技术特征：
技术总结
本发明公开了带有磁应变源的自调式GeSn红外探测器，包括：由下至上依次设置的衬底层、赝衬底层、驰豫层和n+型层；还包括应变源阵列和光吸收阵列、p+型金属接触阵列、探测第一电极和探测第二电极，应变源阵列的四周包裹绝缘电介质薄膜。本发明将探测器有源区的本征区和p+型金属接触刻蚀成条形阵列，在阵列间隔处生长超磁致伸缩材料，通过外加磁场施加或改变磁场强度，调控超磁致伸缩材料的形变量，进而在探测器有源区沿磁场方向引入可调应变。有源区内的应变会影响GeSn合金能带结构及带隙大小的变化，从而调控GeSn材料的光吸收边界，进而实现对GeSn探测器光响应范围的调控。
技术研发人员：张庆芳;李康;张吉涛;王晓雷;曹玲芝;韩根全
受保护的技术使用者：郑州轻工业学院
技术研发日：2018.08.30
技术公布日：2019.01.08