具有第IVA族离子注入的MOSFET的结构与制造方法与流程

技术总结
本发明揭露一种具有第IVA族离子注入的MOSFET的结构与制造方法，第IVA族离子注入层设置于基极之中，且第IVA族离子注入层接近于该栅极氧化层与该基极的交界面；其中，第IVA族离子注入层用来改变结构的一通道的性质。本发明提出的第IVA族离子注入的金属氧化物半导体场效应晶体管的结构与制造方法可用来改善栅极氧化层品质，提升场效电子迁移率。

技术研发人员：黄智方;江政毅;王胜弘;洪嘉庆
受保护的技术使用者：黄智方
技术研发日：2019.07.25
技术公布日：2020.02.11