技术特征：
技术总结
本发明提供了一种闪存及其制造方法，该闪存的制造方法包括：提供一衬底，在所述衬底上依次形成栅极氧化层、浮栅层和浮栅掩膜层；刻蚀所述浮栅掩膜层形成开口，形成第一侧墙；以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀部分所述浮栅层形成沟槽；在所述开口及沟槽处沉积氧化物形成氧化物层，刻蚀所述氧化物层形成第二侧墙；刻蚀第二侧墙内的浮栅层和栅极氧化层以暴露所述衬底，并沉积氧化物，对所述氧化物进行热退火工艺；刻蚀所述氧化物层形成第三侧墙，第三侧墙连接所述第二侧墙和所述衬底。本发明增加了热退火工艺，该工艺引入氢气，在氢气氛围下，可有效减少氧化物内的缺陷，还能增加后续形成的第三侧墙对浮栅层的覆盖效果，最终增加闪存的数据保持能力。
技术研发人员：高学;杜天伦;韩国庆;徐涛
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.08.06
技术公布日：2018.12.28