技术特征：
技术总结
一种具有表面应力调制结构的应变PMOSFET，属于半导体技术领域。包括半导体衬底、栅氧化层、栅极、源极、漏极和两个重掺杂区，半导体衬底上从下至上依次设置栅氧化层和栅极，两个重掺杂区设置在半导体衬底内并位于栅极两侧，两个重掺杂区分别为源区和漏区，源极设置在源区上，漏极设置在漏区上，半导体衬底上还设置有至少一个绝缘介质层，绝缘介质层设置在重掺杂区远离栅极的一侧并与重掺杂区相邻；整个器件上表面覆盖有一层张应变盖帽层。本发明通过绝缘介质层到栅极之间的槽形结构，抑制了张应变氮化硅盖帽层造成的PMOSFET性能的下降；应用于使用张应变氮化硅盖帽层的CMOS时，还避免了刻蚀PMOSFET表面张应变盖帽层，降低了工艺的复杂度。
技术研发人员：罗谦;孟思远;檀长桂;王向展;文厚东
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.03.19
技术公布日：2018.08.14