1.一种光电设备，包括：
半导体基板；
第一组外延层，所述第一组外延层形成在所述基板的区域上，从而限定下分布布拉格反射器DBR叠堆；
第二组外延层，所述第二组外延层形成在所述第一组之上，从而限定量子阱结构；
第三组外延层，所述第三组外延层形成在所述第二组之上，从而限定上部DBR叠堆，
其中至少所述第三组外延层容纳在台面中，所述台面具有垂直于所述外延层的侧面；
电介质涂层，所述电介质涂层在容纳所述第三组外延层的所述台面的至少一部分的所述侧面之上延伸；和
电极，所述电极耦接到所述外延层以便将激发电流施加至所述量子阱结构。
2.根据权利要求1所述的光电设备，其中所述电介质涂层不在所述台面的上表面之上延伸。
3.根据权利要求1或2所述的光电设备，包括形成于所述第三组外延层内的限制层，所述限制层包括：
中心部分，所述中心部分包含半导体材料；和
外围部分，所述外围部分围绕所述中心部分并包含电介质材料。
4.根据权利要求3所述的光电设备，其中所述电介质涂层从所述台面的上表面向下延伸至所述限制层。
5.根据权利要求3所述的光电设备，其中所述半导体材料包括AlxGa1-xAs，其中x不超过0.92。
6.根据权利要求3所述的光电设备，其中所述限制层的厚度超过50nm。
7.根据权利要求3所述的光电设备，其中所述电介质材料的折射率不超过1.6。
8.根据权利要求3所述的光电设备，其中所述电介质材料包括二氧化硅(SiO2)。
9.根据权利要求3所述的光电设备，其中所述外围部分包括密封腔。
10.一种光电设备，包括：
半导体基板；
第一组外延层，所述第一组外延层形成在所述基板的区域上，从而限定下分布布拉格反射器DBR叠堆；
第二组外延层，所述第二组外延层形成在所述第一组之上，从而限定量子阱结构；
第三组外延层，所述第三组外延层形成在所述第二组之上，从而限定上部DBR叠堆；
限制层，所述限制层形成于所述第三组外延层内，所述限制层包括：
中心部分，所述中心部分容纳在所述台面下方并包含半导体材料；和
外围部分，所述外围部分围绕所述中心部分并包含具有不超过1.6的折射率的电介质材料；和
电极，所述电极耦接到所述外延层以便将激发电流施加至所述量子阱结构。
11.根据权利要求10所述的光电设备，其中所述半导体材料包括AlxGa1-xAs，其中x不超过0.92。
12.根据权利要求10所述的光电设备，其中所述限制层的厚度超过50nm。
13.根据权利要求10所述的光电设备，其中所述电介质材料包括二氧化硅(SiO2)。
14.根据权利要求10-13中任一项所述的光电设备，其中所述外围部分包括密封腔。
15.一种用于制造光电设备的方法，所述方法包括：
将第一组外延层沉积于半导体基板的区域上，以限定下分布布拉格反射器DBR叠堆；
将第二组外延层沉积于所述第一组之上，从而限定量子阱结构；
将第三组外延层沉积于所述第二组之上，从而限定上部DBR叠堆，并且将包含半导体材料的限制层包括在所述上部DBR叠堆内；
蚀刻所述第三组外延层以限定台面，所述台面具有垂直于所述外延层并从所述上部DBR叠堆的上表面向下延伸至所述限制层的侧面；
用电介质涂层涂覆所述台面的所述侧面；
在涂覆所述台面的所述侧面后，处理所述限制层以便将所述限制层的外围部分转变为电介质材料，同时使所述半导体材料保留在所述限制层的中心部分中，所述中心部分被所述外围部分围绕；以及
将电极耦接到所述外延层以便将激发电流施加至所述量子阱结构。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述半导体材料包括AlxGa1-x0As，其中x不超过0.92。
17.根据权利要求15所述的方法，其中所述限制层的厚度超过50nm。
18.根据权利要求15-17中任一项所述的方法，其中转变所述外围部分包括：
蚀刻所述外围部分以便在所述台面下方形成腔；以及
将电介质材料的适形涂层施加至所述腔。
19.根据权利要求18所述的方法，其中所述电介质材料为二氧化硅(SiO2)。
20.根据权利要求15-17中任一项所述的方法，其中转变所述外围部分转化包括：
蚀刻所述外围部分以便在所述台面下方形成腔；以及
将电介质材料的非适形涂层施加至所述光电设备以便用所述电介质材料密封所述腔的入口，从而使所述腔填充有所述气体。