技术特征：
技术总结
本发明提供了一种封装于陶瓷管壳内的压接式IGBT内部封装结构，该结构包括IGBT/FRD芯片和碳化硅铝层，所述碳化硅铝层位于IGBT/FRD芯片的上、下两方，并且IGBT/FRD芯片与碳化硅铝层之间设置有焊接层，所述IGBT/FRD芯片的上下表面均设有金属层。本发明提出的陶瓷管壳封装压接式IGBT的碳化硅铝‑焊接层‑IGBT/FRD芯片—焊接层‑碳化硅铝内部结构，大大简化了陶瓷管壳封装压接式IGBT的封装工艺操作，保证了压接式IGBT的双面散热，满足大电流通流和高可靠性要求。
技术研发人员：王豹子;屈斌;叶娜;黄小娟
受保护的技术使用者：西安中车永电电气有限公司
技术研发日：2018.12.27
技术公布日：2019.04.19