一种同轴衰减器的制作方法

文档序号:17680752发布日期:2019-05-17 19:48阅读:355来源:国知局
一种同轴衰减器的制作方法

本实用新型属于衰减器技术领域,具体涉及一种同轴衰减器。



背景技术:

同轴衰减器是一种能量损耗性射频/微波元件,元件内部含有电阻性材料。是为使输出端口提供的功率小于输入端口的入射功率而设计的双端口器件,被广泛地应用于射频/微波领域,如对射频信号进行衰减,以防止信号失真。但现在市面上的同轴衰减器普遍存在加工工艺复杂、性能不够优化以及体积太大的问题。



技术实现要素:

本实用新型所要解决的技术问题是,提供一种同轴衰减器,解决了现有技术中同轴衰减器在同样性能的前提下体积太大的技术问题。

为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案:一种同轴衰减器,其特征在于:包括SMA中桥、衰减单元、插孔、插孔外壳、插针、插针外壳、绝缘子、接触弹簧片、弹簧、C字卡环、垫圈、散热器、内六角紧定螺钉以及螺套,所述SMA中桥设置于衰减器中心轴的中部,两端分别连接一个衰减单元,衰减单元包括金属外壳以及插在金属外壳内部的衰减片,两个衰减单元的另一端分别都设置有一个绝缘子,在其中一个所述绝缘子内设置有插孔,插孔向内的一侧设有接触弹簧片以及弹簧,在另一个所述绝缘子内设置插针,插针向内的一侧也设有接触弹簧片以及弹簧,其中两个所述接触弹簧片分别位于衰减片两侧并与之相接触,弹簧位于接触弹簧片的另一侧,在内部设有插孔的绝缘子外侧套装有插孔外壳,在内部设有插针的绝缘子外侧套装有插针外壳,衰减单元外侧套装有散热器,内六角紧定螺钉用于使所述散热器的两端固定在插针外壳和插孔外壳上,插针外壳外侧套装有螺套,所述螺套与插针外壳之间还包括起固位作用的C字卡环和垫圈,所述衰减单元的外径为6.2mm,高度为8.4mm,所述SMA中桥的外径为6.2mm,高度为9.8mm,所述同轴衰减器的总长度为8.2mm,所述散热器的外径为63mm,长度为31±0.5mm。

其中一个实施例中,所述同轴衰减器的频率范围为0-18GHz,衰减量为1-40dB,驻波比小于或等于1.2-1.45,平均承受功率为30W,阻抗为50hms,接口为SMA接口。

其中一个实施例中,所述衰减单元为583衰减单元,每个衰减单元可承受12-15W的功率。

本实用新型的有益效果:本实用新型公开的一种同轴衰减器,频率范围为0-18GHz,衰减量为1-40dB,驻波比小于或等于1.2-1.45,平均承受功率为30W,阻抗为50hms。相比市面上流通的同轴衰减器,该同轴衰减器不仅加工方便而且在保证上述技术指标的同时,体积更小巧,驻波曲线和频响特性曲线也更趋于优化。

附图说明

图1为本实施例中一种同轴衰减器的截面结构示意图。

图中附图标记,1-插针外壳;2-C字卡环;3-垫圈;4-绝缘子;5-插针;6-螺套;7-衰减单元;8-SMA中桥;9-散热器;10-内六角紧定螺钉;11-插孔外壳;12-接触弹簧片;13-弹簧;14-插孔。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。

一种同轴衰减器,如图1所示,包括SMA中桥8、衰减单元7、插孔14、插孔外壳11、插针5、插针外壳1、绝缘子4、接触弹簧片12、弹簧13、C字卡环2、垫圈3、散热器9、内六角紧定螺钉10以及螺套6,所述SMA中桥8设置于衰减器中心轴的中部,两端分别连接一个衰减单元7,衰减单元7包括金属外壳以及插在金属外壳内部的衰减片,两个衰减单元7的另一端分别都设置有一个绝缘子4,在其中一个所述绝缘子4内设置有插孔14,插孔14向内的一侧设有接触弹簧片12以及弹簧13,在另一个所述绝缘子4内设置插针5,插针5向内的一侧也设有接触弹簧片12以及弹簧13,其中两个所述接触弹簧片12分别位于衰减片两侧并与之相接触,弹簧13位于接触弹簧片12的另一侧,在内部设有插孔14的绝缘子4外侧套装有插孔外壳11,在内部设有插针5的绝缘子4外侧套装有插针5外壳,衰减单元7外侧套装有散热器9,内六角紧定螺钉10用于使所述散热器9的两端固定在插针外壳1和插孔外壳11上,插针外壳1外侧套装有螺套6,所述螺套6与插针外壳1之间还包括起固位作用的C字卡环2和垫圈3,所述衰减单元7的外径为6.2mm,高度为8.4mm,所述SMA中桥8的外径为6.2mm,高度为9.8mm,所述同轴衰减器的总长度为8.2mm,所述散热器9的外径为63mm,长度为31±0.5mm。进一步的,该同轴衰减器的频率范围为0-18GHz,衰减量为1-40dB,驻波比小于或等于1.2-1.45,所述衰减单元7为583衰减单元,每个衰减单元可承受12-15W的功率。因此同轴衰减器的平均承受功率为30W,阻抗为50hms,接口为SMA接口。

本实用新型的有益效果:本实用新型公开的一种同轴衰减器,频率范围为0-18GHz,衰减量为1-40dB,驻波比小于或等于1.2-1.45,平均承受功率为30W,阻抗为50hms。相比市面上流通的同轴衰减器,该同轴衰减器不仅加工方便而且在保证上述技术指标的同时,体积更小巧,驻波曲线和频响特性曲线也更趋于优化。

以上所述,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

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