本发明的实施例涉及外掩模、等离子体处理设备和光掩模的制造方法。
背景技术：
使用光刻法(photolithography method)来制造诸如半导体装置等微结构。在光刻法中，使用光掩模(photo mask)执行曝光。近年来，提出了通过提高曝光中的分辨率或焦点深度来提高转录性能的相移掩模(phase shift mask)或EUV光刻中使用的利用超紫外光(EUV)执行精细图案的转录的反射掩模(reflective mask)等，以代替二元掩模(binary mask)。
在制造相移掩模或反射掩模时也使用光刻法。例如，在制造相移掩模时，通过在由石英构成的基部上形成包含钼硅(MoSi)的层，在包含钼硅(MoSi)的层上形成包含铬(Cr)的层，在包含铬的层上涂布光致抗蚀剂(photo-resist)，并且使用光刻法等执行图案化来形成抗蚀剂掩模(resisit mask)，在包含铬的层形成期望图案，且通过干法刻蚀使用作为刻蚀掩模的抗蚀剂掩模来形成包含钼硅的层，并且之后，通过再次形成抗蚀剂掩模并且通过干法刻蚀来除去包含钼硅的图案上的包含铬的层。
同时，在除去包含铬的层时，包含铬的残留物可能残留在包含钼硅的图案上。当存在包含铬的残留物时，诸如透过率等光学特性发生变化，且相移掩模的功能降低，由此需要除去包含铬的残留物。因此，当含有铬的残留物残留时，通过再次涂布光致抗蚀剂并且再次使用光刻法等进行图案化来形成抗蚀剂掩模，并且再次通过干法刻蚀使用作为刻蚀掩模的抗蚀剂掩模来除去含有铬的残留物。
以这种方式，能够去除含有铬的残留物。然而，光致抗蚀剂的再次涂布以及图案化需要时间，从而导致生产效率降低。
此处，提出了一种通过在等离子体处理设备的处理容器内部设置与被处理对象相对的遮蔽器并且改变遮蔽器的开口的大小来除去期望区域中的层的技术(例如，参见专利文献1)。
当在除去含有铬的层时使用该技术的情况下，不再需要再次涂布光致抗蚀剂并执行图案化。
然而，通过简单地形成与被处理对象相对的遮蔽器，存在的风险在于，经由遮蔽器的开口供应的自由基(中性活性型)可在包含钼硅的图案的外侧处到达包含铬的层的表面，并且包裹在遮蔽器的侧部周围的自由基可在包含钼硅的图案的外侧处到达包含铬的层的表面。当自由基到达包含铬的层的表面时，包含铬的层被刻蚀，并且相移掩模的功能可降低。
因此，期望开发出一种能够抑制光掩模的功能的降低并且能够提高生产率的技术。
引用列表
专利文献
专利文献1：JP 5696418B
技术实现要素：
提供了一种在通过刻蚀被处理对象来制造光掩模时使用的外掩模，所述对象具有上面设置有图案部的表面，所述外掩模包括：基部，其呈板形，并在中心区域中包括开口；和框架部，其呈框架形，并被沿着所述基部的外围设置。所述框架部具有在所述对象的所述表面的四个角处接触所述对象的所述表面的表面。
附图说明
图1是说明等离子体处理设备的布置图。
图2是说明处理部的示例的示意性剖视图。
图3A是说明被安装在被处理对象上的外掩模的示意性立体图。图3B是说明外掩模与被处理对象的图案部分之间的位置关系的示意性剖视图。图3C是图3A中的部分A的示意性剖视图。图3D是图3A中的部分B的示意性放大图。图3E是图3A中的部分C的示意性放大图。图3F是从底表面侧(在被处理对象上安装的侧)观察图3A的示意性剖视图。
图4是说明根据另一实施例的外掩模的示意性剖视图。
图5A到图5K是说明根据比较例的相移掩模的制造方法的示意性过程剖视图。
图6A和图6B是说明根据实施例的相移掩模的制造方法的示意性过程剖视图。
具体实施方式
现在将参照附图说明实施例。将相同的附图标记应用于附图中的相似的组成元件，并且省略了其详细说明。
等离子体处理设备1
首先，将说明根据本发明的实施例的等离子体处理设备1。
图1是说明等离子体处理设备1的布置图。
如图1所示，在等离子体处理设备1中设置有蓄积部10、输送部20、负荷锁定部30、传送部40、处理部50和控制部60。
例如，被处理对象200的平面形状为方形，通过等离子体处理设备1对被处理对象200执行等离子体刻蚀处理。另外，等离子体处理设备1可以被配置为通过对被处理对象200执行等离子体处理来制造相移掩模或反射掩模的设备。在下文中将说明被处理对象200的细节。
在蓄积部10中设置有储存部11、架台12和开闭门13。
储存部11储存被处理对象200。
储存部11的数量不受特别地限制，但在设置多个储存部11的情况下能够提高生产率。例如，储存部11可以被配置为能够成堆地(分级地)容纳被处理对象200的载体。例如，储存部11可以被配置为前开式晶圆传送盒(FOUP：front-opening-unified-pod)，前开式晶圆传送盒是用于输送和储存在微环境半导体工厂等中使用的基板的前开式载体。
然而，储存部11不限于FOUP等，只要它能够容纳被处理对象200。
架台12被设置在地面或壳体21的侧表面上。储存部11被安装在架台12的上表面上。架台12保持安装后的储存部11。
开闭门13被设置在储存部11的开口和输送部20的壳体21的开口之间。开闭门13打开和关闭储存部11的开口。例如，通过由未示出的驱动部升起开闭门13来密封储存部11的开口。另外，通过由未示出的驱动部降下开闭门13来打开储存部11的开口。
输送部20被设置在蓄积部10和负荷锁定部30之间。
输送部20在具有高于执行等离子体处理时的压力的压力(例如，大气压力)的环境中输送被处理对象200和外掩模100。
在输送部20中设置有壳体21、传递部22、外掩模储存部23和安装部24。
壳体21呈盒形，并且传递部22、外掩模储存部23和安装部24被设置在壳体21中。例如，壳体21可以具有达到颗粒等不能从外部渗透的程度的气密结构。例如，壳体21中的气氛处于大气压力。
传递部22执行被处理对象200在蓄积部10和负荷锁定部30之间的输送和传送。传递部22可以被配置成包括围绕枢转轴线旋转的臂22a的输送机器人。例如，传递部22具有组合正时皮带(timing belt)和链路(link)等的机构。臂22a具有关节。在臂22a的末端上设置有保持部，以用于保持被处理对象200或外掩模100。
外掩模储存部23储存外掩模100。被储存在外掩模储存部23中的外掩模100的数量可以是一个或多个。当储存多个外掩模100时，用于安装外掩模100的多个支架可以被成堆地(分级地)设置。在外掩模储存部23中可以储存多个相似的外掩模100，或者可以储存具有不同的开口尺寸或者外直径尺寸的多种外掩模100。
安装部24支撑被处理对象200。当处理被处理对象200时，传递部22从储存部11中移出被处理对象200，并且将其安装在安装部24上。接着，传递部22从外掩模储存部23中移出外掩模100，并且将外掩模100安装在由安装部24支撑的被处理对象200上。当在储存部11中储存经过处理的被处理对象200时，传递部22从负荷锁定部30的安装部33中移出安装有外掩模100的被处理对象200，并且将其安装在安装部24上。接着，传递部22通过向上升起外掩模100而从被处理对象200除去外掩模100，并且将外掩模100储存在外掩模储存部23中。接着，传递部22从安装部24移出被处理对象200，并且将被处理对象200储存在储存部11中。
在下文中将说明外掩模100的细节。
负荷锁定部30被设置在输送部20和传送部40之间。
例如，负荷锁定部30被配置成能够在气氛为大气压力的壳体21和气氛为执行等离子体处理时的压力的壳体41之间传送安装有外掩模100的被处理对象200。
在负荷锁定部30中设置有负荷锁定室31、门32、安装部33和压力控制部34。
负荷锁定室31呈盒形，并且可以维持被减压至低于大气压力的气氛。
在负荷锁定室31的壳体21侧和壳体41侧中的每一者处均设置有门32。另外，能够通过利用未示出的驱动部使门32移动来打开和关闭负荷锁定室31的开口。
另外，在平面图中，位于壳体41侧的门32的位置可以相对于位于壳体21侧的门32的位置偏移。在这种情况下，位于壳体41侧的门32的中心可以被配置成比位于壳体21侧的门32的中心更靠近于传递部42的中心侧。以这种方式，当在传递部42和负荷锁定室31之间传送安装有外掩模100的被处理对象200时，传递部42能够容易地进入负荷锁定室31中。
安装部33被设置在负荷锁定室31中。安装部33水平地支撑安装有外掩模100的被处理对象200。
压力控制部34具有减压部和气体供应部。
减压部排出负荷锁定室31中的气体，并且将负荷锁定室31中的气氛减压至低于大气压力的预定压力。例如，压力控制部34使负荷锁定室31中的气氛的压力基本上等于壳体41中的气氛的压力(执行等离子体处理时的压力)。
气体供应部向负荷锁定部31中供应气体，并且使负荷锁定室31中的气氛的压力基本上等于壳体21中的气氛的压力。例如，气体供应部向负荷锁定室31中供应气体，并且使负荷锁定室31中的气氛从低于大气压力的压力回复到大气压力。
通过以这种方式改变负荷锁定室31中的气氛的压力，能够在具有不同的气氛压力的壳体21和壳体41之间传送安装有外掩模100的被处理对象200。
例如，减压部可以被配置为真空泵等。例如，气体供应部可以被配置为储存有加压的氮气、非活性气体等的圆柱形气瓶等。
传送部40在处理部50和负荷锁定部30之间传送安装有外掩模100的被处理对象200。
在传送部40中设置有壳体41、传递部42和减压部43。
壳体41呈方形，且壳体的内部经由门32连接至负荷锁定室31的内部。壳体41可以维持被减压至小于大气压力的气氛。
传递部42被设置在壳体41中。在传递部42上设置有包括关节的臂。在臂的末端上设置有保持部，以用于保持安装有外掩模100的被处理对象200。传递部42利用保持部来保持安装有外掩模100的被处理对象200，改变臂的方向，并且通过伸展和收缩来弯曲臂，由此在负荷锁定室31和处理容器51之间传送安装有外掩模100的被处理对象200。
减压部43将壳体41中的气氛减压到小于大气压力的预定压力。例如，减压部43使壳体41中的气氛的压力基本上等于处理容器51中的在执行等离子体处理时的压力。例如，减压部43可以被配置为真空泵等。
在处理容器51中，处理部50对安装有外掩模100的被处理对象200执行等离子体处理。
例如，处理部50可以被配置为等离子体刻蚀设备。
在这种情况下，等离子体产生方法不受特别限制，并且例如可以利用高频、微波等来产生等离子体。另外，处理部50的数量不受特别限制。
图2是说明处理部的示例的示意性剖视图。
如图2所示，在处理部50中设置有处理容器51、安装部52、电源部53、电源部54、减压部55和气体供应部56。
处理容器51具有能够维持被减压至小于大气压力的气氛的气密结构。
处理容器51具有主体51a和窗口部51b。
主体51a呈大体圆柱形。例如，主体51a可以由诸如铝合金等金属形成。另外，主体51a接地。
在主体51a中设置有等离子体处理空间51c，等离子体处理空间是用于对安装有外掩模100的被处理对象200执行等离子刻蚀处理的空间。
在主体51a中设置有载入/载出口51d，以用于载入/载出安装有外掩模100的被处理对象200。
可以利用闸门阀51e气密地密封载入/载出口51d。
窗口部51b呈板形，并被设置在主体51a的顶板上。窗口部51b能够允许磁场透过，并且由在执行等离子体刻蚀处理时难以被刻蚀的材料形成。例如，窗口部51b可以由诸如石英等非导电材料形成。
安装部52位于处理容器51的内部，并且被设置在处理容器51(主体51a)的底表面上。
安装部52具有电极52a、基座52b和绝缘环52c。
电极52a被设置在等离子体处理空间51c的下方。电极52a的上表面是用于安装安装有外掩模100的被处理对象200的安装表面。电极52a可以由诸如金属等导电性材料形成。
基座52b被设置在电极52a和主体51a的底表面之间。基座52b被设置成用于在电极52a和主体51a之间进行绝缘。例如，基座52b可以由诸如石英等非导电材料构成。
绝缘环52c呈环形，并且被设置成用于覆盖电极52a的侧表面和基座52b的侧表面。例如，绝缘环52c可以由诸如石英等非导电材料形成。
电源部53具有电源53a和匹配装置53b。
电源部53是所谓的用于控制偏置的高频电源。即，电源部53被设置成用于控制被吸收到安装部52上的安装有外掩模100的被处理对象200中的离子的能量。电极52a和电源53a可以经由匹配装置53b电连接。
电源53a向电极52a施加具有适用于结合离子的相对低的频率(例如，13.56MHz或以下的频率)的高频功率。
匹配装置53b被设置在电极52a和电源53a之间。匹配装置53b设置有匹配电路等，以用于匹配电源53a侧的阻抗和等离子体P侧的阻抗。
电源部54具有电极54a、电源54b和匹配装置54c。
电源部54是用于产生等离子体P的高频电源。即，电源部54被设置成通过在等离子体处理空间51c中产生高频放电来产生等离子体P。
在实施例中，电源部54是用于在处理容器51中产生等离子体P的等离子体产生部。
电极54a、电源54b和匹配装置54c通过配线电连接。
电极54a在处理容器51的外部，并且被设置在窗口部51b上。
电极54a可以被配置成包括多个用于产生磁场的导体以及多个电容器(电容体)。
电源54b向电极54a施加具有大约100KHz到100MHz的频率的高频功率。在这种情况下，电源54b向电极54a施加具有适用于产生等离子体P的相对低的频率(例如，13.56MHz或以下的频率)的高频功率。
另外，电源54b可以被配置成用于改变被输出的高频功率的频率。
匹配装置54c被设置在电极54a和电源54b之间。匹配装置54c设置有匹配电路等，以用于匹配电源54b侧的阻抗和等离子体P侧的阻抗。
等离子体处理设备1是双频等离子体刻蚀设备，该设备在其上部包括感性耦合电极，并且在其下部包括容性耦合电极。
然而，等离子体的产生方法不限于所说明的方法。
例如，等离子体处理设备1可以是使用感性耦合等离子体(ICP)的等离子体处理设备或使用容性耦合等离子体(CCP)的等离子体处理设备。
减压部55具有泵55a和压力控制部55b。
减压部55进行减压，使得处理容器51的内部处于预定压力。例如，泵55a可以是涡轮分子泵(TMP)等。泵55a和压力控制部55b经由配线连接。
压力控制部55b基于未示出的用于检测处理容器51的内部压力的真空计等的输出进行控制，使得处理容器51的内部压力处于预定压力。
例如，压力控制部55b可以是自动压力控制器(APC)等。压力控制部55b经由配线连接到被设置在主体51a上的排出口51f。
气体供应部56向处理容器51中的等离子体处理空间51c供应气体G。
气体供应部56具有气体储存部56a、气体控制部56b和阀56c。
气体储存部56a储存气体G，并且将所储存的气体G供应到处理容器51中。例如，气体储存部56a可以是内部储存有气体G的高压泵等。气体储存部56a和气体控制部56b经由配线连接。
在将气体G从气体储存部56a供应到处理容器51时，气体控制部56b控制流量或压力。例如，气体控制部56b可以是质量流量控制器(MFC)等。气体控制部56b和阀56c经由配线连接。
阀56c经由配线连接至被设置在处理容器51上的气体供应口51g。阀56c控制气体G的供应和暂停。例如，阀56c可以是双端口电磁阀等。气体控制部56b可以具有阀56c的功能。
气体G可以产生自由基(radical)，该自由基在被处理对象200被等离子体P激发或激活时能够刻蚀被处理对象200。例如，气体G可以是包括氟原子的气体。例如，气体G可以是CHF3、CF4、C4F8等。
控制部60设置有诸如中央处理单元(CPU)等操作部和诸如储存器等储存部。
控制部60基于被储存在储存部中的控制程序来控制被设置在等离子体处理设备1中的每个元件的操作。因为已知的技术能够应用于控制每个元件的操作的控制程序，所以将省略详细说明。
如下所述，当制造相移掩模时，残留物可能残留在被处理对象200的具有通过刻蚀形成的图案的表面上。例如，如图5G所示，残留物205a可能残留在通过刻蚀形成有图案部202的区域上。在这种情况下，可以通过以下方式在等离子体处理设备中除去残留物205a。
首先，传递部22从储存部11中移出具有残留物205a的被处理对象200，并且将其安装在安装部24上。接着，传递部22从外掩模储存部23中移出外掩模100，并且将外掩模100安装在由安装部24支撑的被处理对象200上。
接着，传递部22将安装有外掩模100的被处理对象200从安装部24传递到负荷锁定部30的安装部33。
接着，传递部42将安装有外掩模100的被处理对象20从安装部33传递到处理容器51中的安装部52。
接着，电源部54通过在等离子体处理空间51c中产生高频放电来产生等离子体P。气体供应部56将气体G供应到处理容器51中的等离子体处理空间51c。
气体G被等离子体P激发并激活，从而产生诸如自由基、离子、电子等反应产物。所产生的反应产物经由外掩模100的开口100a1到达残留物205a，从而除去残留物205a。
被除去残留物205a且其上仍安装有外掩模100的被处理对象200按照与上述顺序相反的顺序被从安装部52传递到安装部24。然后，传递部22通过向上升起外掩模100使外掩模100从被处理对象200除去，并且将外掩模100储存在外掩模储存部23中。接着，传递部22从安装部24中移出被处理对象200，并且将被处理对象200储存在储存部11中。
因为已知的的技术可以应用于与刻蚀有关的过程条件，所以将省略详细的说明。
外掩模100
将进一步说明外掩模100。
在制造光掩模时，即在被处理对象200的等离子体刻蚀过程中，使用外掩模100。外掩模100是具有屏蔽被处理对象200的外围上的不进行刻蚀的区域的功能的部件。
首先，将说明被处理对象200。
例如，被处理对象200可以是用于制造相移掩模的掩模基底(mask blank)或用于制造反射掩模的掩模基底。
在下文中将说明如下情况：被处理对象200是作为示例的用于制造相移掩模的掩模基底。另外，将在下文中说明的图3B的状态下说明被处理对象200，即，形成有包括包含铬的层202b的图案部202和包括包含铬的层203b的遮光部203的状态。
被处理对象200具有基板201、图案部202和遮光部203(例如，参见图3B)。
基板201呈板形。例如，基板201的平面形状可以是方形。基板201具有半透明性，并且由难以被刻蚀的材料形成。例如，基板201可以由石英形成。
图案部202被设置在基板201的一个表面上。图案部202被设置在基板201的中心区域上。图案部202被设置在基板201上，并且具有多个包含钼硅的突起202a。包含铬的层202b被设置在多个突起202a中的每一者的顶部上。
遮光部203被设置在基板201的设置有图案部202的区域的外侧处。遮光部203呈框架形，并且环绕设置有图案部202的区域。设置有图案部202的区域是图案部202的最外面的外围区域(包括所有图案部202的区域)。遮光部203被设置在基板201上，并且具有包含钼硅的突起203a。包含铬的层203b被设置在突起203a的顶部上。在平面图中，在框架形的遮光部203的外围端部203d和基板201的侧表面201a之间设置有间隙。即，遮光部203没有被设置在基板201的周边附近。
接着，将说明外掩模100。
图3A是说明被安装在被处理对象200上的外掩模的示意性立体图。
图3B是说明外掩模100和被处理对象200的图案部202之间的位置关系的示意性剖视图。
图3C是图3A中的部分A的示意性剖视图。图3C省略了图案部202和遮光部203。
图3D是图3A中的部分B的示意性放大图。
图3E是图3A中的部分C的示意性放大图。
图3F是从底表面侧(被安装至被测量对象200的侧)观察图3A的示意性剖视图。图3F省略了被处理对象200。
如图3A所示，在外掩模100上设置有基部100a、框架部100b和限位件(stopper)100c。外掩模100具有绝缘性，并且由难以被刻蚀的材料形成。例如，外掩模100可以由石英形成。
基部100a呈板形。基部100a的平面形状可以被配置为与被处理对象200相同的平面形状。例如，在被处理对象200的平面形状是方形时，基部100a的平面形状可以是方形。另外，基部100a在其中心位置上具有开口100a1。
图3B所示，在平面图中，开口100a1不与遮光部203重叠。在平面图中，图案部202被设置在开口100a1中。开口100a1的外围边缘100a1a应当被设置在遮光部203的内侧外围边缘203c和图案部202的外侧外围边缘202c之间。在这种情况下，当在平面图中，开口100a1的外围边缘100a1a和遮光部203的内侧外围边缘203c之间的距离变得更大时，更容易抑制在刻蚀包含铬的层202b时在包含铬的层203b上出现的损害。
另外，在遮光部203的顶部与基部100a的底表面(被处理对象200侧的表面)之间的距离H过小的情况下，由于输送时的由振动引起的变形、刻蚀时的热变形等导致遮光部203和基部100a接触而损害包含铬的层203b。同时，在距离H过大的情况下，自由基更容易到达遮光部203的顶部和基部100a的底表面之间的间隙，且包含铬的层203可能由于与自由基的反应而被损害。根据发明人所获得的信息，在距离H被配置成不小于1mm且不大于2mm的情况下，能够抑制对包含铬的层203b的损害。
另外，在基部100a的厚度T太薄的情况下，输送时的由振动引起的变形、刻蚀时的热变形、处理外掩模100时的变形等可变大。根据发明人所获得的信息，因为在基部100a的厚度T不小于1mm的情况下能够抑制变形，所以能够抑制对包含铬的层203b的损害，并且外掩模100的处理能够变得更容易。
如图3A到图3C所示，框架部100b呈框架形，并且从基部100a的底表面(被处理对象200侧的表面)突出。框架部100b被沿着基部100a的外围边缘设置。在平面图中，框架部100b的内侧外围边缘100b1和被处理对象200的基板201的侧表面201a重叠，或者在框架部100b的内侧外围边缘100b1和被处理对象200的基板201的侧表面201a之间设置有微小间隙。即，原则上，基板201的设置有图案部202和遮光部203的表面201b不与框架部100b的下端部100b2接触。
然而，如图3E所示，框架部100b的下端部100b2能够在基板201的表面201b的四个角附近接触表面201b。例如，如图3E的部分D或者图3F所示，框架部100b的内侧外围的四个角具有从框架部100b的内侧外围的两个相邻边的延长线相交而成的角向内突出的表面(R表面或者倾斜表面)，并且框架部100b的四个角的下端部100b2具有与表面201b接触的表面。因此，框架部100b能够在被处理对象200的基板201的表面201b的四个角上与表面201b接触。以这种方式，因为被处理对象200不在除表面201b的四个角之外的区域处接触外掩模100，所以能够抑制对基板201的表面201b的损害，并且能够通过被处理对象200来支撑外掩模100。在这种情况下，框架部100b可以在表面201b的角的5mm内的区域中与表面201b接触。
如图3A、3B和3D所示，限位件100c从框架部100b的下端部100b2突出。在框架部100b的四条边中的每一者上设置有至少一个限位件100c。如图3A所示，在框架部100b的四条边中的每一者上设置有两个限位件100c。在设置这种限位件100c的情况下，能够抑制外掩模100在水平方向上偏移。在限位件100c和基板201的侧表面201a之间设置有微小间隙，从而允许间隙范围内的移动。
如下文所说明，当通过刻蚀除去残留物205a或者包含铬的层202b时，诸如自由基等反应产物经由外掩模100的开口100a1被供应到残留物205a或者包含铬的层202b。此时，在自由基到达被设置在遮光部203上的包含铬的层203b时，包含铬的层203b被刻蚀，并且会损害包含铬的层203b。当包含铬的层203b被损害时，作为相移掩模的功能可减弱。
在使用根据实施例的外掩模100时，因为设置有遮光部203的区域被基部100a和框架部100b环绕，所以能够抑制包含诸如自由基等反应产物的气流(空气流)从侧表面201a侧到达表面201b。另外，因为遮光部203的顶部与外掩模100的基部100a的底表面(被处理对象200侧的表面)之间的距离极小，所以包含诸如自由基等反应产物的气流(空气流)被框架部100b屏蔽。以这种方式，能够抑制在设置有遮光部203的区域中产生空气流。由此，能够抑制这种气流将自由基抽取到包含铬的层203b的上部。因此，可以抑制在包含铬的层203b上出现损害。另外，如下文所述，因为不再需要重新涂布光致抗蚀剂并执行图案化，所以在除去包含铬的残留物时可以提高生产率。
另外，原则上，因为基板201的表面201b不与框架部100b的下端部100b2接触，所以能够抑制由接触相移掩模的基板201引起的诸如裂隙等损害。
图4是说明根据另一个实施例的外掩模100的示意性剖视图。
如图4所示，斜切部201c被设置在被处理对象200的基板201的表面201b的外围上。另外，外掩模100的框架部分100b的内侧外围边缘100b1是倾斜表面。内侧外围边缘100b1接触斜切部201c。
以这种方式，能够进一步地抑制在设置有光屏蔽膜203的区域中出现空气流。因此，能够进一步抑制对包含铬的层203b的损害，并且能够进一步地抑制作为相移掩模的功能的减弱。如图4所示，内侧外围边缘100b1的倾斜角α和斜切部201c的倾斜角β可以是相同的。以这种方式，能够当在被处理对象200上安装外掩模100时抑制偏移。
光掩模的制造方法
下面，将说明根据实施例的光掩模的制造方法。
图5A到图5K是说明用于制造根据比较示例的相移掩模的方法的示意性过程剖视图。
首先，如图5A所示，在基板201的一个表面上依次形成包含钼硅的膜204和包含铬的膜205，在包含铬的膜205上涂布光致抗蚀剂，并且使用光刻法形成刻蚀掩模206。
接着，如图5B所示，依次刻蚀从刻蚀掩模206中露出的含有铬的膜205和含有钼硅的膜204，并且除去刻蚀掩模206。
接着，如图5C所示，涂布抗蚀剂207。
如图5D所示，然后，使用光刻法形成刻蚀掩模207a。
如图5E所示，然后，刻蚀从刻蚀掩模207a中露出的包含铬的膜205，并且露出多个突起202a。
如图5F所示，然后，除去刻蚀掩模207a。
以上述方式，能够制造依次包括基板201、多个突起202a和遮光部203的相移掩模。
然而，当执行所制造的相移掩模的产品检查时，如图5G所示，在突起202a的顶部上能够检测到包含铬的残留物205a。当存在包含铬的残留物205a时，作为相移掩模的功能降低。
因此，在检测到残留物205a时，按照以下方式除去残留物205a。
首先，如图5H所示，再次涂布光致抗蚀剂207。
如图5I所示，然后，使用光刻法再次形成刻蚀掩模207a。
如图5J所示，然后，刻蚀从刻蚀掩模207a中露出的残留物205a。
如图5K所示，然后，再次除去刻蚀掩模207a。
按照上述方式，能够除去残留物205a。
然而，为了除去残留物205a，需要再次涂布光致抗蚀剂207，再次使用光刻法等形成刻蚀掩模207a，并再次除去刻蚀掩模207a。为了执行这种处理，需要相对长的时间。因此，这导致了生产率的降低。
图6A和6B是说明用于制造根据实施例的相移掩模的方法的示意性过程剖视图。
在用于制造根据实施例的相移掩模的方法中，在除去残留物205a时使用外掩模100。
首先，如图6A所示，将外掩模100安装在基板201上。如图6B所示，然后，刻蚀在外掩模100的开口100a1中露出的残留物205a。
然后，能够通过从基板201处除去外掩模100来获得已经除去残留物205a的相移掩模。
因为不需要再次涂布光致抗蚀剂207、再次形成刻蚀掩模207a并再次除去刻蚀掩模207a来除去残留物205a，所以通过这种方式能够极大地提高生产率。如上所述，也能够抑制在含有铬的层203b上出现损害。
已经说明了使用外掩模100来除去残留物205a的示例，但如图5B所示，在刻蚀包含铬的膜205时，也可以使用外掩模100。
因为不需要涂布光致抗蚀剂207，形成刻蚀掩模207a并除去刻蚀掩模207a，所以通过这种方式甚至能够进一步提高生产率。
因为已知的技术能够也用于与刻蚀相关的处理条件，所以省略了详细说明。
现在参照附图说明了实施例。然而，本发明不限于这些示例。
而且，如果本发明的特征被包括在内，被本发明所属领域的技术人员适当地添加设计修改的这些示例也被包括在本发明的范围内。
例如，等离子体处理设备1中包括的每个元素以及它们的形状、尺寸、材料、布置、数量等不限于上述的示例，但是能够适当地变化。
另外，能够尽可能地组合每个实施例中的每个元素，并且只要包括本发明特征，这些组合落入本发明的范围内。
相关申请的交叉引用
本申请基于在2017年3月31日提交的日本第2017-071129号专利申请并要求该申请的优先权；该申请的全部内容通过引用并入本文。