技术特征：
技术总结
本发明涉及一种热电装置(1)。为了提供用于有效的热电冷却的手段，本发明提供热电装置(1)具有沟道部(50)，该沟道部(50)包括由拓扑绝缘体材料制成并且具有带有至少一个沟槽(12)的顶表面(11)的至少一个沟道层(10)，其中每个沟槽(12)的每个侧表面(12.1)包括带有一对拓扑保护的一维电子沟道(15)的导电区(14)，每个沟道层(10)包括配置用于类似电子传导的至少一个n区域(10.3)和配置用于类似空穴传导的至少一个p区域(10.4)，所述n区域(10.3)和p区域(10.4)交替地设置并从沟道层(10)的第一端(10.1)延伸至第二端(10.2)，每个n区域(10.3)包括从第一端(10.1)处的第一电极(16，17，18)延伸至第二端(10.2)处的第二电极(19)的至少一个n沟槽(12.3)，并且每个p区域(10.4)包括从第二电极(19)延伸至第一电极(17，18，19)的至少一个p沟槽(12.5)，其中第一电极(16，17，18)和第二电极(19)交替地设置以连接相邻区域(10.3，10.4)的p沟槽(12.5)和n沟槽(12.3)，由此串联连接所有的p沟槽(12.5)和n沟槽(12.3)。
技术研发人员：C·保利
受保护的技术使用者：IEE国际电子工程股份公司
技术研发日：2018.03.01
技术公布日：2019.10.22