1.一种光栅式的面入射型光探测器，其特征在于，包括：
衬底，至少包括一硅层；所述硅层或所述硅层的上表层形成掺杂层，所述掺杂层包括多个交替排列的p型掺杂电极和n型掺杂电极，相邻的p型掺杂电极和n型掺杂电极之间具有未掺杂硅区域；
光栅主动层，设于所述掺杂层上，所述光栅主动层的光栅凸起覆盖于所述掺杂层的未掺杂硅区域上，并与所述p型掺杂电极和n型掺杂电极临近所述未掺杂硅区域的部分相连接。
2.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于：
所述光栅凸起临近所述p型掺杂电极的一侧形成有p型侧壁，所述p型侧壁与所述p型掺杂电极导电连接；
和/或，所述光栅凸起临近所述n型掺杂电极的一侧形成有n型侧壁，所述n型侧壁与所述n型掺杂电极导电连接。
3.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于：所述p型掺杂电极的掺杂浓度高于所述p型侧壁的掺杂浓度，所述n型掺杂电极的掺杂浓度高于所述n型侧壁的掺杂浓度。
4.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于：所述光栅主动层的厚度在0.1λ～1λ范围内，所述λ为所述光探测器吸收光谱的中心波长。
5.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于：所述光栅主动层的厚度在50nm～1000nm范围内。
6.根据权利要求4所述的光探测器，其特征在于：所述光栅主动层的光栅周期在0.1λ～1λ范围内，光栅占空比在0.1～0.9范围内。
7.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于：所述光栅凸起为条状或环状，多个所述光栅凸起排列形成一维光栅；或者所述光栅凸起为立柱或者锥状，多个所述光栅凸起以轴对称或中心对称排列形成二维光栅。
8.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于：所述未掺杂硅区域的上表面低于其两侧的p型掺杂电极和n型掺杂电极的上表面。
9.根据权利要求1-8任一项所述的光探测器，其特征在于：所述光栅主动层包括硅层、锗硅层、锗层或锗锡层其中的一种或多种的组合。
10.根据权利要求9所述的光探测器，其特征在于：所述锗硅层为sixge1-x，其中x≤10％；所述锗锡层为snxge1-x，其中x≤10％。
11.根据权利要求1-8任一项所述的光探测器，其特征在于：所述光栅主动层与所述衬底之间还设有缓冲层。
12.根据权利要求11所述的光探测器，其特征在于：所述缓冲层为具有结晶或单晶的介电质层；所述掺杂层包括所述缓冲层，或者所述掺杂层设于所述缓冲层靠近所述光栅主动层的上表层。
13.根据权利要求1-8任一项所述的光探测器，其特征在于：所述光栅主动层的外围设有光反射面或光反射结构，和/或所述光栅主动层外围下方的掺杂层处设有光反射结构。