技术特征：
技术总结
本发明涉及一种p‑GaN基增强型HEMT器件，包括：衬底；在所述衬底上的过渡层；在所述过渡层上的沟道层；在所述沟道层上的势垒层；在所述势垒层上的p‑GaN层；以及，在所述势垒层和所述p‑GaN层上的源极、漏极、栅极和介质层；所述势垒层包括势垒层A和势垒层B，所述势垒层A与所述势垒层B交替层叠；所述势垒层A的禁带宽度大于所述势垒层B的禁带宽度。在势垒层较厚的情况下，获得了较大正值的阈值电压，提高了HEMT器件的工作效率。
技术研发人员：金峻渊;魏进
受保护的技术使用者：英诺赛科（珠海）科技有限公司
技术研发日：2018.03.16
技术公布日：2018.09.07