技术特征：
技术总结
本发明提供了一种介质膜沉积方法，包括：通过控制所述单一沉积腔内的机械装置使两个所述待处理表面中的任意一个与所述载片装置或所述机械装置的致密结构件紧密贴合，然后对另一个所述待处理表面进行镀膜处理。所述薄膜沉积方法通过控制所述机械装置使两个所述待处理表面中的任意一个与所述致密结构件紧密贴合，使得无须所述载片装置进出所述单一沉积腔，就能够对另一个所述待处理表面进行所述镀膜处理，从而避免了现有技术中存在的由于工艺流程繁琐造成的产能下降以及产品良率不高的问题。
技术研发人员：戴虹;奚明;汤亮才;刘奎;王传博
受保护的技术使用者：理想晶延半导体设备（上海）有限公司
技术研发日：2019.07.09
技术公布日：2019.10.01