技术特征：
技术总结
本发明提出了一种具有P型屏蔽层的AlGaN/GaN异质结垂直型场效应晶体管及其制作方法，该器件的主要特点是采用了P型屏蔽层，同时利用AlGaN/GaN异质结的二维电子气和特殊的漂移区形成电流的低阻导电通道。由于P型屏蔽层的作用，可以减小沟道的浓度以获取合适的阈值电压。器件关断时，P型屏蔽层有效降低了栅介质层中的峰值电场，提高了器件的可靠性，二维电子气引入了新的电荷，改变了器件中的电场分布，提高了击穿电压，同时弱化了击穿电压与漂移区浓度之间的矛盾关系。器件导通时，由于新的导电通道改变了传统垂直型场效应晶体管的电流分布，使得在漂移区浓度较低的情况下也能实现较低的导通电阻。
技术研发人员：段宝兴;王彦东;杨珞云;杨银堂
受保护的技术使用者：西安电子科技大学
技术研发日：2019.01.28
技术公布日：2019.06.14