技术特征：
技术总结
本发明公开了一维InGaN/AlGaN多量子阱型的紫外LED及其制备方法，紫外LED包括衬底、自下至上依次生长在衬底上的一维AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、GaN层、n‑GaN层、一维GaN/InGaN超晶格层、一维InGaN/AlGaN多量子阱层、电子阻挡层、p‑GaN层；所述一维AlN缓冲层、一维GaN/InGaN超晶格层及一维InGaN/AlGaN量子阱层均由一维材料生长而成。本发明充分利用一维材料相对于薄膜材料的优势，在特定层用一维材料代替薄膜材料，“过滤”量子阱前段产生的内应力，以降低量子阱层中的内应力与缺陷密度、提高量子阱层中电子与空穴的有效复合效率，从而提高紫外LED的光效。
技术研发人员：李国强
受保护的技术使用者：河源市众拓光电科技有限公司
技术研发日：2018.07.16
技术公布日：2018.11.13