光电传感器及制备方法、基板、OLED显示面板与流程

本发明涉及显示技术领域，具体地，涉及光电传感器及制备方法、具有光电传感功能的基板、oled显示面板。

背景技术：

光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件，其工作原理基于光电效应，具体的，光照射在某些物质上时，物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。有机电致发光显示器(oled)是一种主动发光器件，具有超轻、超薄、低功耗、高亮度、高对比度和高分辨率等优点。将光电传感器集成在具有指纹识别功能的oled显示器中，可以实现光电传感指纹识别。

然而，目前的光电传感器及制备方法、具有光电传感功能的基板、oled显示面板仍有待改进。

技术实现要素：

本发明是基于发明人对于以下事实和问题的发现和认识作出的：

目前，具有光电传感指纹识别功能的oled显示器存在检测精度低以及分辨率低的问题。发明人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于上述oled显示器中的光电传感器对光线的吸收能力较差以及光电传感器的面积较大导致的。具体的，在指纹识别过程中，oled显示器发光区发出的光线照射至手指上，经手指反射后光线入射至光电传感器中，由于光电传感器中各层光电传感膜层对光线的反射较严重，导致光电传感器的吸光量较小，进而光电传感器转换的电信号较弱，从而导致检测精度降低，影响指纹识别。此外，为了提高检测精度，需要增强光电传感器对光线的吸收能力，目前通常采用的方法是将光电传感器做大，也即是说，增大光电传感器的面积，从而增加其吸光量，然而光电传感器面积增大，会导致发光区面积减小，进而降低oled显示器的分辨率，影响显示品质。

本发明旨在至少一定程度上缓解或解决上述提及问题中至少一个。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种光电传感器。该光电传感器包括：第一电极；第一类型半导体层，所述第一类型半导体层由p型材料和n型材料中的一者形成，所述第一类型半导体层设置在所述第一电极上；本征半导体层，所述本征半导体层设置在所述第一类型半导体层远离所述第一电极的一侧；第二类型半导体层，所述第二类型半导体层由p型材料和n型材料中的另一者形成，所述第二类型半导体层设置在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一侧，所述第二类型半导体层包括多个依次层叠设置的半导体亚层，使得所述第二类型半导体层形成减反射膜；以及第二电极，所述第二电极设置在所述第二类型半导体层远离所述本征半导体层的一侧，所述第二电极由透明导电材料形成。由此，该光电传感器可以减少对光线的反射，具有较大的吸光量，应用该光电传感器的oled显示面板，在光电传感器面积不变的情况下，可以具有较高的检测精度，且在相同吸光量的情况下，可以将该光电传感器做小，从而增大发光区的面积，提高oled显示面板的分辨率，提高显示品质。

根据本发明的实施例，沿远离所述本征半导体层方向，多个所述半导体亚层的折射率依次递减，多个所述半导体亚层的折射率分别独立地为5.0-3.8。各个半导体亚层的折射率不同，光线会在半导体亚层中产生干涉，由此，可以减少光线的反射，增大光电传感器对光线的吸收。

根据本发明的实施例，所述第一类型半导体层以及所述第二类型半导体层分别独立地由掺杂的非晶硅、多晶硅以及单晶硅的至少之一构成。由此，可以利用上述来源广泛的材料形成第一类型半导体层以及第二类型半导体层。

根据本发明的实施例，多个所述半导体亚层的厚度相等。由此，可以进一步增大光电传感器对光线的吸收。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种制备光电传感器的方法。根据本发明的实施例，该方法包括：在第一电极上设置第一类型半导体层，所述第一类型半导体层由p型材料和n型材料中的一者形成；在所述第一类型半导体层远离所述第一电极的一侧设置本征半导体层；在所述本征半导体层远离所述第一类型半导体层的一层设置第二类型半导体层，所述第二类型半导体层由p型材料和n型材料中的另一者形成，所述第二类型半导体层包括多个依次层叠设置的半导体亚层，使得所述第二类型半导体层形成减反射膜；以及在所述第二类型半导体层远离所述本征半导体层的一侧设置第二电极，所述第二电极由透明导电材料形成。由此，利用简单的方法即可获得具有较大吸光量的光电传感器，应用该光电传感器的oled显示面板，在光电传感器面积不变的情况下，可以具有较高的检测精度，且在相同吸光量的情况下，可以将该光电传感器做小，从而增大发光区的面积，提高oled显示面板的分辨率，提高显示品质。

根据本发明的实施例，所述第一类型半导体层、所述本征半导体层以及所述第二类型半导体层是通过等离子体增强化学气相沉积形成的，沿远离所述本征半导体层方向，多个所述半导体亚层的折射率依次递减，且是通过在沉积过程中控制用于形成所述第二类型半导体层的原料气体的流量而实现的。由此，可以获得折射率不同的多个半导体亚层，从而减少对光线的反射，进而获得具有较大吸光量的光电传感器。

根据本发明的实施例，所述原料气体包括磷烷、硼烷以及硅烷，所述方法进一步包括：所述第二类型半导体层由n型材料形成，所述原料气体为磷烷或硅烷，控制所述磷烷或所述硅烷的气体流量，以令多个所述半导体亚层的折射率分别独立地为5.0-3.8；或者，所述第二类型半导体层由p型材料形成，所述原料气体为硼烷或硅烷，控制所述硼烷或所述硅烷的气体流量，令多个所述半导体亚层的折射率分别独立地为5.0-3.8。由此，利用简单的方法即可获得折射率不同的多个半导体亚层，进而获得具有较大吸光量的光电传感器。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种具有光电传感功能的基板。根据本发明的实施例，该基板包括薄膜晶体管以及光电传感器，所述光电传感器为前面所述的。由此，该基板可以具有前面所述的光电传感器的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该基板集成了薄膜晶体管和光电传感器，可以起到控制作用，同时具有较大的吸光量，应用该基板的oled显示面板可以具有较高的检测精度，以及较高的分辨率，提高显示品质。

根据本发明的实施例，所述薄膜晶体管包括依次层叠设置的衬底、有源层、绝缘层、栅极、层间介电层、源极和漏极以及平坦化层，或者，所述薄膜晶体管包括依次层叠设置的衬底、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极以及平坦化层，所述光电传感器设置在所述平坦化层中，且所述光电传感器中的所述第一电极与所述源极和所述漏极同层同材料设置。由此，可以获得顶栅型薄膜晶体管与光电传感器集成的基板，或者底栅型薄膜晶体管与光电传感器集成的基板。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种oled显示面板。根据本发明的实施例，该oled显示面板包括前面所述的基板。由此，该oled显示面板可以具有前面所述的基板的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该oled显示面板具有较高的检测精度以及较高的分辨率，提高显示品质。

附图说明

本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：

图1显示了根据本发明一个实施例的光电传感器的结构示意图；

图2显示了根据本发明一个实施例的制备光电传感器的方法的流程示意图；

图3显示了根据本发明一个实施例的具有光电传感功能的基板的结构示意图；

图4显示了根据本发明另一个实施例的具有光电传感功能的基板的结构示意图；

图5显示了根据本发明另一个实施例的具有光电传感功能的基板的结构示意图；以及

图6显示了根据本发明另一个实施例的具有光电传感功能的基板的结构示意图。

附图标记说明：

100：第一电极；200：第一类型半导体层；300：本征半导体层；400：第二类型半导体层；410：半导体亚层；500：第二电极；600：阳极；10：衬底；20：绝缘层；30：层间介电层；40：平坦化层；50：有源层；60：栅极；70：源极；80：漏极；90：缓冲层。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。

在本发明的一个方面，本发明提出了一种光电传感器。根据本发明的实施例，参考图1，该光电传感器包括：第一电极100、第一类型半导体层200、本征半导体层300、第二类型半导体层400以及第二电极500。其中，第一类型半导体层200由p型材料和n型材料中的一者形成，第一类型半导体层200设置在第一电极100上，本征半导体层300设置在第一类型半导体层200远离第一电极100的一侧，第二类型半导体层400由p型材料和n型材料中的另一者形成，第二类型半导体层400设置在本征半导体层300远离第一类型半导体层200的一侧，第二类型半导体层400包括多个依次层叠设置的半导体亚层410(如图中所示出的410a、410b以及410c)，使得第二类型半导体层400形成减反射膜，第二电极500设置在第二类型半导体层400远离本征半导体层300的一侧，第二电极500由透明导电材料形成。由此，该光电传感器可以减少对光线的反射，具有较大的吸光量，应用该光电传感器的oled显示面板，在光电传感器面积不变的情况下，可以具有较高的检测精度，且在相同吸光量的情况下，可以将该光电传感器做小，从而增大发光区的面积，提高oled显示面板的分辨率，提高显示品质。

为了便于理解，下面首先对根据本发明实施例的光电传感器进行简单说明：

如前所述，现有的具有光电传感指纹识别的oled显示器中的光电传感器接收光线的效率不高，一方面导致其检测精度较低，另一方面为了获得较高的检测精度，需要将光电传感器做大，导致发光区面积减小，降低上述oled显示器的分辨率，影响显示品质。

根据本发明的实施例，通过对光电传感器表面的感光膜层进行改进，使得表面的感光膜层形成减反射膜，具体的，将表面的感光膜层设计为多层具有梯度折射率的膜层，当光线照射至具有梯度折射率的膜层时，由于不同膜层的折射率不同，光线会在多个膜层中产生干涉，从而减少膜层对光线的反射，增大对光线的吸收，提高检测精度，且在光电传感器吸光量不变的情况下，可以减小光电传感器的面积，从而增大oled显示器发光区的面积，进而提高oled显示器的分辨率，提高显示品质。

下面根据本发明的具体实施例，对该光电传感器的各个结构进行详细说明：

根据本发明的实施例，第二类型半导体层400包括多个依次层叠设置的半导体亚层410，且沿远离本征半导体300方向的多个半导体亚层410的折射率依次递减，由此，使得第二类型半导体层形成减反射膜，当光线照射至第二电极上时，光线透过透明的第二电极入射至半导体亚层中，由于各半导体亚层折射率不同，光线在各半导体亚层中会产生干涉，从而减少上述感光膜层对光线的反射，增大光电传感器的吸光量，应用该光电传感器的oled显示面板，在光电传感器面积不变的情况下，可以提高检测精度，在吸光量不变的情况下，可以减小光电传感器的面积，提高分辨率，提高显示品质。

关于半导体亚层的层数不受特别限制，只要各半导体亚层的折射率不同，且在沿远离本征半导体层的方向上依次递减即可，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如，根据本发明的具体实施例，半导体亚层410可以为2层、3层、4层、5层。

根据本发明的实施例，折射率依次递减的各半导体亚层410的折射率分别独立地为5.0-3.8。由此，可以减少光线的反射，增大光电传感器对光线的吸收。例如，根据本发明的具体实施例，当半导体亚层410为3层时，沿远离本征半导体层300方向的第一个半导体亚层410的折射率可以为5.0，第二个半导体亚层410的折射率可以为4.5，第三个半导体亚层410的折射率可以为3.9。

根据本发明的实施例，各半导体亚层410的厚度相等。由此，可以进一步增大光电传感器对光线的吸收。关于第二类型半导体层的厚度，即多个半导体亚层的总厚度，本领域技术人员可以根据实际情况进行设计，在此不再赘述。

根据本发明的实施例，第一类型半导体层200以及第二类型半导体层400分别独立地由掺杂的非晶硅、多晶硅以及单晶硅的至少之一构成。由此，可以利用上述来源广泛的材料形成第一类型半导体层以及第二类型半导体层。

根据本发明的实施例，第一类型半导体层200可以为p型材料或者n型材料，即通过对非晶硅、多晶硅以及单晶硅的至少之一进行掺杂，以形成p型半导体层或者n型半导体层。类似的，第二类型半导体层400可以为n型材料或者p型材料，即通过对非晶硅、多晶硅以及单晶硅的至少之一进行掺杂，以形成n型半导体层或者p型半导体层。根据本发明的实施例，当第一类型半导体层为p型材料时，第二类型半导体层400为n型材料，当第一类型半导体层200为n型材料时，第二类型半导体层400为p型材料。

关于第一类型半导体层的厚度，本领域技术人员可以根据实际情况进行设计，在此不再赘述。

根据本发明的实施例，本征半导体层300可以为未掺杂的非晶硅、多晶硅以及单晶硅的至少之一。由此，可以实现光电传感器的使用功能。关于本征半导体层的厚度，本领域技术人员可以根据实际情况进行设计，在此不再赘述。

关于第一电极的材料不受特别限制，只要具有良好的导电性能即可，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种制备光电传感器的方法。根据本发明的实施例，该方法制备的光电传感器可以为前面描述的光电传感器，由此，由该方法制备的光电传感器可以具有与前面描述的光电传感器相同的特征以及优点，在此不再赘述。

根据本发明的实施例，参考图2，该方法包括：

s100：在第一电极上设置第一类型半导体层

根据本发明的实施例，在该步骤中，在第一电极上设置第一类型半导体层。关于第一电极的材料不受特别限制，只要具有良好的导电性能即可，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。

关于第一类型半导体层的材料，前面已经进行了详细描述，在此不再赘述。例如，根据本发明的实施例，第一类型半导体层可以由掺杂的非晶硅、多晶硅以及单晶硅的至少之一构成，具体的，第一类型半导体层可以为p型材料或者n型材料。关于第一类型半导体层的厚度，本领域技术人员可以根据实际情况进行设计，在此不再赘述。

关于第一类型半导体层的形成工艺不受特别限制，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如，根据本发明的实施例，第一类型半导体层可以是通过等离子体增强化学气相沉积(pecvd)形成的，当第一类型半导体层为p型材料时，掺杂的气体原料可以为硼烷或硅烷，当第一类型半导体层为n型材料时，掺杂的气体原料可以为磷烷或硅烷。

s200：在第一类型半导体层远离第一电极的一侧设置本征半导体层

根据本发明的实施例，在该步骤中，在第一类型半导体层远离第一电极的一侧设置本征半导体层。根据本发明的实施例，本征半导体层可以为未掺杂的非晶硅、多晶硅以及单晶硅的至少之一。由此，可以实现光电传感器的使用功能。关于本征半导体层的厚度，本领域技术人员可以根据实际情况进行设计，在此不再赘述。

关于本征半导体层的形成工艺不受特别限制，本领域技术人员可以根据具体情况进行设计。例如，根据本发明的实施例，本征半导体层可以是通过等离子体增强化学气相沉积形成的。

s300：在本征半导体层远离第一类型半导体层的一侧设置第二类型半导体层

根据本发明的实施例，在该步骤中，在本征半导体层远离第一类型半导体层的一侧设置第二类型半导体层。根据本发明的实施例，第二类型半导体层包括多个依次层叠设置的半导体亚层，使得第二类型半导体层形成减反射膜。由此，可以减少对光线的反射，使得光电传感器具有较大的吸光量。

根据本发明的实施例，沿远离本征半导体层方向，多个半导体亚层的折射率依次递减，由此，可以使得第二类型半导体层形成减反射膜，当光线照射至半导体亚层中时，由于各半导体亚层折射率不同，光线在各半导体亚层中会产生干涉，从而减少第二类型半导体层对光线的反射，增大光电传感器的吸光量。

关于第二类型半导体层的材料以及厚度，前面已经进行了详细描述，在此不再赘述。例如，根据本发明的实施例，第二类型半导体层可以由掺杂的非晶硅、多晶硅以及单晶硅的至少之一构成，具体的，第二类型半导体层可以为n型材料或者p型材料。根据本发明的实施例，当第一类型半导体层为p型材料时，第二类型半导体层为n型材料，当第一类型半导体层为n型材料时，第二类型半导体层为p型材料。关于第二类型半导体层的厚度，即多个半导体亚层的总厚度，本领域技术人员可以根据实际情况进行设计，在此不再赘述。

根据本发明的实施例，第二类型半导体层可以是通过等离子体增强化学气相沉积形成的，当第二类型半导体层为n型材料时，掺杂的气体原料可以为磷烷或硅烷，当第二类型半导体层为p型材料时，掺杂的气体原料可以为硼烷或硅烷。根据本发明的实施例，多个半导体亚层的折射率依次递减，可以是通过在沉积过程中控制用于形成第二类型半导体层的原料气体的流量而实现的。通过控制原料气体的流量可以改变半导体亚层对光线的反射系数，使得半导体亚层起到减反射的作用，进而获得具有较大吸光量的光电传感器。

根据本发明的具体实施例，当第二类型半导体层为n型材料时，在沉积过程中可以控制磷烷或硅烷的气体流量，使得多个半导体亚层的折射率分别独立地为5.0-3.8，当第二类型半导体层为p型材料时，在沉积过程中可以控制硼烷或硅烷的气体流量，使得多个半导体亚层的折射率分别独立地为5.0-3.8。由此，利用简单的方法即可获得折射率不同的多个半导体亚层，进而获得具有较大吸光量的光电传感器。

关于半导体亚层的层数以及厚度，前面已经进行了详细描述，在此不再赘述。例如，根据本发明的实施例，半导体亚层的层数可以为2层、3层、4层、5层，各半导体亚层的厚度相等。由此，光线照射至半导体亚层时，由于各半导体亚层的折射率不同，光线会在半导体亚层中产生干涉，减少半导体亚层对光线的反射，获得吸光量较大的光电传感器。

根据本发明的具体实施例，当第二类型半导体层为n型材料，且由两层半导体亚层构成时，获得折射率依次递减的半导体亚层可以是通过以下步骤实现的：首先，在本征半导体层远离第一类型半导体层的一侧，通过控制磷烷的气体流量沉积一层高折射率的半导体亚层。随后，改变磷烷的气体流量，在高折射率的半导体亚层远离本征半导体层的一侧，沉积一层低折射率的半导体亚层。由此，获得折射率不同的半导体亚层，以达到减少光线反射的效果，从而增大光电传感器的吸光量。

s400：在第二类型半导体层远离本征半导体层的一侧设置第二电极

根据本发明的实施例，在该步骤中，在第二类型半导体层远离本征半导体层的一侧设置第二电极。根据本发明的实施例，第二电极由透明导电材料形成，由此，光线可以透过第二电极入射至第二类型半导体层上，实现光电传感器对光线的吸收。具体的，第二电极可以由氧化铟锡构成。

综上，利用等离子体增强化学气相沉积形成第二类型半导体层，并调整沉积过程中用于形成第二类型半导体层的原料气体的流量，可以获得折射率不同的多个半导体亚层，进而获得具有较大吸光量的光电传感器，应用该光电传感器的oled显示面板，在光电传感器面积不变的情况下，可以具有较高的检测精度，且在相同吸光量的情况下，可以将该光电传感器做小，从而增大发光区的面积，提高oled显示面板的分辨率，提高显示品质。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种具有光电传感功能的基板。根据本发明的实施例，参考图3以及图4，该基板包括薄膜晶体管以及光电传感器，其中，光电传感器为前面所描述的。由此，该基板可以具有前面描述的光电传感器的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该基板集成了薄膜晶体管和光电传感器，可以起到控制作用，同时具有较大的吸光量，应用该基板的oled显示面板可以具有较高的检测精度，以及较高的分辨率，提高显示品质。

根据本发明的实施例，薄膜晶体管与光电传感器集成上述基板，关于薄膜晶体管的类型不受特别限制，例如，根据本发明的实施例，参考图3，薄膜晶体管可以为顶栅型，具体的，薄膜晶体管包括依次层叠设置的衬底10、有源层50、绝缘层20、栅极60、层间介电层30、源极70和漏极80，以及平坦化层40，光电传感器设置在平坦化层40中，且光电传感器中的第一电极100与源极70和漏极80同层同材料设置。由此，可以获得顶栅型薄膜晶体管与光电传感器集成的基板。

或者，根据本发明的另一些实施例，参考图4，薄膜晶体管可以为底栅型，具体的，薄膜晶体管包括依次层叠设置的衬底10、栅极60、绝缘层20、有源层50、源极70和漏极80，以及平坦化层40，光电传感器设置在平坦化层40中，且光电传感器中的第一电极100与源极70和漏极80同层同材料设置。由此，可以获得底栅型薄膜晶体管与光电传感器集成的基板。

根据本发明的实施例，衬底10可以由刚性材料或者柔性材料形成，由此，具有较广的适用场景。根据本发明的实施例，刚性材料可以为玻璃，柔性材料可以聚酰亚胺等材料。

为了便于理解，下面对根据本发明实施例的基板的制备过程进行简单说明：

以顶栅型薄膜晶体管与光电传感器集成的基板为例，参考图3，首先，在衬底10上通过pecvd沉积非晶硅层，并通过准分子激光晶化以及构图工艺形成低温多晶硅有源层50。随后，在衬底10以及有源层50上依次沉积绝缘层20以及金属层，并通过构图工艺形成栅极60。随后，利用栅极60为掩膜，对有源层50的特定区域进行重离子掺杂(例如，硼离子)，以形成源区和漏区。随后，在绝缘层20以及栅极60远离衬底10的一侧，沉积层间介电层30，并在层间介电层30上通过构图工艺进行孔洞刻蚀形成过孔，过孔分别位于有源层50的上方。随后，在层间介电层30远离绝缘层20的一侧以及过孔中沉积金属，并通过构图工艺形成源极70、漏极80以及光电传感器的第一电极100。

以光电传感器中第一类型半导体层为p型材料，第二类型半导体层为n型材料为例，在制备好第一电极100之后，通过pecvd在第一电极100远离层间介电层30的一侧，依次沉积一层硼掺杂的第一类型半导体层200、未掺杂的本征半导体层300、掺杂磷的且具有折射率梯度的多个半导体亚层410(即第二类型半导体层400)，沿远离本征半导体层300方向的多个半导体亚层410的折射率依次递减。随后，在第二类型半导体层400远离本征半导体层300的一侧，沉积透明导电材料，并通过构图工艺形成第二电极500。随后，沉积平坦化层40以覆盖层间介电层30、源极70、漏极80以及第二电极500。关于折射率不同的多个半导体亚层的制备过程，前面已经进行了详细描述，在此不再赘述。

根据本发明的实施例，参考图5以及图6，衬底10与绝缘层20之间还可以设置有缓冲层90，由此，增加有源层或者栅极与衬底之间的附着力。根据本发明的实施例，缓冲层9可以是通过pecvd形成的。

根据本发明的实施例，该基板还可以包括阳极600，阳极600设置在平坦化层40远离衬底10的一侧，且阳极600与源极70、第二电极500相连。由此，进一步提高基板的集成度。根据本发明的实施例，阳极600可以是通过以下步骤形成的：首先，利用构图工艺在平坦化层40中形成过孔，过孔分别位于源极70以及第二电极500的上方。随后，在平坦化层40远离衬底10的一侧以及过孔中，沉积透明导电材料(例如，氧化铟锡)，并通过构图工艺形成阳极600。

根据本发明的实施例，应用该基板的oled显示面板，在指纹识别过程中，发光区发出的光线首先照射至手指上，光线经手指反射至光电传感器中，也即是说，经手指反射的光线会进入折射率不同的半导体亚层中，由于各半导体亚层的折射率不同，光线会在多个半导体亚层中产生干涉，使得第二类型半导体层形成减反射膜，减少光线的反射，增大光电传感器对光线的吸收。在光电传感器面积不变的情况下，可以获得较大的吸光量，从而提高检测精度；在吸光量不变的情况下，可以减小光电传感器的面积，从而增大发光区的面积，进而提高oled显示面板的分辨率，提高显示品质。

在本发明的另一方面，本发明提出了一种oled显示面板。根据本发明的实施例，该oled显示面板包括前面描述的基板。由此，该oled显示面板可以具有前面描述的基板的全部特征以及优点，在此不再赘述。总的来说，该oled显示面板具有较高的检测精度以及较高的分辨率，提高显示品质。

在本发明的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。

尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。