技术特征：
技术总结
一种横向MOSFET器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过挖槽填充将传统横向MOSFET器件结构中接触区及其下方部分区域替换为多晶硅区或肖特基接触金属区，用以形成具有整流特性的异质结或者肖特基接触，由于异质结或者肖特基接触为多子器件且导通压降相较传统寄生二极管更低，故可以优化器件的反向恢复特性，且实现优异的第三象限通态性能；相对于体外反并联二极管方式，显著减小了电子电力系统体积，降低封装成本，减少互联线及互联线所带来的寄生效应，从而提高了系统的可靠性。同时，针对器件栅介质电场过高问题进行了优化设计，使得器件长久应用可靠性能得以提升。此外，本发明器件的制备方法简单可控、易于实现，促进了半导体功率器件在众多实际应用中的推广。
技术研发人员：张金平;邹华;赵阳;罗君轶;刘竞秀;李泽宏;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
技术研发日：2018.08.29
技术公布日：2019.01.11