技术总结
半导体装置用基板(2)具备陶瓷烧结体(3)、第1电路板(4)和第2电路板(4')。在陶瓷烧结体(3)中，将Mg的以MgO换算的含量设为S1质量％，将Zr的以ZrO2换算的含量设为S2质量％的情况下，下述的式1成立。将第1电路板(4)的厚度设为T1mm，将第2电路板(4')的厚度设为T2mm，并将陶瓷烧结体(3)的厚度设为T3mm的情况下，下述的式2、3、4成立。－0.004
技术研发人员：梅田勇治
受保护的技术使用者：NGK电子器件株式会社
技术研发日：2018.12.06
技术公布日：2021/5/14