一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪的制作方法

本实用新型涉及半导体晶圆技术领域，具体为一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪。

背景技术：

现有的半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪，晶圆在加工完毕后，表面会残留有部分氧化铝，而为了保证晶圆出产后的正常使用，需要对晶圆表面残留的氧化铝进行清洗，但现有的清洗方式大多用高压水射流冲洗，晶圆还需要一定的干涸时间，影响到出产效率，其次，晶圆内存在有化学物质加工后留下的气体，而晶圆恒定气体的浓度有一定的标准，但在测试气体浓度时传感器很容易受到外界的气流影响，出现误测的情况，故而，我们提出晶圆表面的清洗液可快速的处理掉，不易影响生产效率，感应探头可对气流进行良好的感应，不易受到外界正常气流的干扰，来解决上述问题。

技术实现要素：

为了解决上述的技术问题，本实用新型的目的是提供一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪。

为了实现上述的目的，本实用新型采用了以下的技术方案：一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪，所述半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪包括底座、定位柱和托板，所述定位柱的数量为两个，且定位柱分别固定连接在底座顶端中部前后两侧，所述托板底端开有槽，且托板底端通过槽与定位柱活动连接，所述底座左侧套接有排水管，且托板顶端固定有与其为一体的托盘，所述托盘顶端开有放置槽，且托板左右两侧均焊接有撑柱，所述撑柱底端均与底座相接触，且底座顶端嵌接有外壳，所述外壳前端铰接有透明板，且外壳顶端中部前侧嵌入设置有水泵，所述外壳顶端中部后侧嵌入设置有气泵；

传感器，所述传感器嵌入设置在外壳右侧顶端，且传感器左侧电性连接有感应探头，所述感应探头左侧套接有遮挡块，且遮挡块外壁嵌接有嵌网。

作为优选的，所述底座底端内侧通过螺栓连接有控制器，且控制器由按键、电路板和编译芯片等结构组成。

作为优选的，所述外壳覆盖在放置槽正上方，且定位柱分别位于水泵和气泵的正下方，所述放置槽左后方开有流通道，且放置槽的深度至少为1mm-6mm。

作为优选的，所述水泵和气泵均通过电缆与控制器电性连接，且水泵和气泵切换使用，并水泵右侧嵌入设置有水管。

作为优选的，所述水泵和气泵底端均开有出口，且水泵和气泵底端均套接有盖板，所述盖板底端均匀开有若干个小孔。

作为优选的，所述传感器通过电缆与控制器电性连接，且感应探头位于外壳内部，所述感应探头与放置槽之间相隔的距离为3cm-10cm。

本实用新型由于采用了上述的技术方案，具备以下有益效果：

本实用新型通过水泵将清洗液抽上，且多个小孔将清洗液分为多道水柱放出，加上前端定位柱位于水泵位于正下方，所以首先使用清洗液清洗晶圆，然后使用者可将水泵关闭，将晶圆移动到气泵的正下方，气泵，气泵内部产生高压，同样通过小孔将气流分为多道，使用气流将晶圆表面残留的化学物质冲掉，同时可将残留的清洗液冲掉，加快晶圆表面干涸的速度，使用两种方式清洗晶圆，提高晶圆清洗的效果，且晶圆表面的清洗液可快速的处理掉，不易影响生产效率。

本实用新型在气泵冲洗晶圆的过程中，使用者还可通过按键将传感器打开，晶圆周围的气体在外壳内部流动的空间较小，感应探头可对气流进行良好的感应，不易受到外界正常气流的干扰，减少误测率，通过遮挡块遮挡感应探头的前端，防止晶圆表面残留的清洗液冲起后溅到感应探头中，气流从遮挡块的外侧流通到感应探头，感应探头对气流进行感应。

附图说明

图1为本实用新型具体实施方式的整体结构示意图；

图2为本实用新型具体实施方式的底座零件结构示意图；

图3为本实用新型具体实施方式的盖板零件结构示意图；

图4为本实用新型具体实施方式的感应探头零件结构示意图。

图中：1底座；101控制器；102排水管；103定位柱；2托板；201撑柱；202托盘；203放置槽；3外壳；301透明板；4气泵；5水泵；501盖板；502小孔；503水管；6传感器；601感应探头；602遮挡块；603嵌网。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式做一个详细的说明。

请参阅图1-4所示，一种半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪，半导体晶圆氧化铝处理及气体测试仪包括底座1、定位柱103和托板2，定位柱103的数量为两个，且定位柱103分别固定连接在底座1顶端中部前后两侧，托板2底端开有槽，且托板2底端通过槽与定位柱103活动连接，底座1左侧套接有排水管102，且托板2顶端固定有与其为一体的托盘202，托盘202顶端开有放置槽203，且托板2左右两侧均焊接有撑柱201，撑柱201底端均与底座1相接触，且底座1顶端嵌接有外壳3，外壳3前端铰接有透明板301，且外壳3顶端中部前侧嵌入设置有水泵5，外壳3顶端中部后侧嵌入设置有气泵4，首先将底座1放置在工作台上，然后打开透明板301，将晶圆放入外壳3中，外壳3覆盖在放置槽203正上方，且定位柱103分别位于水泵5和气泵4的正下方，放置槽203左后方开有流通道，且放置槽203的深度至少为1mm-6mm，通过放置槽203摆放晶圆，并通过托盘202承托晶圆，放置好晶圆后，将托板2的槽对准前侧的定位柱103放置，通过定位柱103卡住托板2，且通过撑柱201可撑住托板2的左右两侧，提高托板2放置的稳定性，然后使用者可将透明板301关上，让外壳3内部呈一个相对封闭的状态，水泵5和气泵4均通过电缆与控制器101电性连接，且水泵5和气泵4切换使用，并水泵5右侧嵌入设置有水管503，然后将水管插入外界的清洗液瓶中，底座1底端内侧通过螺栓连接有控制器101，且控制器101由按键、电路板和编译芯片等结构组成，并将外部电源接入控制器101中，通过控制器101上的按键让水泵5接电，水泵5接电后将1清洗液抽上，水泵5和气泵4底端均开有出口，且水泵5和气泵4底端均套接有盖板501，盖板501底端均匀开有若干个小孔502，且通过出口将清洗液释放出，由于出口外侧均套接有盖板501，多个小孔502将清洗液分为多道水柱放出，加上前端定位柱103位于水泵5位于正下方，所以首先使用清洗液清洗晶圆，而清洗完毕后的清洗液通过排水管102排出，使用者可使用容器装载，并在晶圆完毕第一步清洗后，使用者可将水泵5关闭，打开透明板301将托板2放置在后侧的定位柱103上，从而晶圆移动到气泵4的正下方，通过按键操控控制器101打开气泵，气泵内部产生高压，且气流从出口喷出，同样通过小孔502将气流分为多道，使用气流将晶圆表面残留的化学物质冲掉，同时可将残留的清洗液冲掉，加快晶圆表面干涸的速度，使用两种方式清洗晶圆，提高晶圆清洗的效果，且晶圆表面的清洗液可快速的处理掉，不易影响生产效率；

本实施例中如图1-图4所示，传感器6，传感器6嵌入设置在外壳3右侧顶端，且传感器6左侧电性连接有感应探头601，感应探头601左侧套接有遮挡块602，且遮挡块602外壁嵌接有嵌网603，在气泵4冲洗晶圆的过程中，使用者还可通过按键将传感器6打开，传感器6通过电缆与控制器101电性连接，且感应探头601位于外壳3内部，感应探头601与放置槽203之间相隔的距离为3cm-10cm，而感应探头601位于外壳3的右上方，通过气泵4冲击晶圆周围的气体，并且外壳3内部呈一个相对较封闭的状态，所以晶圆周围的气体在外壳3内部流动的空间较小，感应探头601可对气流进行良好的感应，不易受到外界正常气流的干扰，减少误测率，通过遮挡块602遮挡感应探头601的前端，防止晶圆表面残留的清洗液冲起后溅到感应探头601中，气流从遮挡块602的外侧流通到感应探头601，感应探头601对气流进行感应。

其中本实用新型中应用的仪器：

控制器为ADA16型号；

传感器为TGS2600型号；

感应探头为iS-MM-VOCs-4型号；

气泵为QB型号；

水泵为DC-12型号。

上述实施例对本实用新型的具体描述，只用于对本实用新型进行进一步说明，不能理解为对本实用新型保护范围的限定，本领域的技术工程师根据上述实用新型的内容对本实用新型作出一些非本质的改进和调整均落入本实用新型的保护范围之内。