一种RTA退火托盘的制作方法

本实用新型涉及半导体发光二极管芯片制造技术领域，具体是一种RTA退火托盘。

背景技术：

RTA是将工件加热到较高温度，根据材料和工件尺寸采用不同的保温时间，然后进行快速冷却，目的是使金属内部组织达到或接近平衡状态，获得良好的工艺性能和使用性能。

RTA在现代半导体器件制作产业有重要的应用，已成为半导体光电二极管芯片制作技术领域不可缺少的退火设备。可以用极快的升温在目标温度，短暂持续，对器件进行热处理，同时腔体会注入Ar或者N2作为保护气体。快速的升温过程和短暂的持续时间能够在晶格缺陷的修复、激活杂质和最小化杂质扩散三者之间取得优化。RTA托盘装置一般采用导热性良好的材料制作，传统RTA托盘装置以方形为主，有的会在四角做倒角处理，盘面挖有凹槽用于放置器件样品。这种结构对于表面粗糙或者吸光的材质样品是没有问题的，但是对于表面蒸镀有金属材料，并且表面平滑且有反光作用的样品就会出现由于样品本身反光而造成样品需要利用周围导热性良好的托盘通过四周传递给样品，这样由于边缘托盘的不规则形状导致传递的热量传递不均匀，进而影响样品的光电性能，因此，本领域技术人员提供了一种RTA退火托盘，以解决上述背景技术中提出的问题。

技术实现要素：

本实用新型的目的在于提供一种RTA退火托盘，以解决上述背景技术中提出的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种RTA退火托盘，包括托盘本体，所述托盘本体的上表面外侧边安装有第一加强筋，且托盘本体的上表面位于第一加强筋的内侧位置处安装有用于放置样品的托盘槽体，所述托盘本体的上表面靠近托盘槽体的一侧位置处安装有第二加强筋。

作为本实用新型进一步的方案：所述托盘本体为一种导热性好的SiC材质的构件，且托盘本体的厚度为2-5mm。

作为本实用新型再进一步的方案：所述托盘槽体的一侧连接有槽体连接件，且托盘槽体通过槽体连接件相互连接成一体。

作为本实用新型再进一步的方案：所述托盘槽体共设置有四个，且四个托盘槽体呈矩形分布在托盘本体的上表面，所述托盘槽体为一种圆形结构。

作为本实用新型再进一步的方案：所述槽体连接件为一种石英材质的构件。

作为本实用新型再进一步的方案：所述第二加强筋共设置有两个，且两个第二加强筋呈十字形分布在托盘本体的上表面，所述第一加强筋与托盘本体的形状相同。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：本实用新型设计的一种RTA退火托盘，在实际使用时，主要用于四元系AlGaInP LED芯片的退火工艺，可以保证退火温场的均匀性，从而获得电压均匀的LED芯片，解决传统托盘温场不均导致芯片边缘或者外围电压异常的现象，极大提升了产品光电性能和良率，而且在RTA退火托盘的外侧和上表面均加装有加强筋，可以进一步增强托盘本体的牢固性，提高其使用寿命。

附图说明

图1为一种RTA退火托盘的结构示意图；

图2为一种RTA退火托盘中槽体连接件的安装示意图。

图中：1、托盘本体；2、第一加强筋；3、托盘槽体；4、第二加强筋；5、槽体连接件。

具体实施方式

请参阅图1～2，本实用新型实施例中，一种RTA退火托盘，包括托盘本体1，托盘本体1为一种导热性好的SiC材质的构件，且托盘本体1的厚度为2-5mm，托盘本体1的上表面外侧边安装有第一加强筋2，且托盘本体1的上表面位于第一加强筋2的内侧位置处安装有用于放置样品的托盘槽体3，托盘本体1的上表面靠近托盘槽体3的一侧位置处安装有第二加强筋4。

进一步的，托盘槽体3的一侧连接有槽体连接件5，且托盘槽体3通过槽体连接件5相互连接成一体，托盘槽体3共设置有四个，且四个托盘槽体3呈矩形分布在托盘本体1的上表面，托盘槽体3为一种圆形结构，槽体连接件5为一种石英材质的构件，通过槽体连接件5可以将托盘槽体3相互连接成一体。

再进一步的，第二加强筋4共设置有两个，且两个第二加强筋4呈十字形分布在托盘本体1的上表面，第一加强筋2与托盘本体1的形状相同，通过在托盘本体1的外侧和上表面安装第一加强筋2和第二加强筋4，可以增强托盘本体1的牢固性，提高其使用寿命。

本实用新型的工作原理是：本实用新型设计的一种RTA退火托盘，由托盘槽体3、槽体连接件5、第一加强筋2和第二加强筋4构成，其中用于放置样品的托盘槽体3的外围全部为同心圆形状，而且托盘本体1采用导热性好的SiC材质，槽体连接件5采用石英材质，且RTA退火托盘主要用于四元系AlGaInP LED芯片的退火工艺，可以保证退火温场的均匀性，从而获得电压均匀的LED芯片，解决传统托盘温场不均导致芯片边缘或者外围电压异常的现象，极大提升了产品光电性能和良率，同时在托盘本体1的外侧边和上表面均加装第一加强筋2和第二加强筋4可以增强托盘本体1的牢固性，提高其使用寿命。

以上所述的，仅为本实用新型较佳的具体实施方式，但本实用新型的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内，根据本实用新型的技术方案及其实用新型构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。