技术特征：
技术总结
本发明公开一种高压器件的制作方法及MOS管器件，提供一衬底，衬底包括高压器件区域与低压器件区域，于衬底上形成覆盖高压器件区域与低压器件区域的氮化层；包括步骤S1、于氮化层上开设暴露高压器件区域的工艺窗口，以氮化层为掩膜，形成覆盖高压器件区域的栅极氧化层，并使栅极氧化层位于低压器件区域的衬底表面以下，且具有第一预设厚度；步骤S2、去除位于低压器件区域的衬底表面以上的栅极氧化层；步骤S3、去除氮化层，然后进行后续工艺。有益效果：通过去除位于低压期间区域的衬底表面以上的栅极氧化层，以使得高压器件区域与低压器件区域的栅极氧化层的厚度落差减小，提高晶圆光刻的自由度，扩大后续蚀刻层次，比如多晶硅层刻蚀的工艺窗口。
技术研发人员：赵东光;占琼
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
技术研发日：2018.09.26
技术公布日：2019.02.01