1.一种具有第iva族离子注入的mosfet的结构，其特征在于，包含：
一基极；
一栅极电极，该栅极电极与该基极之间具有一栅极氧化层；以及
一第iva族离子注入层，设置于该基极之中，且该第iva族离子注入层接近于该栅极氧化层与该基极的交界面；
其中，该第iva族离子注入层用来改变该结构的一通道的性质。
2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，该通道的性质包含一通道电子迁移率及一阈值电压。
3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，该第iva族离子注入层用来增加该基极的键结。
4.如权利要求3所述的结构，其特征在于，该第iva族离子注入层为一硅离子注入层。
5.如权利要求4所述的结构，其特征在于，该硅离子注入层不设置于该栅极氧化层。
6.如权利要求5所述的结构，其特征在于，该结构更包含：
一源极层，设置于该基极的上表面；
一源极电极，设置于该源极层的上表面，并接触该栅极氧化层的一侧壁，且该源极电极覆盖部分该源极层；
一漏极层，设置于该基极的上表面；以及
一漏极电极，设置于该漏极层的上表面，并接触该栅极氧化层的另一侧壁，且该漏极电极覆盖部分该漏极层；
其中，该栅极氧化层覆盖部分该源极层、部分该漏极层以及部分该基极；该源极层与该漏极层为一第一型半导体材料；以及该基极为一第二型半导体材料；以及该硅离子注入层设置于该源极层与该漏极层的中，且该硅离子注入层接近于该源极层与该源极电极的交界面、该源极层与该栅极氧化层的交界面、该漏极层与该漏极电极的交界面、以及该漏极层与该栅极氧化层的交界面。
7.如权利要求5所述的结构，其特征在于，该结构更包含：
一源极层，设置于该基极的上表面，且部分该源极层被该基极包覆；
一源极电极，设置于该源极层的上表面，并接触该栅极氧化层的一侧壁，且该源极电极覆盖部分该源极层；
一漂移层，设置并接触于该栅极氧化层的下表面并包覆该基极；
一基板，接触并设置于该漂移层之下；以及
一漏极电极，设置于该基板之下；
其中，该栅极氧化层覆盖部分该源极层、部分该基极以及部分该漂移层；该源极层、该漂移层以及该基板为一第一型半导体材料；该基极为一第二型半导体材料；以及该硅离子注入层设置于该源极层与该漂移层之中，且该硅离子注入层接近于该源极层与该源极电极的交界面、该源极层与该栅极氧化层的交界面、以及该漂移层与该栅极氧化层的交界面。
8.如权利要求5所述的结构，其特征在于，该结构更包含：
一金属层，分别设置于该结构的一上表面与一底面，以分别形成一源极电极与一漏极电极；
一基板，设置于该漏极电极之上；
一漂移层，设置于该基板之上；
一基极，设置于该漂移层之上；
一源极层，设置于该基极之上；
一沟槽，延伸通过该基极与该源极层，且该沟槽的底部终止于该漂移层，且该栅极氧化层设置于该沟槽内，该栅极电极被该栅极氧化层所包覆；
其中，该栅极氧化层覆盖部分该源极层、部分该基极以及部分该漂移层；该源极层、该漂移层以及该基板为一第一型半导体材料；该基极为一第二型半导体材料；以及该硅离子注入层设置于该源极层与该漂移层之中，且该硅离子注入层接近于该源极层与该源极电极的交界面、该源极层与该栅极氧化层的交界面、以及该漂移层与该栅极氧化层的交界面。
9.一种具有第iva族离子注入的mosfet的结构的制造方法，其特征在于，包含：
一基极注入工艺：将一铝离子注入于一基极中；
一源极层或一漏极层的离子注入工艺：利用一光刻工艺定义出该源极层或该漏极层的区域，将一磷离子注入于该源极层或该漏极层中；以及
一第iva族离子注入的工艺：将一第iva族离子注入于距离该源极层、或该漏极层、或该基极的表面的一预设深度，以形成一第iva族离子注入层于接近该源极层、或该漏极层、或该基极的表面。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该第iva族离子为一硅离子，且该预设深度为100nm以内。
11.如权利要求9所述的方法，其特征在于，该第iva族离子注入的工艺在一栅极氧化层进行氧化前。