技术特征：
技术总结
实施方式提供低成本且通态电阻小的半导体装置。实施方式的半导体装置具备第1导电型的漏极区域；第1导电型的第1半导体区域，设置于上述漏极区域之上；MOSFET，形成于上述第1半导体区域的上部；源极电极，形成为覆盖上述MOSFET；电连接部，是形成于上述第1半导体区域的两侧的一对电连接部，以与上述第1半导体区域电绝缘的状态将上述漏极区域与上述源极电极之间电连接。
技术研发人员：奥村秀树
受保护的技术使用者：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
技术研发日：2018.03.01
技术公布日：2019.05.21