1.一种半导体封装，包括：
重分配基底，具有被设置成彼此相对的第一表面与第二表面，且包括绝缘构件、多个重分配层及重分配通孔，所述多个重分配层在所述绝缘构件中设置在不同的水平层级上，所述重分配通孔对设置在邻近的水平层级上的所述重分配层进行连接且具有在第一方向上从所述第二表面朝所述第一表面变窄的形状；
多个球下金属层，所述多个球下金属层中的每一者包括球下金属焊盘及球下金属通孔，所述球下金属焊盘设置在所述重分配基底的所述第一表面上，所述球下金属通孔连接到所述多个重分配层中与所述第一表面相邻的重分配层且连接到所述球下金属焊盘，并且所述球下金属通孔具有在与所述第一方向相反的第二方向上变窄的形状；以及
至少一个半导体芯片，设置在所述重分配基底的所述第二表面上，且具有多个接触焊盘，所述多个接触焊盘电连接到所述多个重分配层中与所述第二表面相邻的重分配层。
2.根据权利要求1所述的半导体封装，
其中所述重分配基底还包括设置在所述第二表面上的多个接合焊盘，所述多个接合焊盘中的每一者连接到所述多个接触焊盘中的对应的一者，
其中所述多个接合焊盘中的每一者具有通孔部分，所述通孔部分局部地穿过所述绝缘构件且连接到所述多个重分配层中与所述第二表面相邻的所述重分配层。
3.根据权利要求2所述的半导体封装，其中所述通孔部分具有在所述第一方向上变窄的形状。
4.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述绝缘构件具有多个孔以暴露出与所述第二表面相邻的所述重分配层的部分，且所述多个接触焊盘经由所述多个孔分别连接到与所述第二表面相邻的所述重分配层。
5.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述绝缘构件包含感光性绝缘材料。
6.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述球下金属焊盘具有沿着所述绝缘构件的位于所述重分配基底的所述第一表面上的表面延伸的部分。
7.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：
钝化层，设置在所述重分配基底的所述第一表面上且暴露出所述多个球下金属层的至少部分；以及
多个外部连接件，分别设置在所述多个球下金属层上。
8.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述钝化层包含感光性绝缘材料。
9.根据权利要求7所述的半导体封装，其中所述钝化层包含与所述绝缘构件的材料不同的绝缘材料。
10.根据权利要求1所述的半导体封装，其中所述多个球下金属层中的每一者具有比与所述第一表面相邻的所述重分配层的厚度大的厚度。
11.根据权利要求1所述的半导体封装，还包括：
模制部分，设置在所述重分配基底的所述第二表面上且覆盖所述至少一个半导体芯片。
12.一种半导体封装，包括：
重分配基底，具有被设置成彼此相对的第一表面与第二表面，且包括多个绝缘层及设置在所述多个绝缘层之间的多个重分配层，其中所述多个重分配层包括与所述第一表面相邻的第一重分配层以及设置在所述第一重分配层与所述第二表面之间的至少一个第二重分配层，每一第二重分配层具有重分配通孔，所述重分配通孔连接到所述第一重分配层或所述至少一个第二重分配层中的邻近的第二重分配层；
多个球下金属层，设置在所述重分配基底的所述第一表面上，所述球下金属层中的每一者具有连接到所述第一重分配层的球下金属通孔；
至少一个半导体芯片，设置在所述重分配基底的所述第二表面上，且具有接触焊盘，所述接触焊盘电连接到所述至少一个第二重分配层；以及
模制部分，设置在所述重分配基底的所述第二表面上且覆盖所述至少一个半导体芯片，
其中所述重分配通孔具有在第一方向上从所述第二表面朝所述第一表面变窄的形状，且所述球下金属通孔具有在与所述第一方向相反的第二方向上变窄的形状。
13.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述第二重分配层具有与所述重分配通孔连续集成的结构，且所述球下金属层具有与所述球下金属通孔连续集成的结构。
14.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述球下金属层具有为10μm或大于10μm的厚度。
15.根据权利要求12所述的半导体封装，还包括：
钝化层，设置在所述重分配基底的所述第一表面上且暴露出所述球下金属层的至少部分。
16.根据权利要求15所述的半导体封装，其中所述多个绝缘层中的每一者及所述钝化层包含感光性绝缘材料。
17.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述至少一个半导体芯片的上表面与所述模制部分的上表面共面。
18.根据权利要求17所述的半导体封装，还包括：
散热板，设置在所述至少一个半导体芯片的上表面及所述模制部分的上表面上。
19.根据权利要求12所述的半导体封装，其中所述至少一个半导体芯片包括多个半导体芯片。
20.一种半导体封装，包括：
重分配基底，具有被设置成彼此相对的第一表面与第二表面，且包括绝缘构件及在所述绝缘构件中设置在不同的水平层级上的多个重分配层；
球下金属层，包括球下金属焊盘及球下金属通孔，所述球下金属焊盘设置在所述重分配基底的所述第一表面上，所述球下金属通孔电连接所述球下金属焊盘与所述多个重分配层且具有在从所述第一表面朝所述第二表面的方向上变窄的形状；以及
至少一个半导体芯片，设置在所述重分配基底的所述第二表面上，且具有接触焊盘，所述接触焊盘电连接到所述多个重分配层，
其中所述多个重分配层包括：
第一重分配层，在所述绝缘构件中设置在与所述第一表面相邻的水平层级上，且由平面状导电图案构成，以及
多个第二重分配层，在所述绝缘构件中设置在不同的水平层级上，所述多个第二重分配层中的每一者具有重分配通孔，所述重分配通孔连接到所述第一重分配层或所述多个第二重分配层中的邻近的第二重分配层。
21.根据权利要求20所述的半导体封装，其中所述球下金属层具有与所述球下金属通孔连续集成的结构。
22.根据权利要求20所述的半导体封装，其中所述重分配通孔具有在从所述第二表面朝所述第一表面的方向上变窄的形状。
23.根据权利要求20所述的半导体封装，其中所述第二重分配层具有与所述重分配通孔连续集成的结构，且所述第一重分配层不包括具有连续集成的结构的通孔。