LED芯片的制作方法

技术总结
本实用新型揭示了一种LED芯片，LED芯片包括衬底及位于衬底上的外延结构，衬底为蓝宝石衬底，衬底的晶面沿C晶面偏向M晶面或R晶面而形成偏角。本实用新型的LED芯片使用特制的衬底，配合相应的工艺条件，在不需要另外制备掩膜的基础上，生长出类量子线外延结构，进一步降低态密度，增强量子局限效应，从而提高发光或电子器件的性能。

技术研发人员：陈立人;陆骐峰
受保护的技术使用者：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
技术研发日：2018.01.23
技术公布日：2019.02.05