1.一种微电子系统，包括：
第一微电子部件，所述第一微电子部件至少由基础半导体层和电介质层构成，所述电介质层具有基本平面的表面；和
第二微电子部件，所述第二微电子部件在没有粘合剂的情况下直接键合到所述第一微电子部件的所述电介质层，所述电介质层在所述电介质层的外围处具有底切，使得所述电介质层的面积小于所述第一微电子部件和/或所述第二微电子部件的覆盖区的面积。
2.根据权利要求1所述的微电子系统，其中，所述第一微电子部件的所述基础半导体层在所述基础半导体层的外围处具有底切，所述底切对应于在所述第一微电子部件的所述电介质层的所述外围处的所述底切。
3.根据权利要求1所述的微电子系统，其中，所述第二微电子部件至少由基础半导体层和具有基本平面的表面的电介质层构成，所述第一微电子部件的所述电介质层直接键合到所述第二微电子部件的所述电介质层，并且所述第二微电子部件的所述电介质层在所述第二微电子部件的所述电介质层的外围处具有底切，使得所述第二微电子部件的所述电介质层的面积小于所述第一微电子部件和/或所述第二微电子部件的所述覆盖区的所述面积。
4.根据权利要求3所述的微电子系统，其中，在所述第一微电子部件和/或所述第二微电子部件的所述基础半导体层的外围处的底切对应于在所述第一微电子部件和/或所述第二微电子部件的所述电介质层的所述外围处的底切。
5.一种微电子系统，包括：
第一微电子部件，所述第一微电子部件至少由第一基础半导体层和第一电介质层构成，所述第一电介质层具有第一基本平面的表面；和
第二微电子部件，所述第二微电子部件至少由第二基础半导体层和第二电介质层构成，所述第二电介质层具有第二基本平面的表面，所述第二电介质层在所述第一基本平面的表面和所述第二基本平面的表面处在没有粘合剂的情况下直接键合到所述第一电介质层，所述第一基础半导体层和所述第二基础半导体层分别在所述第一基础半导体层和所述第二基础半导体层的外围处具有底切，使得所述第一基础半导体层的覆盖区的面积和所述第二基础半导体层的覆盖区的面积小于所述第一电介质层和/或所述第二电介质层的面积。
6.根据权利要求5所述的微电子系统，其中，所述底切对应于在所述第一微电子部件和/或所述第二微电子部件的所述第一电介质层和/或所述第二电介质层的所述外围处的底切。
7.一种用于形成微电子系统的方法，包括：
从晶圆部件分割多个半导体管芯部件，所述半导体管芯部件各自具有基本平面的表面；
从所述多个半导体管芯部件的边缘移除材料的颗粒和碎片；以及
经由所述基本平面的表面将所述多个半导体管芯部件中的一个或多个键合到准备好的键合表面。
8.根据权利要求7所述的用于形成微电子系统的方法，还包括蚀刻所述多个半导体管芯部件的所述边缘，以从所述多个半导体管芯部件的所述边缘移除所述颗粒和所述碎片。
9.根据权利要求8所述的用于形成微电子系统的方法，还包括当所述多个半导体管芯部件在划片载体上时蚀刻所述多个半导体管芯部件的所述边缘。
10.根据权利要求8所述的用于形成微电子系统的方法，还包括使用化学蚀刻剂蚀刻所述多个半导体管芯部件的所述边缘，所述化学蚀刻剂包括氢氟酸和硝酸以及苯并三唑(bta)。
11.根据权利要求8所述的用于形成微电子系统的方法，还包括使用等离子体蚀刻来蚀刻所述多个半导体管芯部件的所述边缘。
12.根据权利要求8所述的用于形成微电子系统的方法，还包括蚀刻所述多个半导体管芯部件的所述边缘，以减小所述多个半导体管芯部件的厚度，使得在所述多个半导体管芯部件中的每一个的一个或多个所述边缘处产生空间。
13.根据权利要求8所述的用于形成微电子系统的方法，其中，所述半导体管芯部件包括作为所述基本平面的表面的氧化物层，并且其中，所述蚀刻包括移除在所述多个半导体管芯部件的所述边缘处的所述氧化物层的至少一部分。
14.根据权利要求8所述的用于形成微电子系统的方法，还包括在所述蚀刻之前将保护涂层施加到所述多个半导体管芯部件的所述基本平面的表面，以保护所述基本平面的表面免受蚀刻剂的影响。
15.根据权利要求14所述的用于形成微电子系统的方法，还包括：
在分割后加热所述多个半导体管芯部件，以使所述保护涂层从所述多个半导体管芯部件的外围后退；以及
将所述多个半导体管芯部件的所述外围蚀刻到预选深度。
16.根据权利要求15所述的用于形成微电子系统的方法，其中，所述多个半导体管芯部件包括在基础半导体层上方的电介质层，其中，所述蚀刻所述多个半导体管芯部件的所述外围包括在所述多个半导体管芯部件的所述外围处移除所述电介质层并暴露所述基础半导体层。
17.根据权利要求7所述的用于形成微电子系统的方法，还包括蚀刻所述多个半导体管芯部件的所述基本平面的表面。
18.根据权利要求17所述的用于形成微电子系统的方法，还包括将所述基本平面的表面蚀刻到预选深度或蚀刻达预选持续时间。
19.根据权利要求7所述的用于形成微电子系统的方法，其中，所述多个半导体管芯部件中的所述一个或多个使用没有粘合剂的直接键合技术或者金属对金属扩散键合来键合。
20.根据权利要求7所述的用于形成微电子系统的方法，还包括从所述多个半导体管芯部件的侧壁移除材料的颗粒和碎片，其中，通过蚀刻所述多个半导体管芯部件的所述侧壁来从所述侧壁移除所述颗粒和所述碎片。
21.根据权利要求7所述的用于形成微电子系统的方法，还包括将材料的颗粒和碎片涂覆到所述多个半导体管芯部件的侧壁，其中，通过在所述多个半导体管芯部件的所述侧壁上沉积涂层将所述颗粒和所述碎片涂覆到所述侧壁。
22.根据权利要求21所述的用于形成微电子系统的方法，还包括用玻璃、掺硼玻璃或掺磷玻璃旋涂或电涂所述多个半导体管芯部件的所述侧壁。
23.根据权利要求22所述的用于形成微电子系统的方法，还包括将所述玻璃、所述掺硼玻璃或所述掺磷玻璃热固化到所述多个半导体管芯部件的所述侧壁。
24.一种器具，包括：
第一微电子部件，所述第一微电子部件至少由电介质层构成，所述电介质层具有基本平面的表面；和
第二微电子部件，所述第二微电子部件在没有粘合剂的情况下直接键合到所述第一微电子部件的所述电介质层，所述电介质层在所述第一微电子部件的外围处具有底切，使得所述电介质层的面积小于所述第一微电子部件和/或所述第二微电子部件的覆盖区的面积。
25.根据权利要求21所述的器具，其中，所述第一微电子部件或所述第二微电子部件包括直接带隙半导体或间接带隙半导体。
26.一种器具，包括：
第一部件，所述第一部件至少由平面电介质层构成；
第二部件，所述第二部件在没有粘合剂的情况下直接键合到所述第一部件的所述电介质层，所述电介质层在所述第一部件的外围处具有底切。
27.根据权利要求26所述的器具，其中，所述第一部件或所述第二部件包括直接带隙半导体或间接带隙半导体。
28.根据权利要求26所述的器具，其中，所述第一部件或所述第二部件包括非半导体材料。
29.根据权利要求26所述的器具，其中，所述第一部件和所述第二部件包括微电子管芯。
30.一种用于形成器具的方法，包括：
将具有基本平面的表面的微电子部件分割成多个子部件；
从所述子部件的边缘移除材料的颗粒和碎片；以及
将所述子部件中的一个或多个键合到具有基本平面的表面的准备好的键合表面。
31.一种器具，包括：
第一部件，所述第一部件至少由平面电介质层构成；
第二部件，所述第二部件在没有粘合剂的情况下直接键合到所述第一部件的所述电介质层，使得所述电介质层的面积小于所述第一微电子部件和/或所述第二微电子部件的覆盖区的面积。