一种纳米天线装置的制造方法与流程

本发明有关于天线装置，尤其涉及一种纳米天线装置的制造方法。

背景技术：

感应充电为一种近距离的无线充电技术，应用电磁感应在两对象之间传送能量，来自电源端的能量通过电感耦合（inductivecoupling）的方式传送到靠近于该电源端的一电子装置，即是在电源端应用其感应天线线圈的通电产生电磁波，并由该电子装置上的感应天线线圈感应该电磁波而产生电流，即可应用该电流对电子装置内的电池充电。因此在充电时不需要使用导线连接电源端及电子装置，使得用户无需另行准备适用于电源端及电子装置之间的导线。

但是传统的感应充电应用低频感应以及旧式电子驱动组件，其充电效率相当低，并且在充电时会产生大量热能，因此应用在移动电子装置的充电时，其充电速度缓慢，因此需要花费大量时间充电，且在充电其间产生的高温也会降低电子组件的寿命。再者由于需要配置相关的电子驱动组件以及天线线圈，因此也提高了整体的设计复杂度以及制造成本。

虽然目前已经有发展出极细的天线线圈，并应用高频感应以及优化的电子驱动组件，使得充电效率最高可达到86%，且制造成本也较低，而可应用于手机充电。但是此种天线线圈的充电效率仍然相当有限，且仍需耗费一定的制造成本。

因此本发明的发明人希望提出一种崭新的天线线圈结构，使其可达成更高的充电效率以及更低的制造成本，以解决上述现有技术上的缺陷。

技术实现要素：

所以本发明的目的为解决上述现有技术上的问题，本发明中提出一种纳米天线装置的制造方法，应用本发明的制造方法所制成的纳米天线装置具有多层的天线组件，其中各层天线组件的厚度为数个纳米至数百纳米。因此本发明的天线的成本仅为现有技术材料成本的万分之一。本发明应用多层的天线组件可以增加辐射的电磁波，达到更高的导电效率。各层的天线组件可互相错开，以达到较好的辐射效果。本发明中应用多层交错的天线回路可以增加天线吸收的效率，而不会使得某些电磁波没有被捕获，所以整体的接收效率可以超过九成，比现有天线的效率高出很多。

为达到上述目的本发明中提出一种纳米天线装置的制造方法，应用纳米技术所制成，该纳米天线装置的制造方法包括下列步骤：步骤a：取一基板置于真空环境中，该基板为绝缘材料所制成；在该基板上执行下列步骤：步骤b：应用溅镀的方式沉积形成一导体层；步骤c：在该导体层上方涂覆一光阻层；步骤d：应用一光罩对该光阻层进行光显影(photo-lithography)程序，其中该光罩具有一螺旋形的回路，其中该回路之间形成空隙，因此经过光显影之后，下方的光阻层与该光罩的回路的空隙重叠的部分会被蚀刻掉，而形成同于该光罩的一回路；步骤e：应用电浆或化学蚀刻方式对该导体层进行蚀刻，使得该导体层与上方光阻层所形成的回路的空隙重叠的部分会被蚀刻掉，而令该导体层形成同于该光阻层的回路；然后移除该光阻层；如此该导体层即形成一天线回路；当该导体层通过电流时即可辐射电磁波；步骤f：在该导体层周围沉积形成一绝缘层，而包覆住该导体层；其中应用溅镀或电浆化学气相沉积(pecvd)的方式形成该绝缘层；因此该导体层及该绝缘层形成第一层的天线组件；该绝缘层的作用即在于保护该导体层，避免短路；该绝缘层的材料为不吸收电磁波而让电磁波可通过；步骤g：然后在该第一层的天线组件上方重复步骤b至步骤f，因此形成第二层的天线组件；步骤h：重复上述的步骤g，可以形成多层的天线组件，其中最上层的导体层上方可以不覆盖绝缘层；应用多层的天线组件可以增加辐射的电磁波，达到更高的导电效率。

本发明还提出一种纳米天线装置的制造方法，应用薄膜技术所制成，该纳米天线装置的制造方法包括下列步骤：步骤a：取一基板置于真空环境中，该基板可为软性塑料绝缘材料制成；步骤b：制备一金属罩网板，该金属罩网板具有空隙，且该空隙形成一螺旋形的回路；步骤c：在该基板上方放置该金属罩网板；步骤d：应用溅镀或沉积的方式在该金属罩网板的空隙中形成一导体层，因此该导体层形成同于该金属罩网板的空隙的回路，如此该导体层即形成一天线回路；步骤e：在真空环境中，移除该金属罩网板；步骤f：在真空环境中，应用溅镀或沉积的方式在该导体层周围形成一介电质层，而包覆住该导体层，因此该导体层及该介电质层形成第一层的天线组件；步骤g：然后在该第一层的天线组件上方再次覆盖该金属罩网板并偏移一段设定的距离，使得所形成的第二层的天线组件的导体层的天线回路之间的空隙不对齐于下方第一层的天线组件的导体层的天线回路之间的空隙；然后，在大气中对该天线组件涂覆或喷洒导电胶于该金属罩网板的空隙，然后移除该金属罩网板，使得该导电胶凝固后形成第二层的导体层，其即为第二层的天线回路；然后在真空环境中，应用溅镀或沉积的方式在第二层的该导体层周围形成第二层的介电质层，而包覆住该导体层，因此第二层的该导体层及该介电质层形成第二层的天线组件；步骤h：重复上述的步骤g，以形成多层的天线组件，其中最上层的导体层上方可以不覆盖绝缘层；应用多层的天线组件可以增加辐射的电磁波，达到更高的导电效率。

本发明还提出一种纳米天线装置的制造方法，应用厚膜技术所制成，该制造方法包括下列步骤：步骤a：取一基板；步骤b：制备一金属罩网板，该金属罩网板具有空隙，且该空隙形成一螺旋形的回路；步骤c：在大气中，在该基板上方放置该金属罩网板；步骤d：在大气中，应用喷洒或涂覆的方式在该金属罩网板的空隙中形成一导体层，因此该导体层形成同于该金属罩网板的空隙的回路，如此该导体层即形成一天线回路；步骤e：在大气中，移除该金属罩网板；步骤f：在大气中，应用喷洒或涂覆的方式在该导体层周围形成一介电质层，而包覆住该导体层，因此该导体层及该介电质层形成第一层的天线组件；步骤g：然后在该第一层的天线组件上方再次覆盖该金属罩网板并偏移一段设定的距离，使得所形成的第二层的天线组件的导体层的天线回路之间的空隙不对齐于下方第一层的天线组件的导体层的天线回路之间的空隙；然后，在大气中对该天线组件涂覆或喷洒导电胶于该金属罩网板的空隙，然后移除该金属罩网板，使得该导电胶凝固后形成第二层的导体层，其即为第二层的天线回路；然后在真空环境中，应用溅镀或沉积的方式在第二层的该导体层周围形成第二层的介电质层，而包覆住该导体层，因此第二层的该导体层及该介电质层形成第二层的天线组件；步骤h：重复上述的步骤g，以形成多层的天线组件，其中最上层的导体层上方可以不覆盖绝缘层；应用多层的天线组件可以增加辐射的电磁波，达到更高的导电效率。

本发明还提出一种纳米天线装置的制造方法，应用打印技术所制成，包括下列步骤：步骤a：制备一导体墨水及一绝缘墨水；步骤b：取一基板；在该基板上方执行下列步骤：步骤c：在大气中，应用储存于计算机中的一数字屏蔽型态信息(store/digitizemaskinformationinsidecomputers)，打印该导体墨水并予以干燥，而形成一导体层；其中该数字屏蔽型态信息所对应的型态为一回路，因此该导体层形成同于该数字屏蔽信息的回路，如此该导体层即形成一天线回路；步骤d：在大气中，在该导体层周围打印该绝缘墨水并予以干燥，而形成一绝缘层包覆住该导体层；因此该导体层及该绝缘层形成第一层的天线组件；步骤e：然后在该第一层的天线组件上方重复步骤c至步骤d，因此形成第二层的天线组件；步骤f：重复上述的步骤e，可以形成多层的天线组件，其中最上层的导体层上方可以不覆盖绝缘层；应用多层的天线组件可以增加辐射的电磁波，达到更高的导电效率。

本发明还提出一种纳米天线装置的制造方法，应用pcb技术所制成，该制造方法包括下列步骤：步骤a：取一pcb板；在该pcb板上方执行下列步骤：步骤b：镀上一层铜做为导体层；步骤c：在暗室中，在该导体层上方涂覆一感光膜层；步骤d：应用一光罩对该感光膜层进行光显影程序，其中该光罩具有一螺旋形的回路，其中该回路之间形成空隙，因此经过光显影之后，下方的感光膜层与上方回路的空隙重叠的部分会被蚀刻掉，而形成相同于该光罩的回路；步骤e：应用显像(filmdeveloping)及铜化学蚀刻方式对该导体层进行蚀刻，使得该导体层与上方感光膜层所形成的回路的空隙重叠的部分会被蚀刻掉，而令该导体层形成同于该感光膜层的回路；然后移除该感光膜层；如此该导体层即形成一天线回路；当该导体层通过电流时即可辐射电磁波；步骤f：应用标准pcb工艺在该导体层周围形成一绝缘膜的涂布层，而包覆住该导体层；其中可应用施加或溅镀形成该绝缘膜的涂布层；因此该导体层及该绝缘膜形成第一层的天线组件；该绝缘膜的作用即在于保护该导体层，避免短路；该绝缘膜的材料为不吸收电磁波而让电磁波可通过者；步骤g：然后在该第一层的天线组件上方重复步骤b至步骤f，因此形成第二层的天线组件；步骤h：重复上述的步骤g，可以形成多层的天线组件，依此一步骤可以累积多层的天线组件以达到所需要的厚度或层次；其中最上层的导体层上方可以不覆盖绝缘膜的涂布层；应用多层的天线组件可以增加辐射的电磁波，达到更高的导电效率。

由下文的说明可更进一步了解本发明的特征及其优点，阅读时并请参考附图。

附图说明

图1显示本发明的纳米技术工艺的光罩示意图。

图2a显示本发明的纳米技术工艺的基板的截面示意图。

图2b显示本发明的纳米技术工艺的附加导体层的截面示意图。

图2c显示本发明的纳米技术工艺的附加光阻层的截面示意图。

图2d显示本发明的纳米技术工艺中对光阻层进行光显影程序的截面示意图。

图2e显示本发明的纳米技术工艺中对导体层进行蚀刻的截面示意图。

图2f显示本发明的纳米技术工艺的附加绝缘层的截面示意图。

图2g显示本发明的纳米技术工艺的形成第二层天线组件的导体层的截面示意图。

图2h显示本发明的纳米技术工艺的形成多层天线组件的截面示意图。

图3a显示本发明的纳米技术工艺所制成的天线的横向截面示意图。

图3b显示本发明的纳米技术工艺所制成的天线的纵向截面示意图。

图4显示本发明的薄膜技术工艺的金属罩网板的平面示意图。

图5a显示本发明的薄膜技术工艺的基板的截面示意图。

图5b显示本发明的薄膜技术工艺的附加金属罩网板的截面示意图。

图5c显示本发明的薄膜技术工艺的形成导体层的截面示意图。

图5d显示图5c的平面示意图。

图5e显示图5c移除金属罩网板的截面示意图。

图5f显示本发明的薄膜技术工艺的附加介电质层的截面示意图。

图5g显示本发明的薄膜技术工艺的形成第二层导体层的截面示意图。

图5h显示图5g移除金属罩网板的截面示意图。

图5i显示本发明的薄膜技术工艺的形成多层天线组件的截面示意图。

图6显示本发明的厚膜技术工艺的金属罩网板的平面示意图。

图7a显示本发明的厚膜技术工艺的基板的截面示意图。

图7b显示本发明的厚膜技术工艺的附加金属罩网板的截面示意图。

图7c显示本发明的厚膜技术工艺的形成导体层的截面示意图。

图7d显示图7c的平面示意图。

图7e显示图7c移除金属罩网板的截面示意图。

图7f显示本发明的厚膜技术工艺的附加介电质层的截面示意图。

图7g显示本发明的厚膜技术工艺的形成第二层导体层的截面示意图。

图7h显示图7g移除金属罩网板的截面示意图。

图7i显示本发明的厚膜技术工艺的形成多层天线组件的截面示意图。

图8a显示本发明的打印技术工艺的数字屏蔽信息的示意图。

图8b显示本发明的打印技术工艺的导体墨水的示意图。

图8c显示本发明的打印技术工艺的绝缘墨水的示意图。

图9a显示本发明的打印技术工艺的基板的截面示意图。

图9b显示本发明的打印技术工艺的形成导体层的截面示意图。

图9c显示本发明的打印技术工艺的附加绝缘层的截面示意图。

图9d显示本发明的打印技术工艺的形成多层天线组件的截面示意图。

图10a显示本发明的pcb技术工艺的基板的截面示意图。

图10b显示本发明的pcb技术工艺的附加感光膜层的截面示意图。

图10c显示本发明的pcb技术工艺中对感光膜层进行光显影程序的截面示意图。

图10d显示本发明的pcb技术工艺中对导体层进行蚀刻的截面示意图。

图10e显示本发明的pcb技术工艺的附加绝缘层的截面示意图。

图10f显示本发明的pcb技术工艺的形成第二层天线组件的导体层的截面示意图。

图10g显示本发明的pcb技术工艺的形成多层天线组件的截面示意图。

图11显示本发明的pcb技术工艺的光罩示意图。

图12a显示本发明的天线装置连接电池的示意图。

图12b显示本发明的天线装置连接电源的示意图。

具体实施方式

现就本发明的结构组成，及所能产生的功效与优点，配合说明书附图，举本发明的一较佳实施例详细说明如下。

本发明的纳米天线装置的制造方法，可应用多种工艺制成该纳米天线装置，各个工艺于下文中说明。

使用纳米技术制作天线装置

本发明的具有纳米级(1~10nm)的金属厚度及金属间隙的多层薄膜金属线圈(thinfilmmetalcoilwithmulti-layersinnano-scale(1–10nm)metalthicknessandgap)，可应用纳米技术制成。其工艺如下：

取一基板10置于真空环境中，如图2a所示(步骤500)，该基板10为绝缘材料所制成。在该基板10上方执行下列步骤：

应用溅镀的方式沉积形成一导体层20，如图2b所示(步骤502)。

在该导体层20上方涂覆一光阻层30，如图2c所示(步骤504)。

应用一光罩40对该光阻层30进行光显影(photo-lithography)程序。其中该光罩40如图1所示，具有一螺旋形的回路51，其中该回路51之间形成空隙52，因此经过光显影之后，下方的光阻层30与该光罩40的回路51的空隙52重叠的部分会被蚀刻掉，而形成同于该光罩40的一回路31，如图2d所示(步骤506)。

应用电浆或化学蚀刻方式对该导体层20进行蚀刻，如图2e所示，使得该导体层20与上方光阻层30所形成的回路31的空隙重叠的部分会被蚀刻掉，而令该导体层20形成同于该光阻层30的回路。然后移除该光阻层30。如此该导体层20即形成一天线回路21(步骤508)。当该导体层20通过电流时即可辐射电磁波。

在该导体层20周围沉积形成一绝缘层50，而包覆住该导体层20，如图2f所示。其中可应用溅镀或电浆化学气相沉积(pecvd)等等的方式形成该绝缘层50。因此该导体层20及该绝缘层50形成第一层的天线组件1(步骤510)。该绝缘层50的作用即在于保护该导体层20，避免短路。该绝缘层50的材料以不吸收电磁波而让电磁波可通过者为佳。

然后在该第一层的天线组件1上方重复步骤502至步骤510，因此形成第二层的天线组件2，如图2g至图2h所示(步骤512)。

重复上述的步骤，可以形成多层的天线组件1、2、3、4，如图2h所示，其中最上层的导体层20上方可以不覆盖绝缘层50(步骤514)。应用多层的天线组件可以增加辐射的电磁波，达到更高的导电效率。如图2h所示，各层的天线组件1、2、3、4中的天线回路21，较佳者能互相错开，以达到较好的辐射效果。

其中各层天线组件1、2、3、4的厚度为数纳米至数百纳米。图3b中显示四层的天线组件1、2、3、4，其中该四层的天线组件1、2、3、4的天线回路21的堆栈厚度总和约为100nm。而目前现有技术的电线绕折形成的天线产品其厚度为1mm，因此本发明的天线的成本仅为现有技术材料成本的万分之一。

如图3a所示，该天线回路21的内侧及外侧可配置电极端211、212以连接外部的电线，以形成导电回路。

使用薄膜技术制作天线装置

本发明的多层薄膜金属线圈也可应用物理气相沉积(pvd)制成。其工艺如下：

取一基板10置于真空环境中，如图5a所示(步骤600)，该基板10可为软性塑料绝缘材料制成。

制备一金属罩网板60，如图4所示，该金属罩网板60具有空隙61，且该空隙61形成一螺旋形的回路62(步骤602)。

在该基板10上方放置该金属罩网板60，如图5b所示(步骤604)。

应用溅镀或沉积的方式在该金属罩网板60的空隙61中形成一导体层20，因此该导体层20形成同于该金属罩网板60的空隙61的回路，如此该导体层20即形成一天线回路21，如图5c及图5d所示(步骤606)。

在真空环境中，移除该金属罩网板60，如图5e所示(步骤608)。

在真空环境中，应用溅镀或沉积的方式在该导体层20周围形成一介电质层70，而包覆住该导体层20，因此该导体层20及该介电质层70形成第一层的天线组件1，如图5f所示(步骤610)。

然后在该第一层的天线组件1上方再次覆盖该金属罩网板60并偏移一段设定的距离，使得所形成的第二层的天线组件2的导体层20的天线回路21之间的空隙23不对齐于下方第一层的天线组件1的导体层20的天线回路21之间的空隙23，如图5g所示。然后，在大气中对该天线组件涂覆或喷洒导电胶于该金属罩网板60的空隙61，然后移除该金属罩网板60，使得该导电胶凝固后形成第二层的导体层20，其即为第二层的天线回路21，如图5h所示。然后在真空环境中，应用溅镀或沉积的方式在第二层的该导体层20周围形成第二层的介电质层70，而包覆住该导体层20，因此第二层的该导体层20及该介电质层70形成第二层的天线组件2，如图5i所示(步骤612)。

重复上述的步骤612，可以形成多层的天线组件1、2、3、4，如图5i所示，且各层的天线组件1、2、3、4中的天线回路21互相错开，其中最上层的导体层20上方可以不覆盖绝缘层50(步骤614)。应用多层的天线组件可以增加辐射的电磁波，达到更高的导电效率。

其中各层天线组件1、2、3、4的厚度为数个纳米至数百纳米。

使用厚膜技术制作天线装置

本发明的多层薄膜金属线圈可通过已知的厚膜技术在大气中应用金属罩网板制成，其工艺与上述实施例非常相似，其差异在于厚膜在大气中制成，其工艺如下：

取一基板10，如图7a所示(步骤700)。

制备一金属罩网板60，如图6所示，该金属罩网板60具有空隙61，且该空隙61形成一螺旋形的回路62(步骤702)。

在大气中，在该基板10上方放置该金属罩网板60，如图7b所示(步骤704)。

在大气中，应用喷洒或涂覆的方式在该金属罩网板60的空隙61中形成一导体层20，因此该导体层20形成同于该金属罩网板60的空隙61的回路，如此该导体层20即形成一天线回路21，如图7c及图7d所示(步骤706)。

在大气中，移除该金属罩网板60，如图7e所示(步骤708)。

在大气中，应用喷洒或涂覆的方式在该导体层20周围形成一介电质层70，而包覆住该导体层20，因此该导体层20及该介电质层70形成第一层的天线组件1，如图7f所示(步骤710)。

然后在该第一层的天线组件1上方再次覆盖该金属罩网板60并偏移一段设定的距离，使得所形成的第二层的天线组件2的导体层20的天线回路21之间的空隙23不对齐于下方第一层的天线组件1的导体层20的天线回路21之间的空隙23，如图7g所示。然后，在大气中对该天线组件涂覆或喷洒导电胶于该金属罩网板60的空隙61，然后移除该金属罩网板60，使得该导电胶凝固后形成第二层的导体层20，其即为第二层的天线回路21，如图7h所示。然后在真空环境中，应用溅镀或沉积的方式在第二层的该导体层20周围形成第二层的介电质层70，而包覆住该导体层20，因此第二层的该导体层20及该介电质层70形成第二层的天线组件2，如图7i所示(步骤712)。

重复上述的步骤712，可以形成多层的天线组件1、2、3、4，如图7i所示，且各层的天线组件1、2、3、4中的天线回路21互相错开，其中最上层的导体层20上方可以不覆盖绝缘层50(步骤714)。应用多层的天线组件可以增加辐射的电磁波，达到更高的导电效率。

其中各层天线组件1、2、3、4的厚度为数个纳米至数百纳米。

使用打印技术制作天线装置

本发明的多层薄金属线圈可通过已知的打印技术在大气中制成，其工艺如下：

制备一导体墨水2及一绝缘墨水5，如图8b及图8c所示(步骤800)。

取一基板10，如图9a所示(步骤802)。在该基板10上方执行下列步骤：

在大气中，应用储存于计算机中的一数字屏蔽型态信息80(store/digitizemaskinformationinsidecomputers)，打印该导体墨水2并予以干燥，而形成一导体层20，如图9b所示。其中该数字屏蔽型态信息80所对应的型态为一回路(如图8a所示)，因此该导体层20形成同于该数字屏蔽信息80的回路，如此该导体层20即形成一天线回路21(步骤804)。

在大气中，在该导体层20周围打印该绝缘墨水5并予以干燥，而形成一绝缘层50包覆住该导体层20。因此该导体层20及该绝缘层50形成第一层的天线组件1，如图9c所示(步骤806)。

然后在该第一层的天线组件1上方重复步骤804至步骤806，因此形成第二层的天线组件2(步骤808)。

重复上述的步骤808，可以形成多层的天线组件1、2、3、4，如图9d所示，其中最上层的导体层20上方可以不覆盖绝缘层50(步骤810)。应用多层的天线组件可以增加辐射的电磁波，达到更高的导电效率。如图9d所示，各层的天线组件中的天线回路21，较佳者能互相错开，以达到较好的辐射效果。

其中各层天线组件1、2、3、4的厚度为数个纳米至数百纳米。

使用pcb技术制作天线装置

本发明的多层金属线圈可应用pcb技术制成，其工艺如下：

取一pcb板110(步骤900)，在该pcb板110上方执行下列步骤：

镀上一层铜做为导体层20，如图10a所示(步骤902)。

在暗室中，在该导体层20上方涂覆一感光膜层90，如图10b所示(步骤904)。

应用一光罩40对该感光膜层90进行光显影程序，如图10c所示。其中该光罩40如图11所示，具有一螺旋形的回路，其中该回路之间形成空隙，因此经过光显影的后，下方的感光膜层90与上方回路的空隙重叠的部分会被蚀刻掉，而形成同于该光罩40的回路(步骤906)。

应用显像(filmdeveloping)及铜化学蚀刻方式对该导体层20进行蚀刻，使得该导体层20与上方感光膜层90所形成的回路的空隙重叠的部分会被蚀刻掉，而令该导体层20形成同于该感光膜层90的回路。然后移除该感光膜层90。如此该导体层20即形成一天线回路21，如图10d所示(步骤908)。当该导体层20通过电流时即可辐射电磁波。

应用标准pcb工艺在该导体层20周围形成一绝缘膜100的涂布层，而包覆住该导体层20，如图10e所示。其中可应用施加或溅镀形成该绝缘膜100的涂布层。因此该导体层20及该绝缘膜100形成第一层的天线组件1(步骤910)。该绝缘膜100的作用即在于保护该导体层20，避免短路。该绝缘膜100的材料以不吸收电磁波而让电磁波可通过者为佳。

然后在该第一层的天线组件1上方重复步骤902至步骤910，因此形成第二层的天线组件2，如图10f至图10g所示(步骤912)。

重复上述的步骤912，可以形成多层的天线组件1、2、3、4，如图10g所示，依此一步骤可以累积多层的天线组件以达到所需要的厚度或层次。其中最上层的导体层20上方可以不覆盖绝缘膜100的涂布层(步骤914)。应用多层的天线组件可以增加辐射的电磁波，达到更高的导电效率。如图10g所示，各层的天线组件1、2、3、4中的天线回路21，较佳者能互相错开，以达到较好的辐射效果。

其中各层天线组件1、2、3、4的厚度为数个纳米至数百纳米。

本发明的天线装置在使用时，必须将各层的天线回路21通以电源，所以使用者可视其需要对各层的天线回路21安装电线以形成导电回路。如图12a所示，其中显示电线的安装的实施例，将电池200的一电极201安装至所有天线回路21的外侧，而所有天线回路21的内侧则应用该电池200的另一电极202，使其贯穿整个天线装置以使得该另一电极202可以接触到所有天线回路21的内侧。

当天线装置应用于接收电磁波以产生电流时，外界产生的电磁波会在该天线装置的各个天线回路21上形成电流，该电流流经电池时可为该电池所吸收而储能，本发明中应用多层交错的天线回路21可以增加天线吸收的效率，而不会使得某些电磁波没有被捕获，所以整体的接收效率可以超过九成，比现有天线的效率高出很多。

本发明的天线装置也可以连接于电源端，如图12b所示，其中显示电线的安装的另一实施例，将电源300的一电极301安装至所有天线回路21的外侧，而所有天线回路21的内侧则应用该电源300的另一电极302，使其贯穿整个天线装置以使得该另一电极302可以接触到所有天线回路21的内侧。

显然，所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。