1.一种LED芯片，其特征在于，包括衬底及位于所述衬底上的外延结构，所述衬底为蓝宝石衬底，所述衬底的晶面沿C晶面偏向M晶面或R晶面而形成偏角，偏角范围为0.7°～1.5°，所述外延结构包括量子线发光层，所述量子线发光层根据所述偏角生长而形成褶皱状。
2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述偏角范围为0.8°～1°。
3.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述量子线发光层的发光区于所述外延结构叠加方向的高度不小于0.5nm。
4.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述发光区的原子层数量不小于10个。
5.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述外延结构由下向上依次包括缓冲层、高温AlGaN层、N型AlGaN层、N型AlGaN表面处理层、量子线发光层、量子势垒层、电子阻挡层、P型披覆层、P型接触层，其中，所述量子线发光层为AlGaN/GaN多重类量子线发光层。
6.根据权利要求3所述的LED芯片，其特征在于，所述外延结构由下向上依次包括低缺陷GaN层、InGaN应力调试层、N型AlGaN/GaN层、N型InGaN表面处理层、量子线发光层、量子势垒层、电子阻挡层、P型披覆层、P型接触层，其中，所述量子线发光层为GaN/InGaN多重类量子线发光层。