技术总结
本实用新型公开了一种横向p‑n‑n微腔结构Ge发光器件包括有源层n‑Ge层，n‑Ge层下表面为Si/SiO2结构，n‑Ge层与Si/SiO2结构构成高掺杂n型GOI衬底，底部设有底部分布式布拉格反射镜，n‑Ge层上表面两侧设有p‑GeSi区、n‑GeSi区，中间为有源区，有源区底部暴露n‑Ge层，有源区内设有顶部分布式布拉格反射镜，所述p‑GeSi区、n‑GeSi区上设有低电阻导电材料的电极；发光器件表面设有氧化硅的钝化层。本实用新型在高掺杂n型GOI衬底上外延高锗组分的GeSi层，实现横向p‑n‑n结构Ge发光器件，Ge组分0.85，在GeSi与Ge之间可以形成有效的势垒层，对电子和空穴都能起到有效的限制作用，进而增强Ge直接带发光效率。工艺制备简单、与成熟的硅CMOS工艺兼容、可操作性强、发光性能优越等优点，极具应用价值。
技术研发人员：黄诗浩;郑启强;曹世阳;谢文明;李天建;汪涵聪;陈彩云;黄靖
受保护的技术使用者：福建工程学院
技术研发日：2018.01.19
技术公布日：2018.10.16