技术特征：
1.一种半导体装置用基板，其具备：陶瓷烧结体，形成为板状，具有第1主面和第2主面；第1电路板，配置在所述第1主面上，由铜或铝构成；和第2电路板，配置在所述第2主面上，由铜或铝构成，所述陶瓷烧结体包含al、zr、y以及mg，将陶瓷烧结体中的mg的以mgo换算的含量设为s1质量％，并将zr的以zro2换算的含量设为s2质量％的情况下，下述的式(1)成立，将第1电路板的厚度设为t1mm，将第2电路板的厚度设为t2mm，并将所述陶瓷烧结体的厚度设为t3mm的情况下，下述的式(2)、(3)、(4)成立，－0.004
×
s2+0.171＜s1＜－0.032
×
s2+1.427
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(1)1.7＜(t1+t2)/t3＜3.5
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(2)t1≥t2
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(3)t3≥0.25
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(4)。2.根据权利要求1所述的半导体装置用基板，其中，在所述陶瓷烧结体中，下述的式(5)成立，7.5≤s2≤25
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(5)。3.根据权利要求1所述的半导体装置用基板，其中，在所述陶瓷烧结体中，下述的式(6)成立，17.5≤s2≤23.5
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(6)。4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体装置用基板，其中，在所述陶瓷烧结体中，下述的式(7)成立，0.08＜s1＜1.18
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(7)。