1.一种半导体多站处理腔体，其特征在于，具有相连通的多个站，该等多个站可执行相同或不同的处理，该等多个站的每一者包含：
由多个壁所定义的一下沉空间，该下沉空间提供有用于支撑基板或晶圆的一支撑座，该支撑座与定义该下沉空间的多个壁之间形成一第一间隙；一覆盖组件，固定于一盖体且位于该支撑座的上方以定义一处理区，该覆盖组件包含一喷淋板，该喷淋板与该上盖之间形成用于提供吹扫气体的一第二间隙；及一隔离组件，可升降于该下沉空间与该覆盖组件之间，以选择地包围该支撑座与该覆盖组件之间定义的处理区或退回下沉空间中，其中当该隔离组件包围该处理区时，该站与相邻的另一站形成结构上的隔离。
2.根据权利要求1所述的一种半导体多站处理腔体，其特征在于，其中该等多个站经由一传输层相连通，该传输层允许所述腔体内的一或多个托臂通过该等多个站。
3.根据权利要求2所述的一种半导体多站处理腔体，其特征在于，其中该托臂具有一第一延伸部及连接该第一延伸部的一第二延伸部，该第一延伸部与该第二延伸部的连接定义一夹角，该夹角经配置以使该托臂可停留在经隔离的相邻两个站之间定义的一停留空间。
4.根据权利要求1所述的一种半导体多站处理腔体，其特征在于，其中该等多个站的每一者还包含：一带孔罩体，固定容置于该下沉空间中以定义一抽气气室，该带孔罩体具有多个穿孔使该处理区经由该等多个孔与该抽气气室相连通。
5.根据权利要求4所述的一种半导体多站处理腔体，其特征在于，其中该第一间隙、该第二间隙、该等多个穿孔及该抽气气室决定该站的排气路径。
6.一种半导体处理系统，其特征在于，包含：一半导体多站处理腔体，具有相连通的多个站，该等多个站可执行相同或不同的处理，该等多个站的每一者包含：由多个壁所定义的一下沉空间，该下沉空间提供有用于支撑基板或晶圆的一支撑座，该支撑座与定义该下沉空间的多个内壁之间形成一第一间隙；一覆盖组件，固定于一盖体且位于该支撑座的上方以定义一处理区，该覆盖组件包含一喷淋板，该喷淋板与该上盖之间形成用于提供吹扫气体的一第二间隙；及一隔离组件，可升降于该下沉空间与该覆盖组件之间，以选择地包围该支撑座与该覆盖组件之间定义的处理区或退回下沉空间中，其中当该隔离组件包围该处理区时，该站与相邻的另一站形成结构上的隔离；一负载腔体，用于承载经处理及未处理的基板或晶圆；及一传输腔体，连接于该半导体多站处理腔体与负载腔体之间以传递基板或晶圆。
7.根据权利要求6所述的一种半导体处理系统，其特征在于，该负载腔体具有多个垂直堆栈的层用于放置基板或晶圆，且该负载腔体还具备预热和冷却的能力。
8.根据权利要求6所述的一种半导体处理系统，其特征在于，该负载腔体具有一上腔体及一下腔体，其中该上腔体用于放置经处理的基板或晶圆，该下腔体用于放置未处理的基板或晶圆。
9.根据权利要求6所述的一种半导体处理系统，其特征在于，该传输腔体还经由一缓冲腔体耦接至另一传输腔体，且该缓冲腔体还具备预热和冷却的能力。
10.一种半导体多站处理腔体的操作方法，其特征在于，该半导体多站处理腔体包含相连通的多个站，该等多个站彼此间隔并围绕所述腔体的一中心对称排列，该半导体多站处理腔体还包含多个托臂，该等多个托臂经配置以该中心为圆心同步转动以通过该等多个站，该方法包含：将该等多个托臂转动至一第一等待位置，由所述腔体的一第一对站接收一第一对基板；将该等多个托臂转动至一第一接取位置以将该第一对基板从该第一对站转移至该等多个托臂上；将该等多个托臂转动至一第二等待位置，由所述腔体的该第一对站接收一第二对基板；将该等多个托臂转动至一第二接取位置以将该第二对基板从该第一对站转移至该等多个托臂上；将该等多个托臂转动至一第三等待位置，由所述腔体的该第一对站接收一第三对基板；将该等多个托臂转动至一第三接取位置以将该第一对基板及该第二对基板从该等多个托臂分别转移至一第二对站及一第三对站；及将该等多个托臂转动至一第四等待位置，以等待所述腔体执行相同或不相同的处理。
11.根据权利要求10所述的一种半导体多站处理腔体的操作方法，其特征在于，该等多个托臂的第一等待位置、第二等待位置及第三等待位置不同，且该第一接取位置、该第二接取位置及该第三接取位置不同。
12.根据权利要求10所述的一种半导体多站处理腔体的操作方法，其特征在于，由所述腔体的该第一对站接收该第一对基板，包含由所述腔体的该第一对站的多个升降杆支撑该第一对基板。
13.根据权利要求12所述的一种半导体多站处理腔体的操作方法，其特征在于，所述将该第一对基板从该第一对站转移至该等多个托臂上，包含将该第一对基板自该等多个升降杆转移至该等多个托臂上。
14.根据权利要求10所述的一种半导体多站处理腔体的操作方法，其特征在于，该等多个站的数量为二的倍数。
15.一种半导体多站处理腔体的操作方法，其特征在于，该半导体多站处理腔体包含相连通的多个站，该等多个站彼此间隔并围绕所述腔体的一中心对称排列，该半导体多站处理腔体还包含多个托臂，该等多个托臂经配置以该中心为圆心同步转动以通过该等多个站，该方法包含：
将该等多个托臂转动至一第一等待位置，以从所述腔体的一第一对站取出一第一对基板；
将该等多个托臂转动至一第一接取位置，以将一第二对基板从一第二对站转移至该等多个托臂上；
将该等多个托臂转动至一第二接取位置，以将该第二对基板转移至该第一对站；及将该等多个托臂转动至一第二等待位置，以从所述腔体的该第一对站取出该第二对基板。
16.根据权利要求15所述的一种半导体多站处理腔体的操作方法，其特征在于，该等多个托臂的第一等待位置及第二等待位置不同，且该第一接取位置及该第二接取位置不同。
17.根据权利要求15所述的一种半导体多站处理腔体的操作方法，其特征在于，由从所述腔体的该第一对站取出该第一对基板，包含将该第一对基板从该第一对站的多个升降杆上转移至一机械手臂。
18.根据权利要求15所述的一种半导体多站处理腔体的操作方法，其特征在于，将该第二对基板从该第二对站转移至该等多个托臂上，包含将该第二对基板从该第二对站的多个升降杆转移至该等多个托臂上。
19.一种半导体多站处理腔体的操作方法，其特征在于，该半导体多站处理腔体包含相连通的多个站，该等多个站彼此间隔并围绕所述腔体的一中心对称排列，该半导体多站处理腔体还包含一托臂，该个托臂经配置以该中心为圆心同步转动以通过该等多个站，该方法包含：
将该托臂在一接取位置与该等多个站之间移动，以依序加载多个基板至该等多个站或自该等多个站卸除多个基板，其中该托臂在移动的过程中并未通过任一基板的上方。
20.根据权利要求19所述的一种半导体多站处理腔体的操作方法，其特征在于，该等多个站的一者为一缓冲站。
21.根据权利要求19所述的一种半导体多站处理腔体的操作方法，其特征在于，该等多个站的数量大于二。
22.根据权利要求19所述的一种半导体多站处理腔体的操作方法，其特征在于，该方法还包含：将该托臂在不同站位之间移动，以加载或卸载所述基板。
23.一种隔离组件，其特征在于，用于一半导体多站处理腔体中的一个站，使该站与其他站相互结构隔离，其中该站包含由多个壁定义的一下沉空间及一覆盖组件，该下沉空间提供有用于支撑基板的一支撑座，其特征在于：
该隔离组件的结构配置成适于可于该下沉空间及该覆盖组件之间升降，以选择地包围该支撑座与该覆盖组件之间定义的一处理区或退回该下沉空间。
24.根据权利23所述的一种隔离组件，其特征在于，该隔离组件为环形结构。
25.根据权利23所述的一种隔离组件，其特征在于，该隔离组件的结构配置为适于在该支撑座与该多个壁之间定义的一间隙中被升降。
26.根据权利23所述的一种隔离组件，其特征在于，该隔离组件具有一啮合手段用于和该覆盖组件连接。