处理槽34的外部溢出。
在第1盖体71的左端部和第2盖体72的右端部安装有沿着水平方向(x方向)延伸的旋转轴711、721(参照图5、图6)。旋转轴711、721与固定到液体承接容器80的轴承83和旋转致动器84(参照图5、图6)连结。通过使旋转致动器84动作，来进行第1盖体71和第2盖体72的开闭。
第1盖体71具有主体部71a、飞沫遮蔽部71b、引导部71c、以及前后两个飞沫遮蔽部71d。第2盖体72具有主体部72a、飞沫遮蔽部72b、引导部72c、以及前后两个飞沫遮蔽部72d。
主体部71a、72a都由大致矩形的板状体构成。在第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置时，主体部71a、72a位于比处于内槽34a内的磷酸水溶液的液面高的高度位置，覆盖内槽34a的上部开口。
在第1盖体71位于封闭位置时，第1盖体71的飞沫遮蔽部71b从主体部71a的长边(是沿着x方向延伸的边且远离第2盖体72的一侧的边)向下方(在本例中，向z负方向)延伸。换言之，飞沫遮蔽部71b从与主体部71a连接的连接部71b1(参照图3)向下方延伸，在位于比内槽34a的上端低的位置的下端71b2(参照图3)终端，该连接部71b1位于比位于接近该飞沫遮蔽部71b的位置的内槽34a的左侧的侧壁34a1的上端高的位置。
此外，除了随后详细论述的图9的变形实施方式之外，内槽34a的前后左右的4个侧壁34a1、34a2、34a3、34a4的上端处于相同的高度，磷酸水溶液从内槽34a向外槽34b溢流时的内槽34a内的磷酸水溶液的液面高度与侧壁34a1、34a2、34a3、34a4的上端的高度大致同等(实际上稍高)。
飞沫遮蔽部71b防止从内槽34a内的处于沸腾状态的磷酸水溶液的液面飞散的飞沫经由第1盖体71与内槽34a的侧壁的上端之间的间隙向比外槽34b靠外侧的位置飞散。飞沫遮蔽部71b的下端71b2位于内槽34a与外槽34b之间，因此，碰撞到飞沫遮蔽部71b的磷酸水溶液的飞沫沿着飞沫遮蔽部71b的表面流下，向处于外槽34b内的磷酸水溶液中落下。
第1盖体71的两个飞沫遮蔽部71d从第1盖体71的前侧和后侧的短边(沿着y方向延伸的边)向下方(在本例中，向z方向负方向)延伸。各飞沫遮蔽部71d从与主体部71a连接的连接部71d1(参照图5)向下方延伸，在位于比内槽34a的上端低的位置的下端71d2(参照图5)终端，该连接部71d1位于比内槽34a的上端(内槽34a的前侧(后侧)的侧壁的上端)高的位置。飞沫遮蔽部71d具有与飞沫遮部71b同样的功能。
第1盖体71的主体部71a防止在第1盖体71位于开放位置时(参照图4)从内槽34a内的处于沸腾状态的磷酸水溶液的液面飞散的飞沫向比外槽34b靠外侧的位置飞散。此外，在图4和图5中，没有记载处于处理槽34内的磷酸水溶液。
在第1盖体71与内槽34a的左侧和右侧的侧壁34a1、34a2的上端之间设置有间隙，以使在第1盖体71位于封闭位置时磷酸水溶液从内槽34a向外槽34b的溢流(在图3和图5中以箭头of表示)没有阻碍。
此外，虽未图示，但在内槽34a的4个侧壁34a1、34a2、34a3、34a4的上端隔开间隔地形成有多个v字形的缺口，以使溢流顺利地进行。
第1盖体71的引导部71c将在第1盖体71位于封闭位置时附着到主体部71a的上表面的液体(例如、润湿的基板在处理槽34的上方经过时从该基板落下来的液体)在第1盖体71位于开放位置时向外槽34b与液体承接容器80之间的排放空间81引导，防止该液流入外槽34b内(参照图4)。进入到排放空间81的液体被从排放管线82废弃。在第1盖体71位于开放位置时，引导部71c的下端位于外槽34b与液体承接容器80之间。
第2盖体72相对于第1盖体71实质上形成为镜面对称，第1盖体71和第2盖体72的构造实质上彼此相同。因而，与第1盖体71的结构和作用有关的说明能够引用于与第2盖体72的结构和作用有关的说明。另外，第1盖体71和第2盖体72实质上形成为前后对称(除了随后论述的缺口703之外)，因此，前侧的飞沫遮蔽部71d和后侧的飞沫遮蔽部71d实质上起到相同的功能。
如图3所示，在第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置时，主体部71a的顶端(主体部71a的靠近主体部72a的一侧的长边)与主体部72a的顶端(主体部72a的靠近主体部71a的一侧的长边)之间形成有较小的间隙701。第1盖体71和第2盖体72通常由对磷酸具有耐受性的材料即石英形成，其原因在于，若主体部71a、72a的顶端彼此碰撞，则有可能产生破碎。
在主体部71a、72a的顶端安装有即使碰撞也不用担心产生破碎、且由具有比较高的耐蚀性的树脂材料、例如ptfe形成的密封件702(在图3、图4中示出/在图5、图6中未示出)。在第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置时密封件702彼此接触，由此，能够抑制热和蒸气从内槽34a溢出。
如图5和图6所示，在第1盖体71的主体部71a和第2盖体72的主体部72a以供基板升降机构36的支承板36a(其支承着基板支承构件36b的一端)、通向处理液供给喷嘴49的配管49a、通向气体喷嘴60的配管60a能够穿过的方式形成有缺口703。
基板升降机构36具有沿着利用未图示的升降机构进行升降的铅垂方向(z方向)延伸的支承板36a和一端被支承板36a支承的沿着水平方向(x方向)延伸的一对基板支承构件36b(也参照图9)。各基板支承构件36b具有沿着水平方向(x方向)隔开间隔地排列的多个(例如50个～52个)基板支承槽(未图示)。基板8的周缘部被插入基板支承槽。基板升降机构36能够将多个(例如50张～52张)基板8以铅垂姿势并以沿着水平方向(x方向)隔开间隔的状态保持。这样的基板升降机构36在本技术领域中是众所周知的，省略详细的构造的图示和说明。
在本实施方式中，与外槽34b的底壁连接的循环管线50的上游端部分支成两个分支管线50a、50b(参照图5)。两个分支管线50a、50b在x方向的不同的位置(具体而言外槽34b的前端附近和后端附近的位置)与外槽34b的底面连接。两个分支管线50a、50b在y方向上与外槽34b的底壁的中央部连接。
基板升降机构36的支承板36a插入内槽34a的后部，该支承板36a对从内槽34a向外槽34b的溢流的流量分布带来影响。也就是说，来自内槽34a的后部的溢流流量相当小，来自内槽34a的前部、左部、右部的溢流流量较大。因而，热液并不怎么从内槽34a流入外槽34b的后部，因此，存在外槽34b的后部的上部的温度变低的倾向。另外，来自内槽34a的后部的溢流流量较小，因此，在内槽34a内的磷酸水溶液的液面附近产生从后部朝向前部的平缓的流动(也参照图9的箭头a1)。在液面附近，由于气液界面处的散热，磷酸水溶液的温度降低，因此，从内槽34a的前部向外槽34b溢流的磷酸水溶液的温度比较低。
若温度较低的液滞留于外槽34b的前部和后部的上部，则对内槽34a内的磷酸水溶液的温度分布产生不良影响。通过利用分支管线50a、50b从外槽34b的前部和后部对磷酸水溶液积极地进行抽吸，能够使外槽34b内的磷酸水溶液的温度均匀化。其结果，浸渍于外槽34b内的磷酸水溶液中的内槽34a内的磷酸水溶液的温度也被均匀化，基板8的面内和面间的处理的均匀性提高。
接着，对上述蚀刻处理装置1的作用进行说明。首先，磷酸水溶液供给部40将磷酸水溶液向液处理部39的外槽34b供给。若在磷酸水溶液的供给开始后经过预定时间，则循环管线50的泵51工作，形成在上述的循环系统内循环的循环流。
而且，循环管线50的加热器52工作而对磷酸水溶液进行加热，以使内槽34a内的磷酸水溶液成为预定温度(例如160℃)。即使较晚，也在由加热器52进行加热的开始时间点之前使第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置。160℃的磷酸水溶液成为沸腾状态。在由磷酸浓度计55b检测到由于因沸腾导致的水分的蒸发而磷酸浓度超过了预先确定好的管理上限值的情况下，纯水被从纯水供给部41供给。
在将1个批次的基板8向内槽34a内的磷酸水溶液中投入之前，进行在循环系统(包括内槽34a、外槽34b和循环管线50)内存在的磷酸水溶液中的硅浓度(这对氮化硅膜相对于氧化硅膜的蚀刻选择比带来影响)的调整。硅浓度的调节能够通过使仿真基板浸渍于内槽34a内的磷酸水溶液中、或者从硅供给部42向外槽34b供给硅溶液来进行。为了对在循环系统内存在的磷酸水溶液中的硅浓度处于预先确定好的范围内进行确认，也可以使磷酸水溶液向排出管线43a流动、利用硅浓度计43g对硅浓度进行测定。
在硅浓度调整的结束后，使第1盖体71和第2盖体72向开放位置移动，在内槽34a内使保持到基板升降机构36的多张、即形成1个批次(也被称为处理批次或一批)的多张例如50张基板8浸渍于磷酸水溶液中。之后，第1盖体71和第2盖体72立即被恢复封闭位置。通过将基板8浸渍于磷酸水溶液预定时间，对基板8实施湿蚀刻处理(液处理)。
在基板8的蚀刻处理中，通过预先使第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置，内槽34a内的磷酸水溶液的液面附近的温度降低被抑制，由此，能够将内槽34a内的磷酸水溶液的温度分布抑制得较小。另外，内槽34a浸渍于外槽34b内的磷酸水溶液中，因此，由来自内槽34a的壁体的散热导致的内槽34a内的磷酸水溶液的温度降低被抑制，另外，能够将内槽34a内的磷酸水溶液的温度分布抑制得较小。因而，能够将基板8的蚀刻量的面内均匀性和面间均匀性维持得较高。
在1个批次的基板8的处理中，硅从基板8溶出，因此，存在于循环系统内的磷酸水溶液中的硅浓度上升。在1个批次的基板8的处理中，为了维持在循环系统内存在的磷酸水溶液中的硅浓度、或者意欲使其变化，能够一边利用磷酸水溶液排出部43将处于循环系统内的磷酸水溶液排出，一边利用磷酸水溶液供给部40供给磷酸水溶液。
如上述那样一个批次的基板8的处理一结束，就使第1盖体71和第2盖体72向开放位置移动，将基板8从内槽34a输出。
之后，再次使第1盖体71和第2盖体72向封闭位置移动，在进行了处于循环系统内的磷酸水溶液的温度、磷酸浓度、硅浓度的调节之后，与上述同样地进行别的批次的基板8的处理。
根据上述的实施方式，从内槽34a内的处于沸腾状态的磷酸水溶液的液面飞散的飞沫向比外槽34b靠外侧的位置飞散的情况被第1盖体71的飞沫遮蔽部71b、71d和第2盖体72的飞沫遮蔽部72b、72d防止。因此，能够防止磷酸水溶液进入液体承接容器80与外槽34b之间的排放空间81内。若磷酸水溶液进入排放空间81内而在此固化，则排放管线82有可能堵塞。此外，在没有上述的飞沫遮蔽部71b、71d、72b、72d、且没有液体承接容器80的情况下，处理槽34的周围有可能被源自磷酸水溶液的污染物质污染。
第1盖体71的飞沫遮蔽部71b、71d和第2盖体72的飞沫遮蔽部72b、72d将朝向其飞散来的磷酸水溶液的飞沫向处于外槽34b内的磷酸水溶液中引导。因此，存在于磷酸水溶液的循环系统内的磷酸水溶液的成分没有流出到循环系统之外，因此，能够容易地进行磷酸浓度和硅浓度的控制。
由于传感器的能力的问题，难以以高响应速度检测硅浓度，因此，难以以高响应速度对硅浓度进行反馈控制。因此，在装置的实际的运用中，基于由预备试验求出来的硅浓度的推移在由工艺制程预先确定好的时刻进行使用中的磷酸水溶液的预定量的排出和新的磷酸水溶液的预定量的追加，从而进行存在于循环系统内的磷酸水溶液的硅浓度的控制。在进行这样的控制的情况下，若由于磷酸水溶液飞散而硅从循环系统内消失，则难以将磷酸水溶液中的硅浓度维持在预定的值。与此相对，通过如上述实施方式那样利用飞沫遮蔽部71b、71d、72b、72d来防止磷酸水溶液流出到循环系统外，容易将磷酸水溶液中的硅浓度控制成预定的值。
第1盖体71和第2盖体72的结构和配置并不限定于上述的结构和配置。
例如，也可以是，如图7所示，在第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置时，主体部71a、72a以位于与内槽34a的各侧壁的上端(也就是说，处于内槽34a内的磷酸水溶液的液位)大致相同的高度的方式构成第1盖体71和第2盖体72。通过使第1盖体71的主体部71a的下表面和第2盖体72的主体部72a的下表面与磷酸水溶液的液面紧密接触，气液界面处的散热消失，因此，容易将磷酸水溶液维持在高温。另外，附着到第1盖体71的主体部71a的下表面或第2盖体72的主体部72a的下表面的磷酸水溶液不会冷却而固化(结晶化)，因此，不用担心产生从第1盖体71的主体部71a的上表面或第2盖体72的主体部72a的上表面无法目视内槽34a内这样的问题。根据图7的变形实施方式，与主体部71a、72a的下表面和磷酸水溶液的液面分开的情况相比较，因气液界面处的散热而产生的液面附近的磷酸水溶液的温度降低大幅度地减少，因此，能够将内槽34a内的温度分布抑制得较小。在图7所示的变形实施方式中，对于与图3～图6所示的实施方式相同的部分，标注相同附图标记，省略重复说明。
另外，如图8所示，也可以是，使第1盖体71主体部71a和第2盖体72的主体部72a倾斜，并且在第1盖体71和第2盖体72的上方还设置有第1辅助盖体91和第2辅助盖体92。在图8所示的变形实施方式中，对于与图3～图7所示的实施方式相同部分，标注相同附图标记，省略重复说明。
在图8所示的变形实施方式中，在第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置时，主体部71a、72a以随着靠近顶端而变低的方式倾斜，主体部71a、72a的顶端侧的部分被浸渍于处于内槽34a内的磷酸水溶液。主体部71a的顶端部和主体部72a的顶端部以具有重叠量l的方式重叠。也就是说，在俯视时(若从正上方观察)，主体部71a的顶端部与主体部72a的顶端部重叠。主体部71a的顶端位于比主体部72a的顶端靠下方的位置，主体部71a的顶端部与主体部72a的顶端部不接触。
第1辅助盖体91和第2辅助盖体92由例如具有适当的耐蚀性的树脂材料例如ptfe形成。第1辅助盖体91和第2辅助盖体92利用旋转致动器93如以箭头sw3、sw4所示那样以沿着水平方向(x方向)延伸的旋转轴线为中心旋转(回转)，能够在以实线所示的封闭位置与以单点划线所示的开放位置之间移动。在第1辅助盖体91和第2辅助盖体92也设置有起到与设置于主体部71a和主体部72a的缺口703同样的作用的缺口(未图示)。
此外，将第1盖体71和第1辅助盖体91以两者联动地旋转的方式利用连结构件连结，将第2盖体72和第2辅助盖体92以两者联动地旋转的方式利用连结构件连结，从而能够省略驱动第1盖体71、第2盖体72的旋转致动器84以及驱动第1辅助盖体91和第2辅助盖体92的旋转致动器93中的一者。在图13中概略地表示使用连结棒94作为上述的连结构件、旋转致动器93被省略了的情况。在该情况下，在达成顺利的动作方面优选例如、第1盖体71的旋转轴线(旋转致动器84的旋转轴线)、第1辅助盖体91的旋转轴线93a(位于与省略了的旋转致动器93的旋转轴线相同的位置)、连结棒94相对于第1盖体71的枢轴安装点、连结棒94相对于第1辅助盖体91的枢轴安装点形成平行四边形。另外，(在图13中并未那样)优选连结棒94相对于第1盖体71的枢轴安装点在第1盖体71位于封闭位置时位于比内槽34a内的磷酸水溶液的液面靠上方的位置。此外，第2盖体72、第2辅助盖体92与所对应的连结棒94之间的关系也同样即可。
图8所示的变形实施方式与前述的实施方式同样地起作用，达成同样的效果。而且，在图8所示的变形实施方式中，主体部71a和主体部72a以倾斜的状态浸渍于内槽34a内的磷酸水溶液中。因此，从气体喷嘴60喷出来的非活性气体的气泡和磷酸水溶液由于沸腾而产生的气泡一边沿着主体部71a1和主体部72a1的下表面上升，一边靠近内槽34a的右侧和左侧的侧壁(参照图8中的箭头b)。因此，气泡随着越过内槽34a的左侧的侧壁34a1的上端和右侧的侧壁34a2的上端而溢流的磷酸水溶液的流动，从而向被外槽34b效率良好地排出。
而且，主体部71a的顶端部和主体部72a的顶端部彼此重叠，且主体部71a的顶端部与主体部72a的顶端部不接触，因此，在内槽34a的磷酸水溶液内上升来的气泡不会滞留在主体部71a或主体部72a之间，必然被主体部71a和主体部72a中的任一者朝向内槽34a的侧壁34a1、34a2引导。因此，能够将气泡效率更良好地从内槽34a排出。
位于内槽34a内的磷酸水溶液中的一部分位于比主体部71a、72a靠上方的位置。位于比主体部71a、72a靠上方的位置的液体易于冷却。另外，存在液体从在内槽34a的上方输送着的润湿的基板8向位于比主体部71a、72a靠上方的位置的液体落下的可能性。然而，位于内槽34a内的磷酸水溶液的冷却被第1辅助盖体91和第2辅助盖体92抑制，另外，防止从在内槽34a的上方输送着的润湿后的基板8落下来的液体向位于内槽34a内的磷酸水溶液混入的情况。
在上述的各种的实施方式中，如图9所示，优选降低内槽34a的左右的侧壁34a1、34a2的高度。如前所述，基板升降机构36的支承板36a阻碍磷酸水溶液越过内槽34a的后侧的侧壁34a4而从内槽34a向外槽34b流出的流动。因此，在内槽34a的左侧的侧壁34a1和右侧的侧壁34a2、前侧的侧壁34a3、后侧的侧壁34a4的高度相同的情况下，在内槽34a内的磷酸水溶液的液面附近产生从后侧的侧壁34a4朝向前侧的侧壁34a3的平缓的液体的流动(参照图9中的箭头a1)。在液面附近，由于气液界面处的散热，液体易于冷却，若冷却后的液体从后侧的侧壁34a4朝向前侧的侧壁34a3流动，则内槽34a内的温度分布的均匀性被阻碍。
通过降低左侧的侧壁34a1和右侧的侧壁34a2的高度，内槽34a内的液体越过左右的侧壁34a1、34a2而左右对称地以比较高的流速向外槽34b流出(参照图9中的箭头a2)。另外，流动a2的流速的内槽34a的前后方向的流速被均匀化。因此，能够提高内槽34a内的温度分布的均匀性。
此外，在采用了图9所示的结构的情况下，也利用连接到外槽34b的前后的分支管线50a、50b从外槽34b的前部和后部将磷酸水溶液积极地抽吸有益于内槽34a内的温度分布的均匀化。在采用了图9所示的结构的情况下，冷却了的液体易于滞留于外槽34b的前部和后部的上部，其原因在于，外槽34b内的温度分布对内槽34a内的温度分布造成影响。
此外，在采用了图9所示的结构的情况下，盖体71、72的主体部71a、72a和飞沫遮蔽部71b、71d、72b、72d能够如图10或图11所示那样构成。
在图10的例子中，将位于封闭位置的盖体71、72的主体部71a、72a的高度位置与较高的侧壁34a3、34a4的高度位置相对应地设定。在该情况下，使与较低的侧壁34a1、34a2相对应的飞沫遮蔽部71b、72b的下端部相对于与较高的侧壁34a3、34a4相对应的飞沫遮蔽部71d、72d向下方延长即可。
在图11的例子中，位于封闭位置的盖体71、72的主体部71a、72a的高度位置与较低的侧壁34a1、34a2的高度位置相对应地设定。在该情况下，在较高的侧壁34a3、34a4的附近中，在主体部71a、72a的端部区域75设置台阶而增高端部区域75，设置从变高的该主体部71a、72a的端部区域75的端向下方延伸的飞沫遮蔽部71b、72b即可。
参照图12对另一实施方式进行说明。在图12所示的实施方式中，使蚀刻用的处理槽34(内槽34a)的深度比冲洗用的处理槽35的深度大。在成批处理中，通过使浸渍到处理液中的基板沿着上下方向往复移动，促进相邻的基板8之间的间隙处的处理液的流动的技术是公知的(被称为“搅动”等)。作为定义搅动条件的参数，存在处理液相对于基板8的相对的流动速度和移动时间(单程的从移动开始到结束的时间)。通过加深内槽34a，增大这些参数的值，能够使搅动效率提高。内槽34a的具体的深度能够根据所期望的相对的流动速度和移动时间决定。
在上述实施方式中，内槽34a收容于外槽34b内，但并不限定于此。如在公知的处理槽中常见那样，外槽34b也可以仅包围内槽的上部。在该情况下，也通过在盖体(71、72)设置飞沫遮蔽部(71b、71d、72b、72d)，能够防止处理液的飞沫向外槽34b的外侧飞散。
在上述实施方式中，在第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置时飞沫遮蔽部71b、71d、72b、72d的下端位于内槽34a的外侧且外槽34b的内侧的水平方向位置，由此，与飞沫遮蔽部71b、71d、72b、72d碰撞了的处理液(磷酸水溶液)的飞沫落向外槽34b内，被维持于循环系统内。然而，在也可以不将飞沫中所含有的处理液成分维持于循环系统内的情况下，也可以使飞沫遮蔽部71b、71d、72b、72d的下端位于外槽34b的外侧区域、例如外槽34b的外侧且液体承接容器80的内侧的水平方向位置。也就是说，飞沫遮蔽部71b、71d、72b、72d至少具有防止从内槽34a内的处理液的表面飞散的处理液的飞沫飞散到内槽34a的外侧的意料之外的区域的功能即可。
参照图14，一边与图8的实施方式相比较一边说明其他的实施方式。在图14中，第1盖体71和第2盖体72向比支承板36a靠基板8侧(基板支承构件36b侧)延伸。从内槽34a向外槽34b的处理液的溢流主要在比支承板36a靠基板8侧产生，因此，即使采用这样的结构也不会存在其他问题。
在图14的实施方式中，第1盖体71的主体部71a和第2盖体72的主体部72a的下表面以随着向x负方向行进而变低的方式倾斜。第1盖体71的主体部71a的下表面以随着向y负方向行进而变低的方式倾斜。第2盖体72的主体部72a的下表面以随着向y正方向行进而变低的方式倾斜。
在图14中，前述的飞沫遮蔽部(71b、71d、72b、72d)存在的位置用粗实线表示。在图14的实施方式中，并不是图8所示那样的飞沫遮蔽部中的沿x方向延伸的部分的第1边部(71b、72b)和飞沫遮蔽部中的沿y方向延伸的部分的第2边部(71d、72d)以形成直角的方式直接连接，而是借助相对于第1边部(71b、72b)和第2边部(71d、72d)形成角度地延伸的斜边部71e、72e(这也是飞沫遮蔽部的一部分)连接。
如前述那样，在主体部71a、72a的下表面设有倾斜，因此，处理液不会成为附着于主体部71a、72a的下表面的状态，而是朝向斜边部71e、72e流动，之后，向斜边部71e、72e的下方的外槽34b落下。由此，在使第1盖体71和第2盖体72从封闭位置向开放位置移动时，能够防止大量的处理液从第1盖体71和第2盖体72向下方落下。
在不存在斜边部71e、72e的情况下，当大量处理液流入沿x方向延伸的飞沫遮蔽部(71b、72b)和沿y方向延伸的飞沫遮蔽部(71d、72d)之间的连接部(用附图标记71f、72f表示)的局部时，处理液会从该处猛烈地溅出。此时，连接部(71f、72f)到外槽34b的侧壁的距离较小，因此，处理液有可能向外槽34b的外侧飞散。
与此相对，斜边部71e、72e保持着一定程度的宽度，因此，流入斜边部71e、72e的液体在斜边部71e、72e的长度范围上分散。因此，流入斜边部71e、72e的液体不会从该处猛烈地溅出。此外，从斜边部71e、72e到外槽34b的侧壁的距离比较大，因此，即使处理液溅出，处理液向外槽34b的外侧飞散的可能性也较低。
参照图15和图16说明其他实施方式。在图15和图16的实施方式中，在第1盖体71的主体部71a的前端部形成沿上下方向延伸的壁体71j，第2盖体72的主体部72a的前端部形成沿上下方向延伸的壁体72j。当第1盖体71和第2盖体72位于封闭位置时，在彼此面对的壁体71j和壁体72j之间形成高度h的间隙g。主体部71a和主体部72a的上表面形成凹部71r、72r，结果，主体部71a、72a具有大致箱形的形状。通过设置凹部71r、72r，能够抑制因设置高度h的间隙而产生的第1盖体71和第2盖体72的重量的增加。
在位于图7所示的封闭位置的第1盖体71的主体部71a的下表面和第2盖体72的主体部72a的下表面与内槽34a内的处理液的液面接触的情况下，或者如图8和图13所示那样主体部71a的顶端部和主体部72a的顶端部浸渍于内槽34a内的处理液中的情况下，存在沸腾的处理液从壁体71j和壁体72j之间的间隙g向上方溅出，并向周围飞散。然而，通过设置如上所述那样的高度h的间隙g，沸腾的处理液难以从间隙g向外方溅出。为了实现该效果，高度h能够设为例如大约5cm以上。
此外，如图15和图16所示，优选的是，在第1盖体71的主体部71a和第2盖体72的主体部72a中的任一者(这里为主体部71a)，以到另一者(这里为主体部72a)的前端的上方为止或者越过上方而延伸的方式，设置自上方覆盖间隙g的覆盖部73。覆盖部73例如图15和图16所示那样，能够通过将具有与第1盖体71的凹部71r的轮廓相对应的大致矩形的切除部73q的覆盖板73p安装于第1盖体71的主体部71a的上表面而设置。通过设置覆盖部73，能够防止处理液从间隙g向上方溅出。
另外，间隙g具有高度h，因此，从内槽34a内的处理液的液面飞散出来的处理液的液滴的势头在冲撞到覆盖部73时减弱。因此，冲撞到覆盖部73的处理液不会向侧方溅出。
也可以覆盖部73和第1盖体71一体形成。此外，也可以不设置覆盖部73。在不设置覆盖部73的情况下，优选上述高度h比设置了覆盖部73的情况更加高。
此外，如图15和图16所示，优选在第1盖体71的主体部71a和第2盖体72的主体部72a中的任一者(在此为第2盖体72的主体部72a的前端部)设置基板按压部74。在基板按压部74的下表面，沿基板8的排列方向(x方向)，形成以与基板支承构件36b的基板支承槽(未图示)相同间距配置于相同x方向位置的多个基板保持槽74g。在每个基板保持槽74g收容有一张基板8的周缘部。在图15和图16所示的实施方式中，基板按压部74由与第2盖体72分别形成的细长的板状体形成，通过螺丝紧固使其固定于第2盖体72的主体部72a。也可以基板按压部74和第2盖体72一体形成。
在基板8进行处理时，设置在位于封闭位置的第2盖体72的基板按压部74与利用基板支承构件36b支承的基板8卡合，防止或抑制该基板8的向上方的位移。因此，即使从处理液供给喷嘴49喷出大流量的处理液，或者即使内槽34a内的处理液的沸腾水平较高，或者即使激烈地进行了氮气发泡，也不会发生基板8从基板支承构件36b脱落的情况。
接着，参照图17说明作为其他实施方式的基板升降机构36的支承板36a和基板支承构件36b的改良。在基板支承构件36b在x方向等间隔地形成基板保持槽36f(在图17中仅示出一个)。规定张数(例如50张)的基板8的各周缘部嵌入基板保持槽36f，以在x方向等间隔地排列的状态，利用基板支承构件36b支承。
在进行一批处理的情况下，对于基板8(半导体晶圆)，以所有的晶圆w的图案形成面朝向相同方向的方式排列晶圆w(“面对背”或“背对面”)，或者，以使图案形成面彼此(或者图案非形成面彼此)面对面的晶圆w的对形成25对的方式排列晶圆w(被称为“面对面”(或者“背对背”))。
从图5可知，在采用通常结构的基板升降机构36的情况下，最靠近支承板36a的基板8的支承板36a侧的面(以下称为“a面”)与支承板36a对面，与支承板36a相反的一侧的面同相邻的其他基板8对面。距支承板36a最远的基板8的支承板36a侧的面与相邻的其他基板8对面，与支承板36a相反的一侧的面(以下称为“b面”)不与任何构件对面。所述的a面和b面的附近的处理液的流动状态与基板8的其他面的附近的处理液的流动状态存在很大的不同。
因此，为了提高多张(例如50张)基板8的图案形成面的处理的均匀性，通常采用面对面排列，以使所述的a面和b面不成为图案形成面。
但是，在图案形成面形成3d-nand等的多层层叠构造的情况下，在基板8会产生无法忽视的弯曲。因此，不可能采用面对面(背对背同样)的配置，即使能够采用问题也会较多。因此，优选尽可能的采用面对背配合或背对面配置。
在上述背景下，在图17所示的实施方式中，在基板升降机构36设有与处理对象的基板8相同直径的圆板形状的整流板36c。整流板36c的下侧部分利用固定部36d固定于基板支承构件36b。而且，支承板36a的与整流板36c对面的面利用固定部36e(在图17中仅能够看见一个)固定于整流板36c。对于整流板36c，在基板支承构件36b载置规定张数(例如50张)基板8时，相邻的基板8彼此的间隔(x方向的排列间距)与同整流板36c相邻的基板8和整流板36c之间的间隔(x方向上的间隔)相同，且规定张数的基板8与整流板36c在x方向上以一直线排列的方式配置。
以所有的基板8的表面(器件形成面)朝向支承板36a侧的方式将基板8载置于基板支承构件36b，最靠近支承板36a的基板8的表面与整流板36c对面，其他所有的基板8的表面与相邻的基板的背面(器件非形成面)对面。也就是说，所有的基板8得表面与同基板8相同形状的物体对面，且在所有的基板8的表面，该基板8与和其相邻的物体之间的在x方向上的间隔相等。因此，使所有的基板8的表面附近的处理液的流动均匀化，使所有的基板8的表面的处理条件均匀化。
优选整流板36c成为与基板8完全相同的形状，但只要至少从x方向看到的平面形状相同即可，例如也可以厚度稍微不同。此外，上述的整流板36c固定于基板支承构件36b的支承板36a侧，但也可以固定于基板支承构件36b的x负方向侧的端部。在该情况下，只要以所有的基板8的表面朝向整流板36c侧的方式将基板8载置于基板支承构件36b即可。
上述的各种实施方式和变形例，除了显而易见地由组合而产生的问题的情况之外，能够任意地进行组合。
在上述实施方式中，处理液是磷酸水溶液，但并不限定于此，也可以是在从液面产生飞沫那样的条件下所使用的任意的处理液。基板并不限定于半导体晶圆，也可以是由玻璃、陶瓷等其他材料形成的基板。