基于SIW的TM双模平衡带通滤波器的制作方法

文档序号:16850619发布日期:2019-02-12 22:42阅读:305来源:国知局
基于SIW的TM双模平衡带通滤波器的制作方法

本发明涉及一种滤波器,特别是一种基于siw的tm双模平衡带通滤波器。



背景技术:

在现代无线通信系统中,平衡器件受到了越来越多的关注,因为平衡器件可以有效抑制环境噪声和系统内部的噪声。而滤波器是通信系统设备必不可少的器件。平衡带通滤波器可以有效抑制环境和系统内部产生的噪声,因而广泛应用于现代无线通信电路。高选择性、小型化、高共模抑制的新型平衡带通滤波器是市场的迫切需求,也是平衡带通滤波器发展的必然趋势。

基片集成波导(siw)技术因其小型化、易集成、高q值的优点,受到越来越多的关注。使用双模或多模理念设计滤波器时,可以实现在不增加谐振器数目的同时提高单个腔体的选择性,从而可以有效减小滤波器的尺寸。利用tm模式可以使n阶滤波器产生n个传输零点,提高滤波器的选择性。但是由于使用tm双模或多模设计滤波器时不可避免的会有高次模的产生,从而在通带不远处出现一个或多个寄生通带,如何减小寄生通带或让寄生通带远离中心频率是一个重要的问题。本设计通过对耦合缝隙的位置以及尺寸进行合理设计,tm120和tm210模附近的六个模式被有效抑制,实现了良好的宽阻带抑制性能。在共模激励下,由于微带线中间形成了磁壁,磁流无法通过耦合缝隙进入siw谐振腔,从而在较宽的频带范围内实现了高共模抑制。



技术实现要素:

本发明要解决的技术问题是针对上述现有技术的不足,而提供一种基于siw的tm双模平衡带通滤波器,该基于siw的tm双模平衡带通滤波器能在差模激励下,通过矩形缝隙激励起谐振腔内的tm120和tm210模(谐振模式)以及te10和te01模(非谐振模式),不仅在通带内产生了两个极点,而且在通带两侧分别产生了一个传输零点,有效地提高了滤波器的选择性。此外,通过对矩形缝隙的位置以及尺寸进行合理设计,tm120和tm210模式附近的六个模式被有效抑制,实现了良好的宽阻带抑制性能。在共模激励下,由于微带线中间的凸起部位形成了磁壁,磁流无法通过矩形缝隙进入siw谐振腔,从而在较宽的频带范围内实现了高共模抑制。

为解决上述技术问题,本发明采用的技术方案是:

一种基于siw的tm双模平衡带通滤波器,包括从上至下依次同轴设置的介质基板一、金属板一、介质基板二、金属板二和介质基板三。

假设以每块介质基板或金属板的中心为原点,以过原点且平行于带通滤波器边长的方向为x轴,以过原点且垂直于x轴的方向为y轴,建立坐标系。

介质基板一上设置微带线一,该微带线一位于y轴上且关于x轴对称。

金属板一上开设有矩形缝隙一,该矩形缝隙一的中心与金属板一的中心重合,且矩形缝隙一的长边与x轴之间的夹角为θ。

介质基板二上设置有金属通孔阵列和两个微扰金属孔;金属通孔阵列关于x轴和y轴对称;两个微扰金属孔设置在金属通孔阵列内部的x轴上且关于y轴对称。

金属板二上开设有矩形缝隙二,该矩形缝隙二的中心与金属板二的中心重合,且矩形缝隙二的长边与x轴之间的夹角为-θ。

介质基板三上设置微带线二,该微带线二位于x轴上且关于y轴对称。

微带线一和微带线二的中部均设置有凸起。

金属通孔阵列的长度为34.1mm,宽度为33.8mm;金属通孔阵列中每个金属通孔的直径均为1mm,相邻两个金属通孔之间的间距为1.5mm。

每个微扰金属孔的直径均为0.6mm。

微扰金属孔与对应侧x轴上的金属通孔之间的间距为0.8mm。

矩形缝隙一和矩形缝隙二的长度均为10mm,宽度均为0.3mm。

θ=38°。

微带线一和微带线二的宽度为1.58mm。

本发明具有如下有益效果:

1.具有高选择性(良好的矩形系数和带外抑制)。在差模激励下,通过耦合缝隙激励起谐振腔内的tm120和tm210模(谐振模式)以及te10和te01模(非谐振模式),不仅在通带内产生了两个极点,而且在通带两侧分别产生了一个传输零点,有效地提高了滤波器的选择性。

2.具有高共模抑制能力。通过对耦合缝隙(也即矩形缝隙)的位置以及尺寸进行合理设计,tm120和tm210模式附近的六个模式被有效抑制,实现了良好的宽阻带抑制性能。在共模激励下,由于微带线中间的凸起部位形成了磁壁,磁流无法通过耦合缝隙进入siw谐振腔,从而在较宽的频带范围内实现了高共模抑制。

3.首次提出采用tm双模腔来设计平衡滤波器。利用单个谐振腔可以产生两个极点和两个传输零点;通过合理地设计耦合缝隙的位置和尺寸,有效地抑制了通带附近的六个模式,实现了宽阻带性能。引入了微带—槽线转换结构对siw腔进行馈电,实现了在较宽频带范围内的高共模抑制。由于使用了双模腔和多层结构,平衡滤波器的尺寸更加紧凑。

附图说明

图1显示了本发明基于siw的tm双模平衡带通滤波器的结构示意图。

图2显示了介质基板的一个优选实施例。

图3显示了本发明基于siw的tm双模平衡带通滤波器在差模激励下的拓扑结构示意图。

图4显示了本发明基于siw的tm双模平衡带通滤波器的散射参数仿真和测试结果。

其中有:

10.介质基板一;11.微带线一;12.凸起;

20.金属板一;21.矩形缝隙一;

30.介质基板二;31.金属通孔阵列;32.金属通孔;33.微扰金属孔;

40.金属板二;41.矩形缝隙二;

50.介质基板三;51.微带线二。

另外:

w1:微带线宽度;w2:凸起宽度;port1、port1’:第一平衡端口;

ws:矩形缝隙宽度;ls:矩形缝隙长度;θ:耦合缝隙旋转角度;

w:金属通孔阵列宽度;l:金属通孔阵列长度;p:相邻金属通孔之间的间距;d:金属通孔直径;g:微扰金属孔与对应侧x轴上的金属通孔之间的间距;

port2、port2’:第二平衡端口;

s:源;l:负载;ms1:源与tm120之间的耦合系数;ms2:源与tm210之间的耦合系数;msl:源与负载之间的耦合系数。

具体实施方式

下面结合附图和具体较佳实施方式对本发明作进一步详细的说明。

本发明的平衡带通滤波器以工作在中心频率为5.2ghz的wlan系统为例说明,其3db相对带宽为4%。

如图1所示,一种基于siw的tm双模平衡带通滤波器,包括从上至下依次同轴设置的介质基板一10、金属板一20、介质基板二30、金属板二40和介质基板三50。

假设以每块介质基板或金属板的中心为原点,以过原点且平行于带通滤波器边长的方向为x轴,以过原点且垂直于x轴的方向为y轴,建立坐标系,此时为二维坐标系。也即每块介质基板或金属板均具有一个二维坐标系,另外,以过原点且沿带通滤波器的厚度方向为z轴,建立三维坐标。

介质基板一上设置微带线一11,该微带线一位于y轴上且关于x轴对称,其开路端连接第一平衡端口port1、port1’。

介质基板三上设置微带线二51,该微带线二位于x轴上且关于y轴对称,其开路端连接第二平衡端口port2、port2’。

微带线一和微带线二的中部均设置有凸起12。

微带线一和微带线二的宽度,也即微带线宽度w1优选为1.58mm。

介质基板一和介质基板三的材料优选为:

1.相对介电常数为2.2,厚度为0.508mm的rt/duroid5880。

2.采用微波板作为基板的材料,如图2所示,包括基板s1以及包覆在其上、下表面的上金属层s2和下金属层s3。

金属板一上开设有矩形缝隙一21(也称耦合缝隙一);该矩形缝隙一的中心与金属板一的中心重合,且矩形缝隙一的长边与x轴之间的夹角为θ,θ优选为38℃。矩形缝隙一的长边与x轴之间的夹角也可表述为:绕z轴逆时针旋转38°。

金属板一既充当微带线一的地,也作为谐振腔的金属壁。

金属板二上开设有矩形缝隙二41(也称耦合缝隙二),该矩形缝隙二的中心与金属板二的中心重合,且矩形缝隙二的长边与x轴之间的夹角为-θ,也即-38℃。矩形缝隙二的长边与x轴之间的夹角也可可表述为:绕z轴顺时针旋转38°。

矩形缝隙一和矩形缝隙二的长度ls均优选为10mm,宽度ws均优选为0.3mm。

金属板二既充当微带线二的地,也作为谐振腔的金属壁。

介质基板二上设置有金属通孔阵列31和两个微扰金属孔33。

金属通孔阵列关于x轴和y轴对称,金属通孔阵列的长度l优选为34.1mm,宽度w优选为33.8mm;金属通孔阵列中每个金属通孔的直径d均优选为1mm,相邻两个金属通孔之间的间距p优选为1.5mm。

两个微扰金属孔设置在金属通孔阵列内部的x轴上且关于y轴对称。每个微扰金属孔的直径均优选为0.6mm。微扰金属孔与对应侧x轴上的金属通孔之间的间距g优选为0.8mm。

金属通孔阵列构成谐振腔,介质基板二的规格优选为:相对介电常数为3.38,厚度为0.813mm的rogersro4003c。

由金属通孔阵列围成的谐振腔的尺寸(l,w)决定了滤波器的谐振频率。siw谐振腔的初始尺寸由中心频率f0决定;在微波毫米波波段内,通过调整siw腔的尺寸、耦合缝隙的旋转角度和尺寸以及微带线中间部分的宽度,该平衡带通滤波器可以工作在不同的中心频率。

本发明所述平衡带通滤波器的4个端口均采用sma头焊接,以便接入测试或者与电路相连。本发明可用于wlan以及毫米波系统。

如图3中的拓扑结构示意图所示,在差模信号激励下,通过耦合缝隙激励起谐振腔内的tm120和tm210模(谐振模式)以及te10和te01模(非谐振模式),不仅在通带内产生了两个极点,而且在通带两侧分别产生了一个传输零点,有效地提高了滤波器的选择性。

耦合缝隙的特性是只能进行磁耦合。由于所提出siw腔的前八个谐振模式中只有tm120和tm210的磁场分布位于腔体的中心位置,而其它模式在中心点附近的磁场强度较弱,所以将耦合缝隙放置于siw腔的中心处。此时,模式tm120和tm210被成功激励,形成所需要的通带;同时激励起非谐振模式(te10和te01),引入了源与负载耦合,从而在通带两侧分别产生了一个传输零点,提高了通带的矩形系数。

另外,由于两个耦合缝隙位置的特殊性,根据siw腔中前8个tm模的磁场分布图确定耦合缝隙的位置,tm210和tm120模被成功激励的同时,对其它的6个模式产生一定的抑制效果。耦合缝隙的旋转角度θ对通带性能有显著影响,通过确定合适的θ,滤波器的通带能够形成。耦合缝隙长度ls的改变会影响零点的位置,选择合适的ls进一步提高了宽阻带性能;通过调节微扰金属通孔在x轴上的位置g改变耦合系数,进而控制滤波器的带宽;通过改变耦合缝隙的宽度ws和微带线中间部分(也即凸起)的宽度w2来获得理想的外部品质因数。

上述金属板一、介质基板二和金属板二是作为谐振器的siw腔,介质基板一和介质基板二是作为馈电的微带—siw换结构。

引入了微带—槽线转换结构,在共模信号激励下,微带线中间形成了磁壁,磁流无法通过耦合缝隙进入siw谐振腔,从而在较宽的频带范围内实现了高共模抑制。

电磁能量的流动路径为:第一(二)平衡端口—微带线—耦合缝隙—siw腔—耦合缝隙—微带线—第二(一)平衡端口。

如图4所示,本发明平衡带通滤波器的散射参数仿真与实测结果。其中sdd11表示差模信号激励下的仿真和测试的反射系数,sdd21为差模信号激励下的仿真和测量的传输系数。scc21为共模信号激励下的仿真和测量的传输系数。所述平衡带通滤波器在差模激励下的通频带中心频率为5.2ghz,其3db相对带宽为4%,插入损耗为1.2db。在0-4.6ghz内的抑制电平大于40db,在5.4-8.2ghz内的抑制电平大于25db,在8.2-9.4ghz内的抑制电平大于12db。该滤波器具有高选择性和低插入损耗。在共模激励下,在0-9.3ghz内共模信号抑制电平大于-50db,具有很高的共模抑制效果。从图中可以看到仿真和实测结果吻合良好。

以上详细描述了本发明的优选实施方式,但是,本发明并不限于上述实施方式中的具体细节,在本发明的技术构思范围内,可以对本发明的技术方案进行多种等同变换,这些等同变换均属于本发明的保护范围。

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