技术特征：
技术总结
本发明涉及一种基于电双稳特性的单层聚合物电存储器及其制造方法。该电存储器包括玻璃衬底或PET衬底或PI衬底、ITO底电极、PEDOT:PSS空穴注入层、MEH‑PPV或PFO或P‑PPV光电聚合物活性功能层以及金属顶电极，各层通过溶液旋涂或蒸镀而成。本发明提供的电存储器件结构简单，具有优良的电双稳态特性、存储响应速度以及稳定性，其读写过程无论在高导态还是低导态都有较低的误读率，即便开关百万次以上电流也没有明显变化。
技术研发人员：石胜伟;李文婷
受保护的技术使用者：武汉工程大学
技术研发日：2018.02.28
技术公布日：2018.08.24