1.一种横向p-n-n微腔结构Ge发光器件，其特征在于，包括有源层n-Ge层，n-Ge层下表面为Si/SiO2结构，n-Ge层与Si/SiO2结构构成高掺杂n型GOI衬底，底部设有底部分布式布拉格反射镜，n-Ge层上表面两侧设有p-GeSi区、n-GeSi区，p-GeSi区、n-GeSi区中间为有源区，有源区底部暴露n-Ge层，有源区内设有顶部分布式布拉格反射镜，所述p-GeSi区、n-GeSi区上设有低电阻导电材料的电极；发光器件表面设有氧化硅的钝化层。
2.根据权利要求1所述的横向p-n-n微腔结构Ge发光器件，其特征在于，所述n-Ge层厚度为1um，Si/SiO2结构厚度为100.5um，底部分布式布拉格反射镜厚度为3.08um，顶部分布式布拉格反射镜厚度为1.54um。