1.一种晶体硅异质结太阳电池结构，其特征在于：在制绒的n型晶体硅片的一面或两面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、氧化铟钛ITiO薄膜；所述在制绒的n型晶体硅片的一面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、ITiO薄膜，另一面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜和除ITiO薄膜外的导电氧化物薄膜；所述除ITiO薄膜外的导电氧化物薄膜为ITO薄膜或IWO薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种晶体硅异质结太阳电池结构，其特征在于：所述晶体硅异质结太阳电池的两面结构中的掺杂非晶硅薄膜分别为n型掺杂非晶硅薄膜和p重掺杂非晶硅薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种晶体硅异质结太阳电池结构，其特征在于：所述ITiO薄膜的载流子迁移率为20~100cm2/Vs，电阻率为2*10-4~10*10-4Ωcm，透射率大于90%。